Москва
 
+7 (499) 550-50-61
0Корзина

Транзисторы многоканальные - 983

Сортировать по:
От А до Я
Показать:
24
IRF7504TRPBF, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -1,7А; 1,25Вт; SO8
0.0
IRF7504TRPBF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток-20В
3169 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IRF7504TRPBF, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -1,7А; 1,25Вт; SO8" 1.

IRF7506TRPBF, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -1,7А; 1,25Вт; SO8
0.0
IRF7506TRPBF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток-30В
4049 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IRF7506TRPBF, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -1,7А; 1,25Вт; SO8" 1.

IRF7530TRPBF, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 5,4А; 1,3Вт; SO8
0.0
IRF7530TRPBF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток20В
6074 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IRF7530TRPBF, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 5,4А; 1,3Вт; SO8" 1.

IRF7907TRPBF, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 9,1А; 2Вт; SO8
0.0
IRF7907TRPBF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IRF7907TRPBF, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 9,1А; 2Вт; SO8" 1.

IRF8313TRPBF, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 9,7А; 2Вт; SO8
0.0
IRF8313TRPBF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток30В
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IRF8313TRPBF, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 9,7А; 2Вт; SO8" 1.

IRF8910TRPBF, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 10А; 2Вт; SO8
0.0
IRF8910TRPBF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение сток-исток20В
14525 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IRF8910TRPBF, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 10А; 2Вт; SO8" 1.

IRF8915TRPBF, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 7,1А; Idm: 71А; 2Вт; SO8
0.0
IRF8915TRPBF
Вид каналаобогащенный КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток20В
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IRF8915TRPBF, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 7,1А; Idm: 71А; 2Вт; SO8" 1.

IRF9389TRPBF, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 6,8/-4,6А; 2Вт; SO8
0.0
IRF9389TRPBF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
10299 ₽
Доступность: 1122 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IRF9389TRPBF, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 6,8/-4,6А; 2Вт; SO8" 1.

IRF9952TRPBF, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 3,5/-2,3А; 2Вт; SO8
0.0
IRF9952TRPBF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IRF9952TRPBF, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 3,5/-2,3А; 2Вт; SO8" 1.

IRL6372TRPBF, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 8,1А; 2,5Вт; SO8
0.0
IRL6372TRPBF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
13028 ₽
Доступность: 321 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "IRL6372TRPBF, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 8,1А; 2,5Вт; SO8" 1.

IRLHS6276TRPBF, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 12А; 4,5Вт; PQFN2X2
0.0
IRLHS6276TRPBF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина КорпусPQFN2X2 МонтажSMD Напряжение сток-исток20В
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "IRLHS6276TRPBF, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 12А; 4,5Вт; PQFN2X2" 1.

LKK47-06C5, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 600В; 47А; 278Вт; ISOPLUS264™-5
0.0
LKK47-06C5
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора150нC Конструкция диодаобщий источник КорпусISOPLUS264™-5
000 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "LKK47-06C5, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 600В; 47А; 278Вт; ISOPLUS264™-5" 1.

MCQD08N03A-TP, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 5,4А; Idm: 34А; 2,35Вт; SOP8
0.0
MCQD08N03A-TP
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,3нC КорпусSOP8 МонтажSMD
7394 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MCQD08N03A-TP, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 5,4А; Idm: 34А; 2,35Вт; SOP8" 1.

MKE38P600LB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 600В; 50А; SMPD; 660нс
0.0
MKE38P600LB
Вид каналаобогащенный Время готовности660нс Заряд затвора0,19мкC Конструкция диодадва последовательных диода КорпусSMPD
8 11356 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MKE38P600LB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 600В; 50А; SMPD; 660нс" 1.

MMBT7002DW, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,115А; Idm: 0,8А; 0,2Вт
0.0
MMBT7002DW-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
1937 ₽
Доступность: 2980 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "MMBT7002DW, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,115А; Idm: 0,8А; 0,2Вт" 1.

MMBT7002KDW, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,3А; Idm: 1,2А; 0,35Вт; ESD
0.0
MMBT7002KDW-DIO
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,44нC КорпусSOT363
792 ₽
Доступность: 2502 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "MMBT7002KDW, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,3А; Idm: 1,2А; 0,35Вт; ESD" 1.

MMBT7002KDW-AQ, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,3А; Idm: 1,2А; 0,35Вт; ESD
0.0
MMBT7002KDW-AQ-DIO
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,44нC КорпусSOT363
880 ₽
Доступность: 2960 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "MMBT7002KDW-AQ, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,3А; Idm: 1,2А; 0,35Вт; ESD" 1.

MMFT8472DW, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 60/-50В; 0,115/-0,13А; 0,2Вт
0.0
MMFT8472DW-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
2817 ₽
Доступность: 570 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "MMFT8472DW, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 60/-50В; 0,115/-0,13А; 0,2Вт" 1.

MMFTC6333, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 2,5/-2А; Idm: 8÷-8А
0.0
MMFTC6333-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,7нC КорпусSOT26 МонтажSMD
8363 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MMFTC6333, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 2,5/-2А; Idm: 8÷-8А" 1.

MMFTC6420, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 3/-2,2А; Idm: 12÷-6А
0.0
MMFTC6420-DIO
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,3нC КорпусSOT26, SOT457 МонтажSMD
13996 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MMFTC6420, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 3/-2,2А; Idm: 12÷-6А" 1.

MMFTN6190KDW, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 1А; Idm: 9,6А; 0,4Вт; SOT363
0.0
MMFTN6190KDW-DIO
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2нC КорпусSOT363
2817 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "MMFTN6190KDW, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 1А; Idm: 9,6А; 0,4Вт; SOT363" 1.

MMFTN620KDW, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,35А; Idm: 0,5А; 0,2Вт; ESD
0.0
MMFTN620KDW-DIO
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT363 МонтажSMD
880 ₽
Доступность: 2960 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "MMFTN620KDW, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,35А; Idm: 0,5А; 0,2Вт; ESD" 1.

MMFTN620KDW-AQ, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,35А; Idm: 0,5А; 0,2Вт; ESD
0.0
MMFTN620KDW-AQ-DIO
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT363 МонтажSMD
2729 ₽
Доступность: 3000 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "MMFTN620KDW-AQ, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,35А; Idm: 0,5А; 0,2Вт; ESD" 1.

MMIX2F60N50P3, Транзистор: N-MOSFET x2; Polar3™; полевой; 500В; 30А; Idm: 150А
0.0
MMIX2F60N50P3
Вид каналаобогащенный Время готовности250нс Заряд затвора96нC КорпусSMPD МонтажSMD
8 05458 ₽
Доступность: 20 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "MMIX2F60N50P3, Транзистор: N-MOSFET x2; Polar3™; полевой; 500В; 30А; Idm: 150А" 1.

Показать еще 24 товара
Категории