Транзисторы и модули IGBT

Производитель

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

0.0
SKIIP34NAB176V3
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 34NAB176V3 25231900
86 786 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 34NAB176V3 25231900, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ; Ic: 58А" 1.

0.0
SKIIP35ACC12T7V1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 35ACC12T7V1 25231990
72 453 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 35ACC12T7V1 25231990, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А; винтами" 1.

0.0
SKIIP35NAB126V10
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Мощность15кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
19 399 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 35NAB126V10 25230130, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А" 48.

0.0
SKIIP35NAB12T4V1
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Мощность15кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
55 959 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 35NAB12T4V1 25231470, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А" 1.

0.0
SKIIP35NAB12T7V1
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 35NAB12T7V1 25231240
55 764 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 35NAB12T7V1 25231240, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 50А" 1.

0.0
SKIIP36GB17E4V1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 36GB17E4V1 25241715
72 453 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 36GB17E4V1 25241715, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
SKIIP36NAB126V1
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Мощность18,5кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
79 718 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 36NAB126V1 25230120, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 70А" 1.

0.0
SKIIP36NAB126V10
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 36NAB126V10 25230990
91 696 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 36NAB126V10 25230990, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 80А" 1.

0.0
SKIIP37AC126V2
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Мощность18,5кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
65 384 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 37AC126V2 25230530, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 75А" 1.

0.0
SKIIP37AC12F4V1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 37AC12F4V1 25233020
62 635 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 37AC12F4V1 25233020, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 75А; винтами" 1.

0.0
SKIIP37AC12T4V1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Мощность22кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
55 370 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 37AC12T4V1 25231480, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 75А" 1.

0.0
SKIIP37AC12T7V1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 37AC12T7V1 25231160
61 457 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 37AC12T7V1 25231160, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 75А" 1.

0.0
SKIIP37NAB066V1
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Мощность7,5кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
52 621 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 37NAB066V1 25230640, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 600В; Ic: 75А" 1.

0.0
SKIIP37NAB12T4V1
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Мощность22кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
63 813 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 37NAB12T4V1 25231570, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 75А" 1.

0.0
SKIIP37NAB12T4V10
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Мощность22кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
64 992 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 37NAB12T4V10 25231670, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 75А" 1.

0.0
SKIIP37NAB12T7V1
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 37NAB12T7V1 25232090
72 256 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 37NAB12T7V1 25232090, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 75А" 1.

0.0
SKIIP38AC126V2
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Мощность22кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
100 139 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 38AC126V2 25230540, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 105А" 1.

0.0
SKIIP38AC12T4V1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Мощность22кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
68 723 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 38AC12T4V1 25231600, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А" 1.

0.0
SKIIP38AC12T7V1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 38AC12T7V1 25231170
70 686 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 38AC12T7V1 25231170, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А" 1.

0.0
SKIIP38AC176V2
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 38AC176V2 25232760
98 764 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 38AC176V2 25232760, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 151А" 1.

0.0
SKIIP38GAL12E4V1
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 38GAL12E4V1 25241239
57 727 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 38GAL12E4V1 25241239, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKIIP38GB07E3V1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 38GB07E3V1 25240719
56 745 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 38GB07E3V1 25240719, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

0.0
SKIIP38GB12E4V1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 38GB12E4V1 M20 025241219
66 367 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 38GB12E4V1 M20 025241219, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKIIP38GB12F4V19
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 38GB12F4V19 25241219
80 504 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 38GB12F4V19 25241219, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKIIP38GB12T7V1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 38GB12T7V1 25241218
72 453 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 38GB12T7V1 25241218, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKIIP38GB17E4V1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 38GB17E4V1 25241719
84 626 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 38GB17E4V1 25241719, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
SKIIP38NAB066V1
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Мощность11кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
62 046 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 38NAB066V1 25230650, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 600В; Ic: 100А" 1.

0.0
SKIIP38NAB12T4V1
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Мощность22кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
74 221 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 38NAB12T4V1 M20 025231490, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 93А" 1.

0.0
SKIIP38NAB12T7V1
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 38NAB12T7V1 25231930
86 394 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 38NAB12T7V1 25231930, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKIIP39AC065V2
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Мощность15кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
39 467 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 39AC065V2 25231490, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 125А" 1.

0.0
SKIIP39AC066V4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 39AC066V4 25231360
67 937 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 39AC066V4 25231360, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А" 1.

0.0
SKIIP39AC126V2
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Мощность30кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
98 372 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 39AC126V2 25230550, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 140А" 1.

0.0
SKIIP39AC126V20
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Мощность30кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
93 462 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 39AC126V20 25230940, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-фазный мост IGBT,термистор NTC" 1.

0.0
SKIIP39AC12T4V1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Мощность30кВт Напряжение затвор - эмиттер±20В
62 233 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 39AC12T4V1 25231450, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А" 48.

0.0
SKIIP39AC12T7V1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 39AC12T7V1 25231070
95 818 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 39AC12T7V1 25231070, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А" 1.

0.0
SKIIP39AHB16V1
Конструкция диодадиод/тиристор/БТИЗ КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 39AHB16V1 25230190
48 891 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 39AHB16V1 25230190, Модуль: IGBT; диод/тиристор/БТИЗ; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKIIP39AHB16V3
Конструкция диодадиод/тиристор/БТИЗ КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 39AHB16V3 25231180
50 854 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 39AHB16V3 25231180, Модуль: IGBT; диод/тиристор/БТИЗ; boost chopper; Urmax: 1,6кВ" 1.

0.0
SKIIP39ANB16V1
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 39ANB16V1 25230180
53 997 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 39ANB16V1 25230180, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKIIP39GA12T4V1
Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 39GA12T4V1 25232770
53 015 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 39GA12T4V1 25232770, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x3" 1.

