UM6J1NTN, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -200мА; Idm: -0,4А; 150мВт

UM6J1NTN
‍118‍ 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
100+
500+
1000+
3000+
6000+
9000+
30000+
Цена
92 ₽
79 ₽
46 ₽
34 ₽
31 ₽
26 ₽
25 ₽
24 ₽
21 ₽
Доступность: Предзаказ
+

Минимальное количество для товара "UM6J1NTN, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -200мА; Idm: -0,4А; 150мВт" 1.

Артикул производителя
UM6J1NTN ROHM SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Версия
ESD
Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Корпус
UMT6
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
-30В
Обозначение производителя
UM6J1NTN
Полярность
полевой
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
0,15Вт
Сопротивление в открытом состоянии
2,4Ом
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Ток стока
-0,2А
Ток стока в импульсном режиме
-400мА

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены