Товары из категории модули и транзисторы igbt, стр.44

Производитель

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

0.0
SKIIP39GB12T7V1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 39GB12T7V1 25241222
73 334.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 39GB12T7V1 25241222, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKIIP39GB12VV1
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 39GB12VV1 25241220
87 141.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 39GB12VV1 25241220, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKIIP39MLI07E3V1
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 39MLI07E3V1 25238000
69 210.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 39MLI07E3V1 25238000, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

0.0
SKIIP39MLI12T4V1
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 39MLI12T4V1 25230510
73 334.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 39MLI12T4V1 25230510, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

0.0
SKIIP39TMLI12T4V2
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусMiniSKiiP® 3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIIP 39TMLI12T4V2 25232780
72 796.90 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIIP 39TMLI12T4V2 25232780, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-уровневый инвертор TNPC" 1.

0.0
SKIM120GD176D
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSKiM4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM120GD176D 23916470
112 243.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIM120GD176D 23916470, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 125А" 1.

0.0
SKIM200GD126D
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSKiM4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM200GD126D 23916200
91 265.12 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIM200GD126D 23916200, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 180А" 1.

0.0
SKIM201MLI12E4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSKiM4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM201MLI12E4 23918890
71 541.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIM201MLI12E4 23918890, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

0.0
SKIM220GD176DH4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSKiM4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM220GD176DH4 23916480
176 792.25 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIM220GD176DH4 23916480, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 250А" 1.

0.0
SKIM270GD176D
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSKiM5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM270GD176D 23916120
188 268.22 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIM270GD176D 23916120, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT x3,термистор" 1.

0.0
SKIM300GD126D
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSKiM4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM300GD126D 23916190
163 882.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIM300GD126D 23916190, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 300А" 1.

0.0
SKIM300GD126DL
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSKiM4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM300GD126DL 23916490
141 289.92 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIM300GD126DL 23916490, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 300А" 1.

0.0
SKIM301MLI07E4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSKiM4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM301MLI07E4 23918920
78 175.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIM301MLI07E4 23918920, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

0.0
SKIM301MLI12E4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSKiM4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM301MLI12E4 23918880
90 189.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIM301MLI12E4 23918880, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

0.0
SKIM301TMLI12E4B
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSKiM4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM301TMLI12E4B 23918960
80 148.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIM301TMLI12E4B 23918960, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-уровневый инвертор TNPC" 1.

0.0
SKIM304GD12T4D
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSKiM4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM304GD12T4D 23916500
121 029.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIM304GD12T4D 23916500, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 300А" 1.

0.0
SKIM400GD126DLM
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSKiM4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM400GD126DLM 23916550
186 474.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIM400GD126DLM 23916550, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 300А" 1.

0.0
SKIM400GD126DM
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSKiM4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM400GD126DM 23916530
202 612.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIM400GD126DM 23916530, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 300А" 1.

0.0
SKIM401MLI07E4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSKiM4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM401MLI07E4 23918910
93 237.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIM401MLI07E4 23918910, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

0.0
SKIM401TMLI12E4B
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSKiM4 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKIM401TMLI12E4B 23918950
95 747.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKIM401TMLI12E4B 23918950, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-уровневый инвертор TNPC" 1.

0.0
SKM100GAL12F4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM100GAL12F4 22896040
12 748.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM100GAL12F4 22896040, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM100GAL12T4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM100GAL12T422892600
12 167.44 
Доступность: 6 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM100GAL12T422892600, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM100GAL17E4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM100GAL17E4 22895100
11 386.05 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM100GAL17E4 22895100, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
SKM100GAR12F4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM100GAR12F4 22896030
12 748.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM100GAR12F4 22896030, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 100А" 1.

0.0
SKM100GAR17E4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM100GAR17E4 22895130
14 720.93 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM100GAR17E4 22895130, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,7кВ; Ic: 100А" 1.

0.0
SKM100GB125DN
ВерсияD93 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2N Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
25 858.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM100GB125DN, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM100GB12F4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM100GB12F4 22896020
16 603.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM100GB12F4 22896020, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM100GB12T4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM100GB12T422892020
14 440.31 
Доступность: 87 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM100GB12T422892020, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM100GB12T4G
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM100GB12T4G 22892030
22 772.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM100GB12T4G 22892030, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM100GB12V
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM100GB12V 22892023
17 930.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM100GB12V 22892023, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM100GB176D
ВерсияD61 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
24 206.20 
Доступность: 52 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM100GB176D 22890855, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
SKM100GB17E4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM100GB17E4 22895040
19 902.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM100GB17E4 22895040, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
SKM145GAL176D
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM145GAL176D 22890510
19 902.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM145GAL176D 22890510, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
SKM145GB066D
ВерсияD61 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
15 922.48 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM145GB066D22890045, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 600В" 1.

0.0
SKM145GB176D
ВерсияD61 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
24 026.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM145GB176D 22890695, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
SKM150GAL12F4G
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GAL12F4G 22896150
29 406.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM150GAL12F4G 22896150, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM150GAL12T4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GAL12T4 22892300
16 513.18 
Доступность: 9 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM150GAL12T4 22892300, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM150GAL12V
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GAL12V 22892301
17 086.82 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM150GAL12V 22892301, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM150GAR12F4G
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GAR12F4G 22896160
29 406.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM150GAR12F4G 22896160, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 150А" 1.

0.0
SKM150GAR12T4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM150GAR12T4 22892400
12 874.42 
Доступность: 23 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM150GAR12T4 22892400, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 150А" 1.

Показать еще 40 товаров
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж