Конструкция диода
одиночный транзистор
Корпус
62MM
Механический монтаж
винтами
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Обозначение производителя
SGO600T120UC3
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Производитель
SIRECTIFIER
Тип модуля
IGBT
Ток коллектора
600А
Ток коллектора в импульсе
1,2кА
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Электрический монтаж
винтами
Отзывы не найдены