Товары из категории модули и транзисторы igbt, стр.30

Производитель

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

0.0
GT40QR21
Вид упаковкитуба Время включения0,3мкс Время выключения0,6мкс КорпусTO3PN МонтажTHT
864.82 
Доступность: 236 шт.
+

Минимальное количество для товара "GT40QR21(STA1,E,D, Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 35А; 230Вт; TO3PN" 1.

0.0
GT40WR21
Вид упаковкитуба Время включения950нс Время выключения570нс КорпусTO3PN МонтажTHT
2 072.73 
Доступность: 9 шт.
+

Минимальное количество для товара "GT40WR21,Q(O, Транзистор: IGBT; 1,8кВ; 40А; 375Вт; TO3PN" 1.

0.0
GT50JR21
Вид упаковкитуба Время включения430нс Время выключения720нс КорпусTO3PN МонтажTHT
814.23 
Доступность: 196 шт.
+

Минимальное количество для товара "GT50JR21(STA1,E,S), Транзистор: IGBT; 600В; 49А; 230Вт; TO3PN" 1.

0.0
GT50JR22
Вид упаковкитуба Время включения250нс Время выключения330нс КорпусTO3PN МонтажTHT
991.30 
Доступность: 113 шт.
+

Минимальное количество для товара "GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор: IGBT; 600В; 44А; 115Вт; TO3PN" 1.

0.0
HFGM100D12V1-HUA
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусV1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В Обозначение производителяHFGM100D12V1
8 632.41 
Доступность: 20 шт.
+

Минимальное количество для товара "HFGM100D12V1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
HFGM150D12V3-HUA
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусV3 62MM Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В Обозначение производителяHFGM150D12V3
13 612.65 
Доступность: 1 шт.
+

Минимальное количество для товара "HFGM150D12V3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
HFGM200D12V3-HUA
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусV3 62MM Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В Обозначение производителяHFGM200D12V3
14 276.68 
Доступность: 5 шт.
+

Минимальное количество для товара "HFGM200D12V3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
HFGM300D12V3-HUA
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусV3 62MM Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В Обозначение производителяHFGM300D12V3
23 715.42 
Доступность: 7 шт.
+

Минимальное количество для товара "HFGM300D12V3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
HFGM75D12V1-HUA
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусV1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±30В Обозначение производителяHFGM75D12V1
7 636.36 
Доступность: 7 шт.
+

Минимальное количество для товара "HFGM75D12V1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
HPFM-00117
Вид выходадрайвер IGBT Выходной ток30А Класс напряжения3,3кВ МонтажPCB Обозначение производителяHPFM-00117
62 920.16 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "HPFM-00117, Module: gate driver board; PCB; 3.3kV; 14.5÷16VDC; 15kHz; 30A" 1.

0.0
IFF450B12ME4PB11
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-ECONOD-6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIFF450B12ME4PB11BPSA1
35 483.00 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IFF450B12ME4PB11BPSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
IFF600B12ME4PB11
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусAG-ECONOD-6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяIFF600B12ME4PB11BPSA1
46 589.72 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IFF600B12ME4PB11BPSA1, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
IGB10N60T
Вид упаковкитуба КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±20В Напряжение коллектор-эмиттер600В
213.44 
Доступность: 1116 шт.
+

Минимальное количество для товара "IGB10N60TATMA1, Транзистор: IGBT; 600В; 10А; 110Вт; D2PAK" 1.

0.0
IGB15N60T
Вид упаковкитуба КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±20В Напряжение коллектор-эмиттер600В
303.56 
Доступность: 837 шт.
+

Минимальное количество для товара "IGB15N60TATMA1, Транзистор: IGBT; 600В; 15А; 130Вт; D2PAK" 1.

0.0
IGB20N60H3
Вид упаковкитуба КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±20В Напряжение коллектор-эмиттер600В
344.66 
Доступность: 856 шт.
+

Минимальное количество для товара "IGB20N60H3ATMA1, Транзистор: IGBT; 600В; 20А; 170Вт; D2PAK" 1.

0.0
IGB30N60H3
Вид упаковкитуба КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±20В Напряжение коллектор-эмиттер600В
384.19 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IGB30N60H3ATMA1, Транзистор: IGBT; 600В; 30А; 187Вт; D2PAK" 1.

0.0
IGB50N65S5ATMA1
Вид упаковкибобина, лента Время включения50нс Время выключения199нс Заряд затвора0,12мкC КорпусD2PAK
621.34 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "IGB50N65S5ATMA1, Транзистор: IGBT; 650В; 63А; 135Вт; D2PAK" 1.

0.0
IGP06N60T
Вид упаковкитуба КорпусTO220-3 МонтажTHT Напряжение затвор - эмиттер±20В Напряжение коллектор-эмиттер600В
260.87 
Доступность: 231 шт.
+

Минимальное количество для товара "IGP06N60TXKSA1, Транзистор: IGBT; 600В; 6А; 88Вт; TO220-3" 1.

0.0
IGP10N60T
Вид упаковкитуба КорпусTO220-3 МонтажTHT Напряжение затвор - эмиттер±20В Напряжение коллектор-эмиттер600В
245.06 
Доступность: 145 шт.
+

Минимальное количество для товара "IGP10N60TXKSA1, Транзистор: IGBT; 600В; 18А; 110Вт; TO220-3" 1.

0.0
IGP15N60T
Вид упаковкитуба КорпусTO220-3 МонтажTHT Напряжение затвор - эмиттер±20В Напряжение коллектор-эмиттер600В
324.11 
Доступность: 4 шт.
+

Минимальное количество для товара "IGP15N60TXKSA1, Транзистор: IGBT; 600В; 23А; 130Вт; TO220-3" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (31)
Хиты продаж