Транзисторы и модули IGBT

Производитель

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

0.0
5SNE1600E170300
Конструкция диодадиод/транзистор, общий вход, общий эмиттер КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNE 1600E170300
305 097 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNE 1600E170300, Модуль: IGBT; диод/транзистор,общий вход,общий эмиттер; HIPAK" 1.

0.0
5SNE2400E170300
Конструкция диодадиод/транзистор, общий вход, общий эмиттер КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNE 2400E170300
342 020 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNE 2400E170300, Модуль: IGBT; диод/транзистор,общий вход,общий эмиттер; HIPAK" 1.

0.0
5SNG0150P450300
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNG 0150P450300
194 329 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNG 0150P450300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 4,5кВ" 1.

0.0
5SNG0150Q170300
Конструкция диодатранзистор/транзистор Корпус62PAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNG 0150Q170300
21 182 
Доступность: 8 шт.
+

Минимальное количество для товара "5SNG 0150Q170300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
5SNG0200Q170300
Конструкция диодатранзистор/транзистор Корпус62PAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNG 0200Q170300
20 599 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNG 0200Q170300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
5SNG0250P330305
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNG 0250P330305
186 557 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNG 0250P330305, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 3,3кВ" 1.

0.0
5SNG0300Q170300
Конструкция диодатранзистор/транзистор Корпус62PAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNG 0300Q170300
38 284 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNG 0300Q170300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
5SNG0450X330300
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусLINPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNG 0450X330300
190 248 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNG 0450X330300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 3,3кВ" 1.

0.0
5SNG1000X170300
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусLINPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNG 1000X170300
161 683 
Доступность: 9 шт.
+

Минимальное количество для товара "5SNG 1000X170300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
62CA1
Класс напряжения1,2кВ Обозначение производителя62CA1 Применениеfor medium and high power application ПроизводительMICROCHIP TECHNOLOGY Сопутствующие товарыASBK-014
19 226 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "62CA1, Module: gate driver adapter; 1.2kV; AgileSwitch®" 1.

0.0
62CA2
Класс напряжения1,2кВ Обозначение производителя62CA2 Применениеfor medium and high power application ПроизводительMICROCHIP TECHNOLOGY Сопутствующие товарыASBK-014
19 041 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "62CA2, Module: gate driver adapter; 1.2kV; AgileSwitch®" 1.

0.0
62CA4
Класс напряжения1,7кВ Обозначение производителя62CA4 Применениеfor medium and high power application ПроизводительMICROCHIP TECHNOLOGY Сопутствующие товарыASBK-014
19 041 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "62CA4, Module: gate driver adapter; 1.7kV; AgileSwitch®" 1.

0.0
62EM1-00001
Вид выходадрайвер SiC MOSFET Выходной ток20А Класс напряжения1,2кВ МонтажPCB Обозначение производителя62EM1-00001
51 756 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "62EM1-00001, Module: gate driver board; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge" 1.

0.0
A1C15S12M3
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусACEPACK™1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяA1C15S12M3
8 557 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "A1C15S12M3, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 15А" 1.

0.0
A1P35S12M3
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусACEPACK™1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяA1P35S12M3
10 774 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "A1P35S12M3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 35А" 1.

0.0
A1P50S65M2
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусACEPACK™1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяA1P50S65M2
8 367 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "A1P50S65M2, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 50А" 1.

0.0
A2C50S65M2
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусACEPACK™2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяA2C50S65M2
16 207 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "A2C50S65M2, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 50А" 1.

0.0
A2P75S12M3
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусACEPACK™2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяA2P75S12M3
18 034 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "A2P75S12M3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3; Ic: 75А" 1.

0.0
AIGW40N65F5XKSA1
Вид упаковкитуба Время включения30нс Время выключения178нс Заряд затвора95нC КорпусTO247-3
1 070 
Доступность: 177 шт.
+

Минимальное количество для товара "AIGW40N65F5XKSA1, Транзистор: IGBT; 650В; 46А; 125Вт; TO247-3; F5" 1.

0.0
AIGW40N65H5XKSA1
Вид упаковкитуба Время включения31нс Время выключения160нс Заряд затвора92нC КорпусTO247-3
1 333 
Доступность: 167 шт.
+

Минимальное количество для товара "AIGW40N65H5XKSA1, Транзистор: IGBT; 650В; 46А; 125Вт; TO247-3; H5" 1.

0.0
AIGW50N65F5XKSA1
Вид упаковкитуба Время включения33нс Время выключения162нс Заряд затвора108нC КорпусTO247-3
1 168 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AIGW50N65F5XKSA1, Транзистор: IGBT; 650В; 53,5А; 136Вт; TO247-3; F5" 1.

