Товары из категории модули и транзисторы igbt, стр.58

Производитель

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

0.0
MID200-12A4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусY3-DCB Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMID200-12A4
29 930.43 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MID200-12A4, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Y3-DCB" 1.

0.0
MID300-12A4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусY3-DCB Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMID300-12A4
34 437.94 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MID300-12A4, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Y3-DCB" 1.

0.0
MID550-12A4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусY3-DCB Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMID550-12A4
45 976.28 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MID550-12A4, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Y3-DCB" 1.

0.0
MIEB100W1200TEH
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Обозначение производителяMIEB100W1200TEH Обратное напряжение макс.1,2кВ
24 520.16 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MIEB100W1200TEH, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост MOSFET" 1.

0.0
MIEB101H1200EH
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIEB101H1200EH
30 651.38 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MIEB101H1200EH, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 1,2кВ; Ic: 128А" 1.

0.0
MIEB101W1200EH
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIEB101W1200EH
38 584.98 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MIEB101W1200EH, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 128А" 1.

0.0
MII145-12A3
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY4-M5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMII145-12A3
17 380.24 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MII145-12A3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
MII200-12A4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY3-DCB Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMII200-12A4
38 222.92 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MII200-12A4, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
MII300-12A4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY3-DCB Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMII300-12A4
46 336.76 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MII300-12A4, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
MII75-12A3
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусY4-M5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMII75-12A3
12 260.87 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MII75-12A3, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
MITA300RF1700PTED
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack PFP Механический монтажвинтами Обозначение производителяMITA300RF1700PTED Обратное напряжение макс.1,7кВ
31 913.04 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MITA300RF1700PTED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ; Trench" 1.

0.0
MIXA100W1200TEH
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA100W1200TEH
32 273.52 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MIXA100W1200TEH, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 108А" 1.

0.0
MIXA101W1200EH
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA101W1200EH
19 832.41 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MIXA101W1200EH, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост MOSFET; XPT™" 1.

0.0
MIXA10W1200TML
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE1-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA10W1200TML
4 129.64 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MIXA10W1200TML, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 12А" 1.

0.0
MIXA10WB1200TED
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA10WB1200TED
12 945.45 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MIXA10WB1200TED, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 12А" 1.

0.0
MIXA10WB1200TML
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE1-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA10WB1200TML
4 867.98 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MIXA10WB1200TML, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 12А" 1.

0.0
MIXA150Q1200VA
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусV1-A-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA150Q1200VA
6 815.81 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MIXA150Q1200VA, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 175А" 1.

0.0
MIXA150R1200VA
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусV1-A-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA150R1200VA
6 652.96 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MIXA150R1200VA, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; 695Вт" 1.

0.0
MIXA150W1200TEH
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA150W1200TEH
39 666.40 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MIXA150W1200TEH, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А" 1.

0.0
MIXA151W1200EH
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMIXA151W1200EH
26 324.11 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MIXA151W1200EH, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (31)
Хиты продаж