Конструкция диода
транзистор/транзистор
Корпус
SEMiX® 3p
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обозначение производителя
SEMIX453GB12E4I33P 27897020
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Применение
для UPS, инвертор, фотоэлектрика
Производитель
SEMIKRON DANFOSS
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
450А
Ток коллектора в импульсе
1,35кА
Топология
полумост IGBT, термистор, токовый шунт
Электрический монтаж
Press-Fit, винтами
Отзывы не найдены