Товары из категории модули и транзисторы igbt, стр.75

Производитель

IGBT-транзисторы (Insulated Gate Bipolar Transistor) и IGBT-модули — это силовые полупроводниковые приборы, сочетающие в себе преимущества MOSFET (управление напряжением на затворе) и биполярного транзистора (низкие потери в открытом состоянии). Они предназначены для эффективного управления высокими токами и напряжениями в высокомощных электронных системах.

IGBT отличаются высокой эффективностью, скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.

Модули часто оснащаются изолированной металлической подложкой для эффективного теплоотвода и монтажа на радиатор.

Мы предлагаем качественные IGBT-транзисторы и модули от ведущих производителей (Infineon, STMicroelectronics, Mitsubishi, ON Semiconductor, Fuji) с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте мощность и надёжность — выбирайте профессиональные IGBT-решения на 7-el.ru!

0.0
SKM200GAL125D
ВерсияD56 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
41 060.47 
Доступность: 12 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM200GAL125D 22890740, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 20А" 1.

0.0
SKM200GAL126D
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GAL126D 22890472
32 632.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM200GAL126D 22890472, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM200GAL12E4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GAL12E4 22892304
34 426.36 
Доступность: 11 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM200GAL12E4 22892304, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM200GAL12T4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GAL12T4 22892320
30 840.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM200GAL12T4 22892320, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM200GAL12VL2
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GAL12VL2 22895560
17 930.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM200GAL12VL2 22895560, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM200GAL176D
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GAL176D 22890514
36 936.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM200GAL176D 22890514, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
SKM200GAL17E4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GAL17E4 22895110
22 592.25 
Доступность: 28 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM200GAL17E4 22895110, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
SKM200GAR125D
ВерсияD56 Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
32 274.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM200GAR125D 22890565, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 160А" 1.

0.0
SKM200GAR12E4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GAR12E4 22892420
35 322.48 
Доступность: 11 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM200GAR12E4 22892420, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 200А" 1.

0.0
SKM200GAR17E4
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GAR17E4 22895140
26 896.12 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM200GAR17E4 22895140, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper; Urmax: 1,7кВ; Ic: 248А" 1.

0.0
SKM200GARL066T
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GARL066T 21915260
62 934.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM200GARL066T 21915260, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck-boost chopper,термистор NTC" 1.

0.0
SKM200GB125D
ВерсияD56 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
53 896.12 
Доступность: 10 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM200GB125D, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM200GB126D
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GB126D 22890631
43 928.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM200GB126D 22890631, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM200GB12E4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GB12E422892067
34 889.92 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM200GB12E422892067, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM200GB12F4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GB12F4 22896050
42 494.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM200GB12F4 22896050, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM200GB12T4
ВерсияD56 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
31 198.45 
Доступность: 9 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM200GB12T4 22892060, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM200GB12V
ВерсияD56 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
47 514.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM200GB12V 22892064, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM200GB176D
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GB176D 22890700
32 758.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM200GB176D 22890700, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
SKM200GB17E4
ВерсияD56 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
41 418.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM200GB17E4 22895060, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ" 1.

0.0
SKM200GBD126D
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GBD126D 22891102
29 944.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM200GBD126D 22891102, Модуль: IGBT; диод/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ" 1.

0.0
SKM200GM12T4
Конструкция диодаобщий эмиттер, транзистор/транзистор КорпусSEMITRANS3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200GM12T4 22892470
39 804.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM200GM12T4 22892470, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2" 1.

0.0
SKM200MLI066TAT
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM200MLI066TAT 21917820
91 444.96 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM200MLI066TAT 21917820, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

0.0
SKM25GAH125D
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMITRANS6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSKM25GAH125D 21917990
33 350.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SKM25GAH125D 21917990, Модуль: IGBT; диод/транзистор; Н мост; Urmax: 1,2кВ; Ic: 25А" 1.

0.0
SKM25GD125D
ВерсияD67 Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMITRANS6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В
29 406.20 
Доступность: 5 шт.
 

Минимальное количество для товара "SKM25GD125D 21918000, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 27А" 1.

Показать еще 24 товара
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж