Москва
 
+7 (499) 550-50-61
0Корзина

Транзисторы многоканальные - 983

Сортировать по:
От А до Я
Показать:
24
FDS8958B, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В
0.0
FDS8958B
Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента КорпусSO8 МонтажSMD
10915 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "FDS8958B, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В" 1.

FDS8978, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 7,5А; Idm: 49А; 1,6Вт; SO8
0.0
FDS8978
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26нC КорпусSO8 МонтажSMD
14701 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "FDS8978, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 7,5А; Idm: 49А; 1,6Вт; SO8" 1.

FDS8984, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 7А; 1,6Вт; SO8
0.0
FDS8984
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусSO8 МонтажSMD
18750 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "FDS8984, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 7А; 1,6Вт; SO8" 1.

FDS9926A, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 6,5А; 2Вт; SO8
0.0
FDS9926A
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9нC КорпусSO8 МонтажSMD
17430 ₽
Доступность: 581 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "FDS9926A, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 6,5А; 2Вт; SO8" 1.

FDS9933A, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -3,8А; Idm: -20А; 2Вт; SO8
0.0
FDS9933A
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSO8 МонтажSMD
21479 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "FDS9933A, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -3,8А; Idm: -20А; 2Вт; SO8" 1.

FDS9934C, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В
0.0
FDS9934C
Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9/12нC КорпусSO8
14525 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "FDS9934C, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В" 1.

FDS9945, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 3,5А; 2Вт; SO8
0.0
FDS9945
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусSO8 МонтажSMD
12852 ₽
Доступность: 2457 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "FDS9945, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 3,5А; 2Вт; SO8" 1.

FDS9958, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -60В; -2,9А; 2Вт; SO8
0.0
FDS9958
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC КорпусSO8 МонтажSMD
16461 ₽
Доступность: 704 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "FDS9958, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -60В; -2,9А; 2Вт; SO8" 1.

FDY1002PZ, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -0,83А; 0,625Вт; SOT563F
0.0
FDY1002PZ
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563F МонтажSMD
10123 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "FDY1002PZ, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -0,83А; 0,625Вт; SOT563F" 1.

FMM150-0075X2F, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchT2™; полевой; 75В; 120А; Idm: 500А
0.0
FMM150-0075X2F
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности66нс Заряд затвора178нC Конструкция диодадва последовательных диода
4 60827 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "FMM150-0075X2F, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchT2™; полевой; 75В; 120А; Idm: 500А" 1.

FMM22-05PF, Транзистор: N-MOSFET x2; PolarHV™; полевой; 500В; 13А; Idm: 55А
0.0
FMM22-05PF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности200нс Заряд затвора50нC Конструкция диодадва последовательных диода
4 62676 ₽
Доступность: 23 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "FMM22-05PF, Транзистор: N-MOSFET x2; PolarHV™; полевой; 500В; 13А; Idm: 55А" 1.

FMM22-06PF, Транзистор: N-MOSFET x2; PolarHV™; полевой; 600В; 12А; Idm: 66А
0.0
FMM22-06PF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности200нс Заряд затвора58нC Конструкция диодадва последовательных диода
5 05370 ₽
Доступность: 25 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "FMM22-06PF, Транзистор: N-MOSFET x2; PolarHV™; полевой; 600В; 12А; Idm: 66А" 1.

FMM50-025TF, Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; полевой; 250В; 30А; Idm: 130А; 84нс
0.0
FMM50-025TF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности84нс Заряд затвора78нC Конструкция диодадва последовательных диода
4 20158 ₽
Доступность: 25 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "FMM50-025TF, Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; полевой; 250В; 30А; Idm: 130А; 84нс" 1.

FMM75-01F, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 75А; 300нс
0.0
FMM75-01F
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Время готовности300нс Заряд затвора180нC Конструкция диодадва последовательных диода
4 37588 ₽
Доступность: 25 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "FMM75-01F, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 75А; 300нс" 1.

FQS4901TF, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 400В; 0,45А; 2Вт; SO8
0.0
FQS4901TF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,5нC КорпусSO8 МонтажSMD
21303 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "FQS4901TF, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 400В; 0,45А; 2Вт; SO8" 1.

HP8KA1TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 14А; Idm: 28А; 3Вт; HSOP8
0.0
HP8KA1TB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC Конструкция диодаобщий сток КорпусHSOP8
20423 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "HP8KA1TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 14А; Idm: 28А; 3Вт; HSOP8" 1.

HP8M31TB1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 60/-60В
0.0
HP8M31TB1
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12,3/38нC
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "HP8M31TB1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 60/-60В" 1.

HP8M51TB1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 100/-100В; 4,5/-4,5А; Idm: 18А
0.0
HP8M51TB1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15/26,2нC КорпусHSOP8 МонтажSMD
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "HP8M51TB1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 100/-100В; 4,5/-4,5А; Idm: 18А" 1.

HP8MA2TB1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 18/-15А; Idm: 48А; 7Вт
0.0
HP8MA2TB1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22/25нC КорпусHSOP8 МонтажSMD
29842 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "HP8MA2TB1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 18/-15А; Idm: 48А; 7Вт" 1.

HS8K11TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 7/11А; Idm: 28÷44А; 2Вт
0.0
HS8K11TB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11,1/20,2C КорпусuDFN8 МонтажSMD
12412 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "HS8K11TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 7/11А; Idm: 28÷44А; 2Вт" 1.

HS8K1TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 10/11А; Idm: 40÷44А; 2Вт
0.0
HS8K1TB
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6/7,4нC КорпусuDFN8 МонтажSMD
14349 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "HS8K1TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 10/11А; Idm: 40÷44А; 2Вт" 1.

IPG20N04S408ATMA1, Транзистор: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 20А; 65Вт
0.0
IPG20N04S408
Вид каналаобогащенный Заряд затвора28нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
19982 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPG20N04S408ATMA1, Транзистор: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 20А; 65Вт" 1.

IPG20N04S409ATMA1, Транзистор: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 20А; 54Вт
0.0
IPG20N04S409
Вид каналаобогащенный Заряд затвора21,7нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
14701 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPG20N04S409ATMA1, Транзистор: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 20А; 54Вт" 1.

IPG20N04S4L11ATMA1, Транзистор: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 20А; Idm: 80А
0.0
IPG20N04S4L11ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8-4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В Напряжение сток-исток40В
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IPG20N04S4L11ATMA1, Транзистор: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 20А; Idm: 80А" 1.

Показать еще 24 товара
Категории