Товары из категории модули и транзисторы igbt, стр.4

Производитель

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

0.0
5SNA1200G450300
Конструкция диодаобщий вход, общий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 1200G450300
408 980.24 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNA 1200G450300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер" 1.

0.0
5SNA1200G450350
Конструкция диодаобщий вход, общий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 1200G450350
434 314.62 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNA 1200G450350, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер" 1.

0.0
5SNA1300K450300
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSTAKPAK Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 1300K450300 Обратное напряжение макс.4,5кВ
1 131 027.67 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNA 1300K450300, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 4,5кВ; Ic: 1,3кА; SPT+" 1.

0.0
5SNA1500K452300
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSTAKPAK Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 1500K452300 Обратное напряжение макс.4,52кВ
830 626.09 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNA 1500K452300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 4,52кВ; Ic: 1,5кА" 1.

0.0
5SNA1600N170100
Конструкция диодаобщий вход, общий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 1600N170100
237 064.03 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNA 1600N170100, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер" 1.

0.0
5SNA1600N170300
Конструкция диодаобщий вход, общий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 1600N170300
226 205.53 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNA 1600N170300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер" 1.

0.0
5SNA1800E330400
Конструкция диодаобщий вход, общий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 1800E330400
441 552.57 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNA 1800E330400, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер" 1.

0.0
5SNA2000K450300
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSTAKPAK Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 2000K450300 Обратное напряжение макс.4,5кВ
1 632 298.81 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNA 2000K450300, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 4,5кВ; Ic: 2кА; STAKPAK" 1.

0.0
5SNA2000K451300
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSTAKPAK Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 2000K451300 Обратное напряжение макс.4,5кВ
1 447 715.42 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNA 2000K451300, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 4,5кВ; Ic: 2кА; STAKPAK" 1.

0.0
5SNA2000K452300
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSTAKPAK Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 2000K452300 Обратное напряжение макс.4,5кВ
1 042 355.73 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNA 2000K452300, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 4,5кВ; Ic: 2кА; STAKPAK" 1.

0.0
5SNA2400E170305
Конструкция диодаобщий вход, общий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 2400E170305
284 113.83 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNA 2400E170305, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер" 1.

0.0
5SNA2400N170300
Конструкция диодаобщий вход, общий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 2400N170300
278 684.58 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNA 2400N170300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер" 1.

0.0
5SNA3000K452300
Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSTAKPAK Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 3000K452300 Обратное напряжение макс.4,5кВ
1 587 057.71 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNA 3000K452300, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 4,5кВ; Ic: 3кА; STAKPAK" 1.

0.0
5SNA3600E170300
Конструкция диодаобщий вход, общий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNA 3600E170300
394 502.77 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNA 3600E170300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход,общий эмиттер" 1.

0.0
5SND0500N330300
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SND 0500N330300
285 924.11 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SND 0500N330300, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; IGBT x2; Urmax: 3,3кВ; HIPAK" 1.

0.0
5SND0800M170100
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SND 0800M170100
247 920.95 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SND 0800M170100, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; IGBT x2; Urmax: 1,7кВ; HIPAK" 1.

0.0
5SNE0800E330100
Конструкция диодадиод/транзистор, общий вход, общий эмиттер КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNE 0800E330100
336 594.47 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNE 0800E330100, Модуль: IGBT; диод/транзистор,общий вход,общий эмиттер; Ic: 800А" 1.

0.0
5SNE0800G450300
Конструкция диодадиод/транзистор, общий вход, общий эмиттер КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNE 0800G450300
401 740.71 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNE 0800G450300, Модуль: IGBT; диод/транзистор,общий вход,общий эмиттер; Ic: 800А" 1.

0.0
5SNE0800M170100
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNE 0800M170100
235 253.75 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNE 0800M170100, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,buck chopper; HIPAK" 1.

0.0
5SNE1000E330300
Конструкция диодадиод/транзистор, общий вход, общий эмиттер КорпусHIPAK Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителя5SNE 1000E330300
336 594.47 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "5SNE 1000E330300, Модуль: IGBT; диод/транзистор,общий вход,общий эмиттер; Ic: 1кА" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (31)
Хиты продаж