0.0
SKIIP39GB12E4V1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 39GB12E4V1 M20
82 075 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 39GB12E4V1 M20, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKIIP39GB12T7V1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 39GB12T7V1 25241222
80 307 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 39GB12T7V1 25241222, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKIIP39GB12VV1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 39GB12VV1 25241220
95 426 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 39GB12VV1 25241220, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKIIP39MLI07E3V1
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 39MLI07E3V1 25238000
75 791 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 39MLI07E3V1 25238000, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

0.0
SKIIP39MLI12T4V1
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 39MLI12T4V1 25230510
80 307 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 39MLI12T4V1 25230510, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

0.0
SKIIP39TMLI12T4V2
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 39TMLI12T4V2 25232780
79 718 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIIP 39TMLI12T4V2 25232780, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-уровневый инвертор TNPC" 1.

0.0
SKIM120GD176D
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSKiM4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM120GD176D 23916470
122 915 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIM120GD176D 23916470, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 125А" 1.

0.0
SKIM200GD126D
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSKiM4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM200GD126D 23916200
99 942 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIM200GD126D 23916200, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 180А" 1.

0.0
SKIM201MLI12E4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSKiM4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM201MLI12E4 23918890
78 343 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIM201MLI12E4 23918890, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

0.0
SKIM220GD176DH4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSKiM4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM220GD176DH4 23916480
193 601 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIM220GD176DH4 23916480, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 250А" 1.

0.0
SKIM270GD176D
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSKiM5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM270GD176D 23916120
206 168 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIM270GD176D 23916120, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3,термистор" 1.

0.0
SKIM300GD126D
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSKiM4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM300GD126D 23916190
179 463 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIM300GD126D 23916190, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 300А" 1.

0.0
SKIM300GD126DL
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSKiM4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM300GD126DL 23916490
154 723 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIM300GD126DL 23916490, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 300А" 1.

0.0
SKIM301MLI07E4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSKiM4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM301MLI07E4 23918920
85 608 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIM301MLI07E4 23918920, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

0.0
SKIM301MLI12E4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSKiM4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM301MLI12E4 23918880
98 764 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIM301MLI12E4 23918880, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

0.0
SKIM301TMLI12E4B
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSKiM4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM301TMLI12E4B 23918960
87 769 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIM301TMLI12E4B 23918960, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-уровневый инвертор TNPC" 1.

0.0
SKIM304GD12T4D
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSKiM4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM304GD12T4D 23916500
132 537 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIM304GD12T4D 23916500, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 300А" 1.

0.0
SKIM400GD126DLM
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSKiM4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM400GD126DLM 23916550
204 204 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIM400GD126DLM 23916550, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 300А" 1.

0.0
SKIM400GD126DM
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSKiM4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM400GD126DM 23916530
221 876 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIM400GD126DM 23916530, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 300А" 1.

0.0
SKIM401MLI07E4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSKiM4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM401MLI07E4 23918910
102 102 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIM401MLI07E4 23918910, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

0.0
SKIM401TMLI12E4B
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSKiM4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM401TMLI12E4B 23918950
104 851 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKIM401TMLI12E4B 23918950, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-уровневый инвертор TNPC" 1.

0.0
SKM100GAL12F4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM100GAL12F4 22896040
13 961 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM100GAL12F4 22896040, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM100GAL12T4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM100GAL12T422892600
13 324 
Доступность: 22 шт.
+

Минимальное количество для товара "SKM100GAL12T422892600, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM100GAL17E4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM100GAL17E4 22895100
12 469 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM100GAL17E4 22895100, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
SKM100GAR12F4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM100GAR12F4 22896030
13 961 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM100GAR12F4 22896030, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 100А" 1.

0.0
SKM100GAR17E4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM100GAR17E4 22895130
16 121 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM100GAR17E4 22895130, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,7кВ; Ic: 100А" 1.

0.0
SKM100GB125DN
ВерсияD93 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2N Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
28 317 
Доступность: 112 шт.
+

Минимальное количество для товара "SKM100GB125DN, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM100GB12F4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM100GB12F4 22896020
18 182 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM100GB12F4 22896020, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM100GB12T4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM100GB12T422892020
15 813 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM100GB12T422892020, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM100GB12T4G
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM100GB12T4G 22892030
24 937 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM100GB12T4G 22892030, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM100GB12V
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM100GB12V 22892023
19 635 
Доступность: 16 шт.
+

Минимальное количество для товара "SKM100GB12V 22892023, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM100GB176D
ВерсияD61 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
26 508 
Доступность: 52 шт.
+

Минимальное количество для товара "SKM100GB176D 22890855, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
SKM100GB17E4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM100GB17E4 22895040
21 795 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM100GB17E4 22895040, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
SKM145GAL176D
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM145GAL176D 22890510
21 795 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM145GAL176D 22890510, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
SKM145GB066D
ВерсияD61 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
17 436 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM145GB066D22890045, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

0.0
SKM145GB176D
ВерсияD61 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
26 311 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM145GB176D 22890695, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
SKM150GAL12F4G
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GAL12F4G 22896150
32 202 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM150GAL12F4G 22896150, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM150GAL12T4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GAL12T4 22892300
18 083 
Доступность: 17 шт.
+

Минимальное количество для товара "SKM150GAL12T4 22892300, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM150GAL12V
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GAL12V 22892301
18 711 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM150GAL12V 22892301, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM150GAR12F4G
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GAR12F4G 22896160
32 202 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM150GAR12F4G 22896160, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 150А" 1.

0.0
SKM150GAR12T4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GAR12T4 22892400
14 098 
Доступность: 26 шт.
+

Минимальное количество для товара "SKM150GAR12T4 22892400, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 150А" 1.

Показать еще 80 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (31)