Транзисторы и модули IGBT

Производитель

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

0.0
SKM150GAR12V
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GAR12V 22892403
18 711 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM150GAR12V 22892403, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 150А" 1.

0.0
SKM150GB12F4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GB12F4 22896062
23 365 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM150GB12F4 22896062, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM150GB12F4G
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GB12F4G 22896060
39 270 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM150GB12F4G 22896060, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM150GB12T4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GB12T4 22892040
23 759 
Доступность: 50 шт.
+

Минимальное количество для товара "SKM150GB12T4 22892040, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM150GB12T4G
ВерсияD56 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
36 718 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM150GB12T4G22892050, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM150GB12V
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GB12V 22892043
33 380 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM150GB12V 22892043, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM150GB12VG
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GB12VG 22892052
36 913 
Доступность: 11 шт.
+

Минимальное количество для товара "SKM150GB12VG 22892052, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM150GB17E4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GB17E4 22895050
21 992 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM150GB17E4 22895050, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
SKM150GB17E4G
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GB17E4G 22895052
45 553 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM150GB17E4G 22895052, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
SKM150GM12T4G
Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GM12T4G 22892460
37 503 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM150GM12T4G 22892460, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2" 1.

0.0
SKM195GAL07E3
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM195GAL07E3 22895620
16 749 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM195GAL07E3 22895620, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 200А" 1.

0.0
SKM195GAL126D
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM195GAL126D 22890470
23 365 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM195GAL126D 22890470, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM195GAR07E3
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM195GAR07E3 22895630
16 749 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM195GAR07E3 22895630, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 650В; Ic: 200А" 1.

0.0
SKM195GB066D
ВерсияD61 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
21 470 
Доступность: 83 шт.
+

Минимальное количество для товара "SKM195GB066D22890052, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

0.0
SKM195GB07E3
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM195GB07E3 22895610
22 776 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM195GB07E3 22895610, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

0.0
SKM195GB126D
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM195GB126D 22890630
26 114 
Доступность: 26 шт.
+

Минимальное количество для товара "SKM195GB126D 22890630, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM200GAL125D
ВерсияD56 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
44 964 
Доступность: 13 шт.
+

Минимальное количество для товара "SKM200GAL125D 22890740, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 20А" 1.

0.0
SKM200GAL126D
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GAL126D 22890472
35 735 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM200GAL126D 22890472, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM200GAL12E4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GAL12E4 22892304
37 699 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM200GAL12E4 22892304, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM200GAL12T4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GAL12T4 22892320
33 772 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM200GAL12T4 22892320, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM200GAL12VL2
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GAL12VL2 22895560
19 635 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM200GAL12VL2 22895560, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM200GAL176D
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GAL176D 22890514
40 448 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM200GAL176D 22890514, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
SKM200GAL17E4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GAL17E4 22895110
24 740 
Доступность: 30 шт.
+

Минимальное количество для товара "SKM200GAL17E4 22895110, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
SKM200GAR125D
ВерсияD56 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
35 343 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM200GAR125D 22890565, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 160А" 1.

0.0
SKM200GAR12E4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GAR12E4 22892420
38 681 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM200GAR12E4 22892420, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 200А" 1.

0.0
SKM200GAR17E4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GAR17E4 22895140
29 453 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM200GAR17E4 22895140, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,7кВ; Ic: 248А" 1.

0.0
SKM200GARL066T
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GARL066T 21915260
68 919 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM200GARL066T 21915260, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck-boost chopper,термистор NTC" 1.

0.0
SKM200GB125D
ВерсияD56 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
59 020 
Доступность: 10 шт.
+

Минимальное количество для товара "SKM200GB125D, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM200GB126D
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GB126D 22890631
48 105 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM200GB126D 22890631, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM200GB12E4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GB12E422892067
38 207 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM200GB12E422892067, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM200GB12F4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GB12F4 22896050
46 535 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM200GB12F4 22896050, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM200GB12T4
ВерсияD56 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
34 165 
Доступность: 39 шт.
+

Минимальное количество для товара "SKM200GB12T4 22892060, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM200GB12V
ВерсияD56 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
52 032 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM200GB12V 22892064, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM200GB176D
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GB176D 22890700
35 873 
Доступность: 6 шт.
+

Минимальное количество для товара "SKM200GB176D 22890700, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
SKM200GB17E4
ВерсияD56 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
45 357 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM200GB17E4 22895060, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
SKM200GBD126D
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GBD126D 22891102
32 791 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM200GBD126D 22891102, Модуль: IGBT; диод/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM200GM12T4
Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GM12T4 22892470
43 589 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM200GM12T4 22892470, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2" 1.

0.0
SKM200MLI066TAT
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200MLI066TAT 21917820
100 139 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM200MLI066TAT 21917820, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

0.0
SKM25GAH125D
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM25GAH125D 21917990
36 521 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM25GAH125D 21917990, Модуль: IGBT; диод/транзистор; Н мост; Urmax: 1,2кВ; Ic: 25А" 1.

0.0
SKM25GD125D
ВерсияD67 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
32 202 
Доступность: 7 шт.
+

Минимальное количество для товара "SKM25GD125D 21918000, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 27А" 1.

0.0
SKM295GB066D
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM295GB066D 22895640
26 311 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM295GB066D 22895640, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

0.0
SKM300GA12E4
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSEMITRANS4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM300GA12E4 22892124
38 289 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM300GA12E4 22892124, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 300А; винтами" 1.

0.0
SKM300GA12T4
ВерсияD59 Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSEMITRANS4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
27 097 
Доступность: 29 шт.
+

Минимальное количество для товара "SKM300GA12T4 22892120, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 300А; D59" 1.

0.0
SKM300GA12V
ВерсияD59 Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSEMITRANS4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
37 895 
Доступность: 12 шт.
+

Минимальное количество для товара "SKM300GA12V 22892123, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 300А; D59" 1.

0.0
SKM300GAL066D
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM300GAL066D 21920130
36 718 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM300GAL066D 21920130, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 600В; Ic: 300А" 1.

0.0
SKM300GAL07E3
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM300GAL07E3 22895590
36 129 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM300GAL07E3 22895590, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 300А" 1.

0.0
SKM300GAL12E4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM300GAL12E4 22892334
35 343 
Доступность: 6 шт.
+

Минимальное количество для товара "SKM300GAL12E4 22892334, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM300GAL12T4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM300GAL12T4 22892330
40 056 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM300GAL12T4 22892330, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM300GAR07E3
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM300GAR07E3 22895600
36 129 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM300GAR07E3 22895600, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 650В; Ic: 300А" 1.

0.0
SKM300GAR12E4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM300GAR12E4 22892418
26 900 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM300GAR12E4 22892418, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 324А" 1.

0.0
SKM300GARL066T
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM300GARL066T 21915370
79 521 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM300GARL066T 21915370, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck-boost chopper,термистор NTC" 1.

0.0
SKM300GB066D
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM300GB066D 21915520
48 302 
Доступность: 3 шт.
+

Минимальное количество для товара "SKM300GB066D 21915520, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

0.0
SKM300GB07E3
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM300GB07E3 22895580
48 891 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM300GB07E3 22895580, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

0.0
SKM300GB125D
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM300GB125D 22890624
86 983 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM300GB125D 22890624, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM300GB126D
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM300GB126D 22890633
51 640 
Доступность: 12 шт.
+

Минимальное количество для товара "SKM300GB126D 22890633, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM300GB12E4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM300GB12E4 22892077
53 603 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM300GB12E4 22892077, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM300GB12F4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM300GB12F4 22896070
56 353 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM300GB12F4 22896070, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM300GB12T4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM300GB12T4 22892070
60 280 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM300GB12T4 22892070, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM300GB12V
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM300GB12V 22892073
74 416 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM300GB12V 22892073, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM300GB17E4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM300GB17E4 22895070
67 740 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM300GB17E4 22895070, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
SKM300GBD12T4
ВерсияD56 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
37 307 
Доступность: 7 шт.
+

Минимальное количество для товара "SKM300GBD12T4 22892212, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM300GM12T4
Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM300GM12T4 22892480
53 407 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM300GM12T4 22892480, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2" 1.

0.0
SKM300MLI066TAT
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM300MLI066TAT 21916570
125 075 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM300MLI066TAT 21916570, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

0.0
SKM400GA12E4
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSEMITRANS4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM400GA12E4 22892104
44 572 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM400GA12E4 22892104, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 400А; винтами" 1.

0.0
SKM400GA12T4
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSEMITRANS4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM400GA12T4 22892100
48 694 
Доступность: 12 шт.
+

Минимальное количество для товара "SKM400GA12T4 22892100, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 400А; винтами" 1.

0.0
SKM400GA12V
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSEMITRANS4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM400GA12V 22892103
50 462 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM400GA12V 22892103, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 400А; винтами" 1.

0.0
SKM400GAL07E3
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM400GAL07E3 22895552
40 840 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM400GAL07E3 22895552, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 400А" 1.

0.0
SKM400GAL125D
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM400GAL125D 22890750
54 192 
Доступность: 2 шт.
+

Минимальное количество для товара "SKM400GAL125D 22890750, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM400GAL126D
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM400GAL126D 21916030
60 083 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM400GAL126D 21916030, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM400GAL12E4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM400GAL12E4 22892314
37 110 
Доступность: 13 шт.
+

Минимальное количество для товара "SKM400GAL12E4 22892314, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM400GAL12F4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM400GAL12F4 22896140
49 284 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM400GAL12F4 22896140, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM400GAL12T4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM400GAL12T4 22892310
46 927 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM400GAL12T4 22892310, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM400GAL12V
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM400GAL12V 22892313
53 211 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM400GAL12V 22892313, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM400GAL176D
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM400GAL176D 21915590
71 275 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM400GAL176D 21915590, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
SKM400GAL176DL3
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS9 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM400GAL176DL3 21919990
165 326 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM400GAL176DL3 21919990, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
SKM400GAL17E4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM400GAL17E4 22895120
57 334 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM400GAL17E4 22895120, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
SKM400GAR07E3
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM400GAR07E3 22895554
40 840 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM400GAR07E3 22895554, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 650В; Ic: 400А" 1.

0.0
SKM400GAR125D
ВерсияD56 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
61 065 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM400GAR125D 21915960, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 300А" 1.

0.0
SKM400GAR12E4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM400GAR12E4 22892414
47 124 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM400GAR12E4 22892414, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 400А" 1.

0.0
SKM400GAR12F4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM400GAR12F4 22896130
49 284 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SKM400GAR12F4 22896130, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 400А" 1.

Показать еще 80 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (31)