Товары из категории модули и транзисторы igbt, стр.63

Производитель

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

0.0
MUBW75-12T8
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMUBW75-12T8
36 240.32 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MUBW75-12T8, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 75А" 1.

0.0
MUBW75-17T8
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMUBW75-17T8
47 780.24 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MUBW75-17T8, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,7кВ; Ic: 34А" 1.

0.0
MWI100-06A8
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMWI100-06A8
16 695.65 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MWI100-06A8, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 88А" 1.

0.0
MWI100-12A8
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMWI100-12A8
49 762.85 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MWI100-12A8, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 110А" 1.

0.0
MWI15-12A7
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMWI15-12A7
17 380.24 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MWI15-12A7, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 20А" 1.

0.0
MWI150-12T8T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMWI150-12T8T
57 335.97 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MWI150-12T8T, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А" 1.

0.0
MWI200-06A8
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMWI200-06A8
31 552.57 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MWI200-06A8, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 115А" 1.

0.0
MWI25-12A7T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMWI25-12A7T
19 832.41 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MWI25-12A7T, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 35А" 1.

0.0
MWI30-06A7
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMWI30-06A7
10 276.68 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MWI30-06A7, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 30А" 1.

0.0
MWI30-06A7T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMWI30-06A7T
10 709.88 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MWI30-06A7T, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 30А" 1.

0.0
MWI35-12A7
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMWI35-12A7
20 915.42 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MWI35-12A7, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 44А" 1.

0.0
MWI50-12A7
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMWI50-12A7
31 192.09 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MWI50-12A7, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 60А" 1.

0.0
MWI50-12A7T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMWI50-12A7T
27 995.26 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MWI50-12A7T, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 60А" 3.

0.0
MWI50-12T7T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMWI50-12T7T
26 324.11 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MWI50-12T7T, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 50А" 1.

0.0
MWI60-12T6K
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE1-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMWI60-12T6K
8 852.17 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MWI60-12T6K, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 41А" 1.

0.0
MWI75-06A7T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMWI75-06A7T
15 343.87 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MWI75-06A7T, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 60А" 1.

0.0
MWI75-12A8
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE3-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMWI75-12A8
21 456.13 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MWI75-12A8, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 85А" 1.

0.0
MWI75-12T7T
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMWI75-12T7T
31 552.57 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MWI75-12T7T, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 75А" 1.

0.0
MWI80-12T6K
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусE1-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяMWI80-12T6K
19 111.46 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "MWI80-12T6K, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 56А" 1.

0.0
NGB8207ABNT4G
ВерсияESD Вид упаковкибобина, лента КорпусD2PAK МонтажSMD Напряжение затвор - эмиттер±15В
251.38 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "NGB8207ABNT4G, Транзистор: IGBT; 365В; 20А; 165Вт; D2PAK; системы зажигания; ESD" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (31)
Хиты продаж