Полупроводники :: Транзисторы :: Транзисторы униполярные :: Транзисторы многоканальные

TSM4946DCS RLG, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 4,5А; 1,7Вт; SOP8

0.0

КОД:

TSM4946DCS-RLG

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора30нC КорпусSOP8 МонтажSMD

224⁴³ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "TSM4946DCS RLG, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 4,5А; 1,7Вт; SOP8" 1.

UM6J1NTN, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -200мА; Idm: -0,4А; 150мВт

0.0

КОД:

UM6J1NTN

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусUMT6 МонтажSMD

133⁵² ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "UM6J1NTN, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -200мА; Idm: -0,4А; 150мВт" 1.

UM6K31NFHATCN, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 150мВт; UMT6

0.0

КОД:

UM6K31NFHATCN

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусUMT6 МонтажSMD

64³⁹ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "UM6K31NFHATCN, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 150мВт; UMT6" 1.

UM6K31NTN, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 150мВт; UMT6

0.0

КОД:

UM6K31NTN

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусUMT6 МонтажSMD

72⁹² ^₽

Доступность: 2848 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "UM6K31NTN, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 150мВт; UMT6" 1.

UM6K33NTN, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт

0.0

КОД:

UM6K33NTN

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусUMT6 МонтажSMD

67²³ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "UM6K33NTN, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт" 1.

UM6K34NTCN, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт

0.0

КОД:

UM6K34NTCN

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусUMT6 МонтажSMD

71⁹⁷ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "UM6K34NTCN, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт" 1.

US6J11TR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -12В; -1,3А; Idm: -5,2А; 1Вт; ESD

0.0

КОД:

US6J11TR

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,4нC КорпусTUMT6

116⁴⁸ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "US6J11TR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -12В; -1,3А; Idm: -5,2А; 1Вт; ESD" 1.

US6K1TR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 1,5А; Idm: 6А; 1Вт; TUMT6; ESD

0.0

КОД:

US6K1TR

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,6нC КорпусTUMT6

123¹¹ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "US6K1TR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 1,5А; Idm: 6А; 1Вт; TUMT6; ESD" 1.

US6K2TR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 1,4А; Idm: 5,6А; 1Вт; TUMT6

0.0

КОД:

US6K2TR

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,4нC КорпусTUMT6

112⁶⁹ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "US6K2TR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 1,4А; Idm: 5,6А; 1Вт; TUMT6" 1.

US6K4TR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 1,5А; Idm: 3А; 1Вт; TUMT6; ESD

0.0

КОД:

US6K4TR

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,8нC КорпусTUMT6

139²⁰ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "US6K4TR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 1,5А; Idm: 3А; 1Вт; TUMT6; ESD" 1.

US6M11TR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-12В; 1,5/-1,3А; Idm: 5,2÷6А

0.0

КОД:

US6M11TR

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,8/2,4нC КорпусTUMT6 МонтажSMD

84²⁸ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "US6M11TR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-12В; 1,5/-1,3А; Idm: 5,2÷6А" 1.

US6M1TR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-20В; 1,4/-1А; Idm: 4÷5,6А; 1Вт

0.0

КОД:

US6M1TR

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,4/2,1нC КорпусTUMT6 МонтажSMD

83³³ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "US6M1TR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-20В; 1,4/-1А; Idm: 4÷5,6А; 1Вт" 1.

US6M2TR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-20В; 1,5/-1А; Idm: 4÷6А; 1Вт

0.0

КОД:

US6M2TR

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,6/2,1нC КорпусTUMT6 МонтажSMD

85²³ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "US6M2TR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-20В; 1,5/-1А; Idm: 4÷6А; 1Вт" 1.

UT6JA2TCR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -4А; Idm: -12А; 2Вт

0.0

КОД:

UT6JA2TCR

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,7нC КорпусDFN2020D-8 МонтажSMD

148⁶⁷ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "UT6JA2TCR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -4А; Idm: -12А; 2Вт" 1.

UT6JA3TCR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -5А; Idm: -12А; 2Вт

0.0

КОД:

UT6JA3TCR

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,5нC КорпусDFN2020D-8 МонтажSMD

176¹⁴ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "UT6JA3TCR, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -5А; Idm: -12А; 2Вт" 1.

UT6MA2TCR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 4/-4А; Idm: 12А; 2Вт

0.0

КОД:

UT6MA2TCR

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,3/6,7нC КорпусDFN2020D-8 МонтажSMD

92⁸⁰ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "UT6MA2TCR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 4/-4А; Idm: 12А; 2Вт" 1.

UT6MA3TCR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 5,5/-5А; Idm: 12А; 2Вт

0.0

КОД:

UT6MA3TCR

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4/6,5нC КорпусDFN2020D-8 МонтажSMD

167⁶¹ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "UT6MA3TCR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 5,5/-5А; Idm: 12А; 2Вт" 1.

VT6M1T2CR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 0,1/-0,1А; Idm: 0,4А

0.0

КОД:

VT6M1T2CR

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусVMT6 МонтажSMD

32²⁰ ^₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "VT6M1T2CR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 0,1/-0,1А; Idm: 0,4А" 1.

WM02DH08D, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; SOT363; ESD

0.0

КОД:

WM02DH08D-CYG

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусSOT363 МонтажSMD

63⁴⁵ ^₽

Доступность: 2942 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "WM02DH08D, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; SOT363; ESD" 1.

WM02DN080C, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; DFN2030-6; общий сток; ESD

0.0

КОД:

WM02DN080C-CYG

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Конструкция диодаобщий сток КорпусDFN2030-6

121²¹ ^₽

Доступность: 500 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "WM02DN080C, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; DFN2030-6; общий сток; ESD" 1.

WM02DN085C, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; DFN2030-6; общий сток; ESD

0.0

КОД:

WM02DN085C-CYG

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Конструкция диодаобщий сток КорпусDFN2030-6

121²¹ ^₽

Доступность: 500 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "WM02DN085C, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; DFN2030-6; общий сток; ESD" 1.

WM02DN08D, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; SOT363; ESD

0.0

КОД:

WM02DN08D-CYG

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусSOT363 МонтажSMD

63⁴⁵ ^₽

Доступность: 2875 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "WM02DN08D, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; SOT363; ESD" 1.

WM02DN08T, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; SOT563; ESD

0.0

КОД:

WM02DN08T-CYG

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусSOT563 МонтажSMD

64³⁹ ^₽

Доступность: 3000 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "WM02DN08T, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; SOT563; ESD" 1.

WM02DN095C, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; DFN2030-6; общий сток; ESD

0.0

КОД:

WM02DN095C-CYG

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Конструкция диодаобщий сток КорпусDFN2030-6

121²¹ ^₽

Доступность: 500 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "WM02DN095C, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; DFN2030-6; общий сток; ESD" 1.