0.0
AIKP20N60CTAKSA1
Вид упаковкитуба Время включения32нс Время выключения241нс Заряд затвора0,12мкC КорпусTO220-3
‍756‍ 
Доступность: 306 шт.
+

Минимальное количество для товара "AIKP20N60CTAKSA1, Транзистор: IGBT; 600В; 20А; 156Вт; TO220-3" 1.

0.0
AIKW20N60CTXKSA1
Вид упаковкитуба Время включения32нс Время выключения241нс Заряд затвора0,12мкC КорпусTO247-3
‍846‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AIKW20N60CTXKSA1, Транзистор: IGBT; 600В; 20А; 166Вт; TO247-3" 1.

0.0
AIKW30N60CTXKSA1
Вид упаковкитуба Время включения44нс Время выключения0,3мкс Заряд затвора167нC КорпусTO247-3
‍954‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AIKW30N60CTXKSA1, Транзистор: IGBT; 600В; 30А; 187Вт; TO247-3" 1.

0.0
AIKW40N65DF5XKSA1
Вид упаковкитуба Время включения30нс Время выключения178нс Заряд затвора95нC КорпусTO247-3
1 358 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AIKW40N65DF5XKSA1, Транзистор: IGBT; 650В; 46А; 125Вт; TO247-3; F5" 1.

0.0
AIKW40N65DH5XKSA1
Вид упаковкитуба Время включения31нс Время выключения164нс Заряд затвора92нC КорпусTO247-3
1 480 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AIKW40N65DH5XKSA1, Транзистор: IGBT; 650В; 46А; 125Вт; TO247-3; H5" 1.

0.0
AIKW50N60CTXKSA1
Вид упаковкитуба Время включения55нс Время выключения328нс Заряд затвора310нC КорпусTO247-3
1 421 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AIKW50N60CTXKSA1, Транзистор: IGBT; 600В; 50А; 333Вт; TO247-3" 1.

0.0
AIKW50N65DF5XKSA1
Вид упаковкитуба Время включения33нс Время выключения162нс Заряд затвора108нC КорпусTO247-3
1 061 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AIKW50N65DF5XKSA1, Транзистор: IGBT; 650В; 53,5А; 136Вт; TO247-3; F5" 1.

0.0
AIKW50N65DH5XKSA1
Вид упаковкитуба Время включения22нс Время выключения256нс Заряд затвора116нC КорпусTO247-3
1 576 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AIKW50N65DH5XKSA1, Транзистор: IGBT; 650В; 53,5А; 136Вт; TO247-3; H5" 1.

0.0
AIKW75N60CTXKSA1
Вид упаковкитуба Время включения69нс Время выключения365нс Заряд затвора470нC КорпусTO247-3
2 207 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AIKW75N60CTXKSA1, Транзистор: IGBT; 600В; 75А; 428Вт; TO247-3" 1.

0.0
AOB10B60D
Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17,4нC КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±20В
‍143‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AOB10B60D, Транзистор: IGBT; 600В; 10А; 82Вт; TO263" 800.

0.0
AOB10B65M1
Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±30В
‍112‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AOB10B65M1, Транзистор: IGBT; 650В; 10А; 75Вт; TO263" 800.

0.0
AOB15B60D
Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25,4нC КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±20В
‍284‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AOB15B60D, Транзистор: IGBT; 600В; 15А; 83,3Вт; TO263" 800.

0.0
AOB15B65M1
Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±30В
‍158‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AOB15B65M1, Транзистор: IGBT; 650В; 15А; 107Вт; TO263" 800.

0.0
AOB15B65MQ1
Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±30В
‍260‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AOB15B65MQ1, Транзистор: IGBT; 650В; 15А; 107Вт; TO263" 800.

0.0
AOB20B65M1
Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора46нC КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±30В
‍317‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AOB20B65M1, Транзистор: IGBT; 650В; 20А; 114Вт; TO263" 800.

0.0
AOB5B60D
Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,4нC КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±20В
‍134‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AOB5B60D, Транзистор: IGBT; 600В; 5А; 41,2Вт; TO263" 800.

0.0
AOBS30B65LN
Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора52нC КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±30В
‍228‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AOBS30B65LN, Транзистор: IGBT; 650В; 30А; 114Вт; TO263" 800.

0.0
AOD5B60D
Вид упаковкибобина, лента Время включения27нс Время выключения124нс Заряд затвора9,4нC КорпусTO252
‍118‍ 
Доступность: 2228 шт.
+

Минимальное количество для товара "AOD5B60D, Транзистор: IGBT; 600В; 5А; 21,7Вт; TO252; Eвыкл: 0,04мДж" 1.

0.0
AOD5B65M1
Вид упаковкибобина, лента Время включения21нс Время выключения157нс Заряд затвора14нC КорпусTO252
‍70‍ 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AOD5B65M1, Транзистор: IGBT; 650В; 5А; 28Вт; TO252; Eвыкл: 0,07мДж" 2500.

Показать еще 40 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (31)