Товары из категории транзисторы с каналом p smd, стр.22

Производитель

Транзисторы с каналом P, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации сигналов по положительному проводу (high-side switching) в современных электронных устройствах. Используются в миниатюрных платах, системах управления, импульсных источниках питания и IoT-устройствах, где важны компактность и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом P SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
FDMC86261P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC КорпусPower33 МонтажSMD
316.21 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FDMC86261P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -9А; Idm: -20А; 40Вт; Power33" 1.

0.0
FDMC86265P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4нC КорпусPower33 МонтажSMD
203.95 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FDMC86265P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -1,65А; Idm: -9А; 16Вт" 1.

0.0
FDME510PZT
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусMicroFET МонтажSMD
129.64 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FDME510PZT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6А; Idm: -15А; 2,1Вт; MicroFET" 1.

0.0
FDME905PT
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусMicroFET МонтажSMD
165.22 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FDME905PT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -8А; Idm: -30А; 2,1Вт; MicroFET" 1.

0.0
FDME910PZT
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусuDFN6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
129.64 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FDME910PZT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -8А; 2,1Вт; uDFN6" 1.

0.0
FDMS4435BZ
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора47нC КорпусPower56 МонтажSMD
181.82 
Доступность: 2347 шт.
+

Минимальное количество для товара "FDMS4435BZ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -18А; Idm: -50А; 39Вт; Power56" 1.

0.0
FDMS6673BZ
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора130нC КорпусPower56 МонтажSMD
245.06 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FDMS6673BZ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -52А; Idm: -422А; 73Вт; Power56" 1.

0.0
FDMS86163P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора59нC КорпусPQFN8 МонтажSMD
547.04 
Доступность: 3158 шт.
+

Минимальное количество для товара "FDMS86163P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -50А; 104Вт; PQFN8" 1.

0.0
FDMS86263P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора63нC КорпусPower56 МонтажSMD
542.29 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FDMS86263P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -4,4А; Idm: -70А; 2,5Вт" 1.

0.0
FDN302P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусSuperSOT-3 МонтажSMD
81.42 
Доступность: 1964 шт.
+

Минимальное количество для товара "FDN302P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,4А; 0,5Вт; SuperSOT-3" 1.

0.0
FDN304P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусSOT23 МонтажSMD
109.09 
Доступность: 5389 шт.
+

Минимальное количество для товара "FDN304P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,4А; 0,5Вт; SOT23" 1.

0.0
FDN304PZ
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусSuperSOT-3 МонтажSMD
109.09 
Доступность: 2094 шт.
+

Минимальное количество для товара "FDN304PZ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,4А; 0,5Вт; SuperSOT-3" 1.

0.0
FDN306P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17нC КорпусSuperSOT-3 МонтажSMD
66.40 
Доступность: 3944 шт.
+

Минимальное количество для товара "FDN306P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -2,6А; 0,5Вт; SuperSOT-3" 1.

0.0
FDN336P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5нC КорпусSuperSOT-3 МонтажSMD
79.84 
Доступность: 982 шт.
+

Минимальное количество для товара "FDN336P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,3А; 0,5Вт; SuperSOT-3" 1.

0.0
FDN338P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,2нC КорпусSuperSOT-3 МонтажSMD
85.38 
Доступность: 5203 шт.
+

Минимальное количество для товара "FDN338P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,6А; 0,5Вт; SuperSOT-3" 1.

0.0
FDN340P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSuperSOT-3 МонтажSMD
61.66 
Доступность: 2910 шт.
+

Минимальное количество для товара "FDN340P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2А; Idm: -10А; 0,5Вт" 1.

0.0
FDN352AP
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,9нC КорпусSuperSOT-3 МонтажSMD
86.17 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FDN352AP, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -1,3А; 0,5Вт; SuperSOT-3" 1.

0.0
FDN358P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,6нC КорпусSuperSOT-3 МонтажSMD
90.91 
Доступность: 1406 шт.
+

Минимальное количество для товара "FDN358P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -1,5А; 0,5Вт; SuperSOT-3" 1.

0.0
FDN360P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9нC КорпусSuperSOT-3 МонтажSMD
90.91 
Доступность: 2263 шт.
+

Минимальное количество для товара "FDN360P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2А; 0,5Вт; SuperSOT-3" 1.

0.0
FDN86265P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSuperSOT-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В
82.21 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "FDN86265P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -150В; -0,8А; 1,5Вт; SuperSOT-3" 3000.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (22)
Хиты продаж