UM6J1NTN, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -200мА; Idm: -0,4А; 150мВт

UM6J1NTN
109.88 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
100+
500+
1000+
3000+
6000+
9000+
30000+
Цена
85.38 ₽
73.52 ₽
42.69 ₽
31.62 ₽
28.46 ₽
24.51 ₽
22.92 ₽
22.13 ₽
19.76 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

+

Минимальное количество для товара "UM6J1NTN, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -200мА; Idm: -0,4А; 150мВт" 1.

Артикул производителя
UM6J1NTN ROHM SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Версия
ESD
Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Корпус
UMT6
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
-30В
Обозначение производителя
UM6J1NTN
Полярность
полевой
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность
0,15Вт
Сопротивление в открытом состоянии
2,4Ом
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Ток стока
-0,2А
Ток стока в импульсном режиме
-400мА

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены