Транзисторы и модули IGBT

Производитель

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

0.0
FF900R12IE4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-PRIME2-1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяFF900R12IE4
137 080 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FF900R12IE4, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
FGA40N65SMD
Заряд затвора119нC МонтажTHT Напряжение затвор - эмиттер±20В Напряжение коллектор-эмиттер650В Обозначение производителяFGA40N65SMD
‍857‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FGA40N65SMD, Транзистор: IGBT; 650В; 40А; 174Вт" 1.

0.0
FGA40T65SHD
Заряд затвора72,2нC МонтажTHT Напряжение затвор - эмиттер±20В Напряжение коллектор-эмиттер650В Обозначение производителяFGA40T65SHD
‍659‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FGA40T65SHD, Транзистор: IGBT; 650В; 40А; 134Вт" 1.

0.0
FGA60N65SMD
Вид упаковкитуба Заряд затвора284нC КорпусTO3PN МонтажTHT Напряжение затвор - эмиттер±20В
‍988‍ 
Доступность: 201 шт.
+

Минимальное количество для товара "FGA60N65SMD, Транзистор: IGBT; 650В; 60А; 300Вт; TO3PN" 1.

0.0
FGA6560WDF
Вид упаковкитуба Заряд затвора84нC КорпусTO3PN МонтажTHT Напряжение затвор - эмиттер±20В
‍829‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FGA6560WDF, Транзистор: IGBT; 650В; 60А; 153Вт; TO3PN" 3.

0.0
FGAF40N60SMD
Заряд затвора119нC КорпусTO3PF МонтажTHT Напряжение затвор - эмиттер±20В Напряжение коллектор-эмиттер600В
‍907‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FGAF40N60SMD, Транзистор: IGBT; 600В; 40А; 58Вт; TO3PF" 1.

0.0
FGAF40N60UFDTU
Вид упаковкитуба Заряд затвора150нC КорпусTO3PF МонтажTHT Напряжение затвор - эмиттер±20В
1 146 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FGAF40N60UFDTU, Транзистор: IGBT; 600В; 20А; 40Вт; TO3PF" 1.

0.0
FGAF40N60UFTU
Заряд затвора77нC КорпусTO3PF МонтажTHT Напряжение затвор - эмиттер±20В Напряжение коллектор-эмиттер600В
‍732‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FGAF40N60UFTU, Транзистор: IGBT; 600В; 20А; 40Вт; TO3PF" 1.

0.0
FGB20N60SFD-F085
Заряд затвора63нC КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±20В Напряжение коллектор-эмиттер600В
‍744‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FGB20N60SFD-F085, Транзистор: IGBT; 600В; 20А; 83Вт; TO263" 1.

0.0
FGB3040G2-F085
Заряд затвора21нC КорпусTO263AB МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±10В Напряжение коллектор-эмиттер400В
‍487‍ 
Доступность: 741 шт.
+

Минимальное количество для товара "FGB3040G2-F085, Транзистор: IGBT; 400В; 25,6А; 150Вт; TO263AB" 1.

0.0
FGB3040G2-F085C
Заряд затвора21нC КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±10В Напряжение коллектор-эмиттер400В
‍463‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FGB3040G2-F085C, Транзистор: IGBT; 400В; 25,6А; 150Вт; D2PAK" 1.

0.0
FGB3245G2-F085
Заряд затвора23нC КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±10В Напряжение коллектор-эмиттер450В
‍688‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FGB3245G2-F085, Транзистор: IGBT; 450В; 27А; 150Вт; TO263" 1.

0.0
FGB40T65SPD-F085
Заряд затвора36нC КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±20В Напряжение коллектор-эмиттер650В
‍898‍ 
Доступность: 753 шт.
+

Минимальное количество для товара "FGB40T65SPD-F085, Транзистор: IGBT; 650В; 40А; 134Вт; TO263" 1.

0.0
FGB7N60UNDF-ONS
Обозначение производителяFGB7N60UNDF ПроизводительONSEMI Тип транзистораIGBT
‍284‍ 
Доступность: 439 шт.
+

Минимальное количество для товара "FGB7N60UNDF, Транзистор: IGBT" 46.

0.0
FGD3040G2-F085
Заряд затвора21нC КорпусTO252AA МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±10В Напряжение коллектор-эмиттер400В
‍374‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FGD3040G2-F085, Транзистор: IGBT; 400В; 25,6А; 150Вт; TO252AA" 1.

0.0
FGD3040G2-F085C
Заряд затвора21нC КорпусDPAK МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±10В Напряжение коллектор-эмиттер400В
‍314‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FGD3040G2-F085C, Транзистор: IGBT; 400В; 25,6А; 150Вт; DPAK" 1.

0.0
FGD3040G2-F085V
Заряд затвора21нC КорпусDPAK МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±10В Напряжение коллектор-эмиттер400В
‍321‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FGD3040G2-F085V, Транзистор: IGBT; 400В; 25,6А; 150Вт; DPAK" 1.

0.0
FGD3050G2
Заряд затвора22нC КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±10В Напряжение коллектор-эмиттер500В
‍418‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FGD3050G2, Транзистор: IGBT; 500В; 27А; 150Вт; TO252" 1.

0.0
FGD3245G2-F085
ВерсияESD Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC КорпусDPAK МонтажSMD
‍542‍ 
Доступность: 2315 шт.
+

Минимальное количество для товара "FGD3245G2-F085, Транзистор: IGBT; 450В; 23А; 150Вт; DPAK; системы зажигания; ESD" 1.

0.0
FGD3245G2-F085C
Заряд затвора23нC КорпусDPAK МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±10В Напряжение коллектор-эмиттер450В
‍350‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FGD3245G2-F085C, Транзистор: IGBT; 450В; 23А; 150Вт; DPAK" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (31)