Транзисторы и модули IGBT

Производитель

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

0.0
APT85GR120J
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
8 608 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT85GR120J, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 85А; SOT227B" 1.

0.0
APT85GR120JD60
Вид упаковкитуба Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В
9 966 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT85GR120JD60, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 85А; SOT227B" 1.

0.0
APT85GR120L
Вид упаковкитуба Время включения113нс Время выключения445нс Заряд затвора0,49мкC КорпусTO264
3 756 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT85GR120L, Транзистор: IGBT; NPT; 1,2кВ; 85А; 962Вт; TO264" 1.

0.0
APT95GR65B2
Вид упаковкитуба Время включения105нс Время выключения336нс Заряд затвора312нC КорпусT-Max
2 847 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APT95GR65B2, Транзистор: IGBT; NPT; 650В; 100А; 892Вт; T-Max" 1.

0.0
APTGL60DDA120T3G
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGL60DDA120T3G
18 847 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APTGL60DDA120T3G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper x2,термистор NTC" 1.

0.0
APTGLQ100A120TG
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGLQ100A120TG
23 761 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APTGLQ100A120TG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
APTGLQ100DA120T1G
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGLQ100DA120T1G
17 243 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APTGLQ100DA120T1G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор NTC; SP1" 1.

0.0
APTGLQ75H120T3G
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP3F Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGLQ75H120T3G
24 178 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APTGLQ75H120T3G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC; SP3F" 1.

0.0
APTGT100A120T3AG
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT100A120T3AG
23 669 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APTGT100A120T3AG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; IGBT x2,термистор NTC; SP3" 1.

0.0
APTGT100A120TG
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT100A120TG
24 796 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APTGT100A120TG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
APTGT100DU120TG
Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT100DU120TG
24 735 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APTGT100DU120TG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2; SP4" 1.

0.0
APTGT100SK170TG
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT100SK170TG
22 861 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APTGT100SK170TG, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор NTC; SP4" 1.

0.0
APTGT100TL60T3G
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT100TL60T3G
25 576 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APTGT100TL60T3G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 600В; Ic: 100А; SP3" 1.

0.0
APTGT150A120TG
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT150A120TG
41 380 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APTGT150A120TG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
APTGT150DH60TG
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT150DH60TG
23 394 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APTGT150DH60TG, Модуль: IGBT; диод/транзистор; асимметричный мост,термистор NTC" 1.

0.0
APTGT200DU60TG
Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT200DU60TG
22 988 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APTGT200DU60TG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2; SP4" 1.

0.0
APTGT20H60T1G
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT20H60T1G
11 720 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APTGT20H60T1G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост,термистор NTC; SP1" 1.

0.0
APTGT225DU170G
Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSP6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT225DU170G
76 048 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APTGT225DU170G, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2; SP6" 1.

0.0
APTGT300SK170G
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSP6C Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT300SK170G
50 085 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APTGT300SK170G, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,7кВ; Ic: 300А" 1.

0.0
APTGT50A170TG
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSP4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяAPTGT50A170TG
22 868 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "APTGT50A170TG, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (31)