Товары из категории транзисторы npn smd, стр.63

Производитель

Транзисторы NPN SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации сигналов по минусу (low-side switching) в современных электронных устройствах. Используются в миниатюрных платах, системах управления, источниках питания и IoT-устройствах, где важны компактность и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы NPN SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
DXTN07060BFG-7
Вид упаковкибобина, лента Количество в комплекте/упаковке2000шт. КорпусPowerDI®3333-8 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер60В
125.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DXTN07060BFG-7, Транзистор: NPN; биполярный; 60В; 3А; 900мВт; PowerDI®3333-8" 1.

0.0
DXTN07100BFG-7
Вид упаковкибобина, лента Количество в комплекте/упаковке2000шт. КорпусPowerDI®3333-8 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер100В
106.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DXTN07100BFG-7, Транзистор: NPN; биполярный; 100В; 2А; 900мВт; PowerDI®3333-8" 1.

0.0
DXTN07100BP5-13
Вид упаковкибобина, лента Количество в комплекте/упаковке5000шт. КорпусPowerDI®5 Коэффициент усиления по току22...300 МонтажSMD
156.52 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DXTN07100BP5-13, Транзистор: NPN; биполярный; 100В; 2А; PowerDI®5" 1.

0.0
DXTN3C100PSQ-13
Вид упаковкибобина, лента Количество в комплекте/упаковке2500шт. КорпусPowerDI®5060-8 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер100В
122.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DXTN3C100PSQ-13, Транзистор: NPN; биполярный; 100В; 3А; 2,5Вт; PowerDI®5060-8" 1.

0.0
DXTN3C60PSQ-13
Вид упаковкибобина, лента Количество в комплекте/упаковке2500шт. КорпусPowerDI®5060-8 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер60В
109.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DXTN3C60PSQ-13, Транзистор: NPN; биполярный; 60В; 3А; 2,5Вт; PowerDI®5060-8" 1.

0.0
DZT2222A-13
Вид упаковкибобина, лента Количество в комплекте/упаковке2500шт. КорпусSOT223 Коэффициент усиления по току35...300 МонтажSMD
45.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DZT2222A-13, Транзистор: NPN; биполярный; 40В; 0,6А; 830мВт; SOT223" 1.

0.0
DZT5551-13
Вид упаковкибобина, лента Количество в комплекте/упаковке2500шт. КорпусSOT223 Коэффициент усиления по току80...250 МонтажSMD
92.49 
Доступность: 1427 шт.
 

Минимальное количество для товара "DZT5551-13, Транзистор: NPN; биполярный; 160В; 0,6А; 2Вт; SOT223" 1.

0.0
DZT5551Q-13
Вид упаковкибобина, лента Количество в комплекте/упаковке2500шт. КорпусSOT223 Коэффициент усиления по току30...250 МонтажSMD
101.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DZT5551Q-13, Транзистор: NPN; биполярный; 160В; 0,6А; 2Вт; SOT223" 1.

0.0
DZTA42-13
Вид упаковкибобина, лента Количество в комплекте/упаковке2500шт. КорпусSOT223 Коэффициент усиления по току40 МонтажSMD
45.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DZTA42-13, Транзистор: NPN; биполярный; 300В; 0,5А; 2Вт; SOT223" 1.

0.0
DZTA42Q-13
Вид упаковкибобина, лента Количество в комплекте/упаковке2500шт. КорпусSOT223 Коэффициент усиления по току40 МонтажSMD
111.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "DZTA42Q-13, Транзистор: NPN; биполярный; 300В; 0,5А; 2Вт; SOT223" 1.

0.0
EMG11T2R
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT553 Коэффициент усиления по току80 МонтажSMD
35.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EMG11T2R, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 150мВт; SOT553" 1.

0.0
EMG2DXV5T5G
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента Конструкция диодаобщий эмиттер КорпусSOT553 Коэффициент усиления по току80...140
33.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EMG2DXV5T5G, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,23Вт; SOT553" 5.

0.0
EMG2T2R
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT553 Коэффициент усиления по току68 МонтажSMD
32.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EMG2T2R, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 150мВт; SOT553" 1.

0.0
EMG4T2R
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT553 Коэффициент усиления по току100...600 МонтажSMD
52.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EMG4T2R, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 150мВт; SOT553" 1.

0.0
EMG8T2R
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT553 Коэффициент усиления по току80 МонтажSMD
32.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EMG8T2R, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 150мВт; SOT553" 1.

0.0
EMG9T2R
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT553 Коэффициент усиления по току30 МонтажSMD
32.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EMG9T2R, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 150мВт; SOT553" 1.

0.0
EMH10FHAT2R
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 Коэффициент усиления по току80 МонтажSMD
25.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EMH10FHAT2R, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 150мВт; SOT563" 5.

0.0
EMH11FHAT2R
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 Коэффициент усиления по току30 МонтажSMD
35.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EMH11FHAT2R, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 150мВт; SOT563" 1.

0.0
EMH11T2R
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 Коэффициент усиления по току30 МонтажSMD
33.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EMH11T2R, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 150мВт; SOT563" 1.

0.0
EMH1FHAT2R
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 Коэффициент усиления по току56 МонтажSMD
25.30 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EMH1FHAT2R, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 150мВт; SOT563" 5.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (21)
Хиты продаж