Полупроводниковые модули

Полупроводниковые модули – готовые решения для ваших проектов!

В нашем каталоге представлены полупроводниковые модули: силовые, управляющие, оптоэлектронные и другие. Мы предлагаем продукцию от ведущих производителей с гарантией качества. Выгодные цены, быстрая доставка и профессиональная поддержка. Выбирайте полупроводниковые модули у нас – надежность и качество в каждом элементе!

0.0
SEMIX603GB17E4PV1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX603GB17E4PV1 27895401
210 38163 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX603GB17E4PV1 27895401, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX603KD16P
Импульсный ток9кА Конструкция диодадва последовательных диода КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Обозначение производителяSEMIX603KD16P 27897500
86 86174 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX603KD16P 27897500, Модуль: диодный; два последовательных диода; 1,6кВ; If: 732А" 1.

0.0
SEMIX604GAL12E4S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 4s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX604GAL12E4S 27890154
122 06250 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX604GAL12E4S 27890154, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 600А" 1.

0.0
SEMIX604GAR12E4S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 4s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX604GAR12E4S 27890156
120 81345 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX604GAR12E4S 27890156, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор; Ic: 600А" 1.

0.0
SEMIX604GB12E4S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 4s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX604GB12E4S 27890150
176 63826 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX604GB12E4S 27890150, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX604GB12VS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 4s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX604GB12VS 27890151
203 50947 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX604GB12VS 27890151, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX604GB176HDS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 4s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX604GB176HDS 27890520
203 71591 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX604GB176HDS 27890520, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX604GB17E4S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 4s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX604GB17E4S 27892140
224 96212 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX604GB17E4S 27892140, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX653GAL176HDS
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX653GAL176HDS 27890540
131 01894 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX653GAL176HDS 27890540, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 450А" 1.

0.0
SEMIX653GAR176HDS
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX653GAR176HDS 27890530
129 56155 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX653GAR176HDS 27890530, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор; Ic: 450А" 1.

0.0
SEMIX653GB176HDS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX653GB176HDS 27890450
199 96780 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX653GB176HDS 27890450, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX653GD176HDC
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®33c Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX653GD176HDC 27890430
583 23769 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX653GD176HDC 27890430, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 450А" 1.

0.0
SEMIX703GB126HDS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX703GB126HDS 27890700
178 30492 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX703GB126HDS 27890700, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX703GB12M7P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX703GB12M7P 27895801
185 80208 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX703GB12M7P 27895801, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX703GD126HDC
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®33c Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX703GD126HDC 27890735
504 08333 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX703GD126HDC 27890735, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 450А" 1.

0.0
SEMIX71GD12E4S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®13 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX71GD12E4S 27890190
28 53693 
Доступность: 9 шт.
+

Минимальное количество для товара "SEMIX71GD12E4S 27890190, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 75А" 1.

0.0
SEMIX854GB176HDS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 4s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX854GB176HDS 27890510
266 62216 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX854GB176HDS 27890510, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SEMIX904GB126HDS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 4s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX904GB126HDS 27890720
162 41004 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SEMIX904GB126HDS 27890720, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

0.0
SGO600T120UC3-SIR
Конструкция диодаодиночный транзистор Корпус62MM Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSGO600T120UC3
000 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SGO600T120UC3, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 600А; 62MM" 1.

0.0
SK10GD126ET
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 10 GD 126 ET 24910260
24 37121 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 10 GD 126 ET 24910260, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 8А; SEMITOP3" 1.

0.0
SK10GD12T4ET
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 10 GD 12T4 ET 24914830
21 87121 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 10 GD 12T4 ET 24914830, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 8А; SEMITOP3" 1.

0.0
SK100GB066T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 100 GB 066 T 24914990
29 78788 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 100 GB 066 T 24914990, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

0.0
SK100GB12T4T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 100 GB 12T4 T 24914930
36 24527 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 100 GB 12T4 T 24914930, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SK100GD066T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITOP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSK 100 GD 066 T 24912430
93 94318 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SK 100 GD 066 T 24912430, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А" 1.

Показать еще 24 товара