Товары из категории транзисторы с каналом p smd, стр.11

Производитель

Транзисторы с каналом P, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации сигналов по положительному проводу (high-side switching) в современных электронных устройствах. Используются в миниатюрных платах, системах управления, импульсных источниках питания и IoT-устройствах, где важны компактность и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом P SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
FDD4141
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусDPAK МонтажSMD
214.73 
Доступность: 1937 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDD4141, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -10,8А; 69Вт; DPAK" 1.

0.0
FDD4243
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора29нC КорпусDPAK МонтажSMD
144.96 
Доступность: 1316 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDD4243, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -14А; 42Вт; DPAK" 1.

0.0
FDD4685
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC КорпусDPAK МонтажSMD
178.29 
Доступность: 893 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDD4685, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -32А; 69Вт; DPAK" 1.

0.0
FDD6637
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора35нC КорпусDPAK МонтажSMD
262.02 
Доступность: 2539 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDD6637, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -35В; -55А; 57Вт; DPAK" 1.

0.0
FDFS2P106A
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
193.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDFS2P106A, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -3А; 1,6Вт; SO8" 1.

0.0
FDMA291P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусMicroFET МонтажSMD
97.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMA291P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6,6А; 2,4Вт; MicroFET" 1.

0.0
FDMA530PZ
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11нC КорпусMicroFET МонтажSMD
167.44 
Доступность: 6 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDMA530PZ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6,8А; 2,4Вт; MicroFET" 1.

0.0
FDMA905P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусWDFN6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
137.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMA905P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -10А; 2,4Вт; WDFN6" 1.

0.0
FDMA908PZ
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34нC КорпусMicroFET
180.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMA908PZ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -12А; Idm: -40А; 2,4Вт; ESD" 1.

0.0
FDMA910PZ
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора29нC КорпусMicroFET МонтажSMD
143.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMA910PZ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -9,4А; Idm: -45А; 2,4Вт" 1.

0.0
FDMC4435BZ
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора53нC КорпусMLP8 МонтажSMD
189.92 
Доступность: 2453 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDMC4435BZ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -18А; 31Вт; MLP8" 1.

0.0
FDMC4D9P20X8
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора109нC КорпусPQFN8 МонтажSMD
148.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMC4D9P20X8, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -47А; Idm: -335А; 40Вт; PQFN8" 1.

0.0
FDMC510P-F106
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора116нC КорпусMLP8 МонтажSMD
194.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMC510P-F106, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -18А; Idm: -50А; 41Вт; MLP8" 1.

0.0
FDMC510P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора116нC КорпусMLP8 МонтажSMD
386.05 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMC510P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -18А; 41Вт; MLP8" 1.

0.0
FDMC5614P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусWDFN8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
179.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMC5614P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -13,5А; 42Вт; WDFN8" 1.

0.0
FDMC610P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора99нC КорпусPower33 МонтажSMD
316.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMC610P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -80А; Idm: -200А; 48Вт; Power33" 1.

0.0
FDMC6675BZ
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора65нC КорпусWDFN8 МонтажSMD
227.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMC6675BZ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -20А; Idm: -32А; 36Вт; WDFN8" 1.

0.0
FDMC6686P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора122нC КорпусPower33 МонтажSMD
240.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMC6686P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -56А; Idm: -377А; 40Вт; Power33" 1.

0.0
FDMC86139P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусWDFN8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В
257.36 
Доступность: 1500 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDMC86139P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -15А; 40Вт; WDFN8" 1.

0.0
FDMC86259P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC КорпусPower33 МонтажSMD
376.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMC86259P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -13А; Idm: -20А; 62Вт; Power33" 1.

0.0
FDMC86261P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC КорпусPower33 МонтажSMD
310.08 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMC86261P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -9А; Idm: -20А; 40Вт; Power33" 1.

0.0
FDMC86265P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4нC КорпусPower33 МонтажSMD
200.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMC86265P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -1,65А; Idm: -9А; 16Вт" 1.

0.0
FDME510PZT
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусMicroFET МонтажSMD
127.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDME510PZT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6А; Idm: -15А; 2,1Вт; MicroFET" 1.

0.0
FDME905PT
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусMicroFET МонтажSMD
162.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDME905PT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -8А; Idm: -30А; 2,1Вт; MicroFET" 1.

0.0
FDME910PZT
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусuDFN6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
127.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDME910PZT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -8А; 2,1Вт; uDFN6" 1.

0.0
FDMS4435BZ
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора47нC КорпусPower56 МонтажSMD
178.29 
Доступность: 2347 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDMS4435BZ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -18А; Idm: -50А; 39Вт; Power56" 1.

0.0
FDMS6673BZ
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора130нC КорпусPower56 МонтажSMD
240.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMS6673BZ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -52А; Idm: -422А; 73Вт; Power56" 1.

0.0
FDMS86163P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора59нC КорпусPQFN8 МонтажSMD
536.43 
Доступность: 3158 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDMS86163P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -50А; 104Вт; PQFN8" 1.

0.0
FDMS86263P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора63нC КорпусPower56 МонтажSMD
531.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDMS86263P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -4,4А; Idm: -70А; 2,5Вт" 1.

0.0
FDN302P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусSuperSOT-3 МонтажSMD
79.84 
Доступность: 1914 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDN302P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,4А; 0,5Вт; SuperSOT-3" 1.

0.0
FDN304P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусSOT23 МонтажSMD
106.98 
Доступность: 6876 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDN304P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,4А; 0,5Вт; SOT23" 1.

0.0
FDN304PZ
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусSuperSOT-3 МонтажSMD
106.98 
Доступность: 2094 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDN304PZ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,4А; 0,5Вт; SuperSOT-3" 1.

0.0
FDN306P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC КорпусSuperSOT-3 МонтажSMD
65.12 
Доступность: 2769 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDN306P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -2,6А; 0,5Вт; SuperSOT-3" 1.

0.0
FDN336P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5нC КорпусSuperSOT-3 МонтажSMD
78.29 
Доступность: 479 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDN336P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,3А; 0,5Вт; SuperSOT-3" 1.

0.0
FDN338P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,2нC КорпусSuperSOT-3 МонтажSMD
83.72 
Доступность: 2198 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDN338P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,6А; 0,5Вт; SuperSOT-3" 1.

0.0
FDN340P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSuperSOT-3 МонтажSMD
60.47 
Доступность: 1145 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDN340P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2А; Idm: -10А; 0,5Вт" 1.

0.0
FDN352AP
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,9нC КорпусSuperSOT-3 МонтажSMD
84.50 
Доступность: 3000 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDN352AP, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -1,3А; 0,5Вт; SuperSOT-3" 1.

0.0
FDN358P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,6нC КорпусSuperSOT-3 МонтажSMD
89.15 
Доступность: 826 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDN358P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -1,5А; 0,5Вт; SuperSOT-3" 1.

0.0
FDN360P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9нC КорпусSuperSOT-3 МонтажSMD
89.15 
Доступность: 7493 шт.
 

Минимальное количество для товара "FDN360P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2А; 0,5Вт; SuperSOT-3" 1.

0.0
FDN86265P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSuperSOT-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В
80.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "FDN86265P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -0,8А; 1,5Вт; SuperSOT-3" 3000.

Показать еще 40 товаров
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж