Москва
 
+7(993)080-09-37
0Корзина

Транзисторы с каналом P SMD

Производитель
Сортировать по:
От А до Я
Показать:
40
SIA483DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -12А; Idm: -40А; 12Вт
0.0
SIA483DJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC КорпусPowerPAK® SC70 МонтажSMD
‍120‍ ₽
Доступность: 2780 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SIA483DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -12А; Idm: -40А; 12Вт" 1.

SIA485DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -150В; -1,6А; Idm: -2А
0.0
SIA485DJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,3нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍48‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIA485DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -150В; -1,6А; Idm: -2А" 3000.

SIA811ADJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; -20В; -4,5А
0.0
SIA811ADJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
‍51‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIA811ADJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; -20В; -4,5А" 3000.

SIA817EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; -30В; -4,5А
0.0
SIA817EDJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
‍36‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIA817EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; -30В; -4,5А" 3000.

SIA921EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,5А; Idm: -15А; 5Вт
0.0
SIA921EDJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC КорпусPowerPAK® SC70 МонтажSMD
‍136‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIA921EDJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,5А; Idm: -15А; 5Вт" 1.

SIA929DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,5А; Idm: -15А; 5Вт
0.0
SIA929DJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусPowerPAK® SC70 МонтажSMD
‍138‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIA929DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,5А; Idm: -15А; 5Вт" 1.

SIA975DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -4,5А; Idm: -15А; 5Вт
0.0
SIA975DJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26нC КорпусPowerPAK® SC70 МонтажSMD
‍164‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIA975DJ-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -4,5А; Idm: -15А; 5Вт" 1.

SIB417EDK-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -8В; -9А; Idm: -15А; 13Вт
0.0
SIB417EDK-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±5В
‍47‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIB417EDK-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -8В; -9А; Idm: -15А; 13Вт" 3000.

SIB433EDK-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -9А; Idm: -20А
0.0
SIB433EDK-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
‍43‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIB433EDK-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -9А; Idm: -20А" 3000.

SIB441EDK-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -9А; Idm: -40А
0.0
SIB441EDK-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора33нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
‍35‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIB441EDK-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -12В; -9А; Idm: -40А" 3000.

SIB457EDK-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6,8А; Idm: -25А; 8,4Вт; ESD
0.0
SIB457EDK-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC КорпусPowerPAK® SC75
‍114‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIB457EDK-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6,8А; Idm: -25А; 8,4Вт; ESD" 1.

SIHF9520S-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -4,8А; Idm: -27А; 60Вт
0.0
SIHF9520S-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
‍194‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIHF9520S-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -4,8А; Idm: -27А; 60Вт" 1.

SIHF9530S-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -8,2А; Idm: -48А; 88Вт
0.0
SIHF9530S-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
‍144‍ ₽
Доступность: 938 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SIHF9530S-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -8,2А; Idm: -48А; 88Вт" 1.

SIHF9640S-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт
0.0
SIHF9640S-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
‍338‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIHF9640S-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт" 1.

SIHF9Z34STRL-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -13А; Idm: -72А; 88Вт
0.0
SIHF9Z34STRL-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
‍266‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIHF9Z34STRL-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -13А; Idm: -72А; 88Вт" 1.

SIHFR9014-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -3,2А; Idm: -20А; 25Вт
0.0
SIHFR9014-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
‍141‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIHFR9014-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -3,2А; Idm: -20А; 25Вт" 1.

SIHFR9014TR-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -3,2А; Idm: -20А; 25Вт
0.0
SIHFR9014TR-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
‍141‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIHFR9014TR-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -3,2А; Idm: -20А; 25Вт" 1.

SIHFR9014TRL-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -3,2А; Idm: -20А; 25Вт
0.0
SIHFR9014TRL-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
‍141‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIHFR9014TRL-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -3,2А; Idm: -20А; 25Вт" 1.

SIHFR9020TR-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -50В; -6,3А; Idm: -40А; 42Вт
0.0
SIHFR9020TR-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
‍142‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIHFR9020TR-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -50В; -6,3А; Idm: -40А; 42Вт" 1.

SIHFR9024-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -5,6А; Idm: -35А; 42Вт
0.0
SIHFR9024-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
‍141‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIHFR9024-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -5,6А; Idm: -35А; 42Вт" 1.

SIHFR9024TR-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -5,6А; Idm: -35А; 42Вт
0.0
SIHFR9024TR-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
‍188‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIHFR9024TR-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -5,6А; Idm: -35А; 42Вт" 1.

SIHFR9110TR-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -2А; Idm: -12А; 25Вт
0.0
SIHFR9110TR-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,7нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
‍141‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIHFR9110TR-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -2А; Idm: -12А; 25Вт" 1.

SIHFR9110TRL-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -2А; Idm: -12А; 25Вт
0.0
SIHFR9110TRL-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,7нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
‍141‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIHFR9110TRL-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -2А; Idm: -12А; 25Вт" 1.

SIHFR9120-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -5,6А; Idm: -22А; 42Вт
0.0
SIHFR9120-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
‍153‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIHFR9120-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -5,6А; Idm: -22А; 42Вт" 1.

SIHFR9120TR-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -5,6А; Idm: -22А; 42Вт
0.0
SIHFR9120TR-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
‍139‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIHFR9120TR-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -5,6А; Idm: -22А; 42Вт" 1.

SIHFR9210TR-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -1,2А; Idm: -7,6А; 25Вт
0.0
SIHFR9210TR-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,9нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
‍142‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIHFR9210TR-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -1,2А; Idm: -7,6А; 25Вт" 1.

SIHFR9214-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -250В; -1,7А; Idm: -11А; 50Вт
0.0
SIHFR9214-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
‍141‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIHFR9214-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -250В; -1,7А; Idm: -11А; 50Вт" 1.

SIHFR9214TR-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -250В; -1,7А; Idm: -11А; 50Вт
0.0
SIHFR9214TR-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
‍141‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIHFR9214TR-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -250В; -1,7А; Idm: -11А; 50Вт" 1.

SIHFR9220-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -2,3А; Idm: -14А; 42Вт
0.0
SIHFR9220-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
‍166‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIHFR9220-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -2,3А; Idm: -14А; 42Вт" 1.

SIHFR9220TR-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -2,3А; Idm: -14А; 42Вт
0.0
SIHFR9220TR-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
‍142‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIHFR9220TR-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -2,3А; Idm: -14А; 42Вт" 1.

SIHFR9220TRL-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -2,3А; Idm: -14А; 42Вт
0.0
SIHFR9220TRL-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
‍142‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIHFR9220TRL-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -2,3А; Idm: -14А; 42Вт" 1.

SIHFR9220TRR-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -2,3А; Idm: -14А; 42Вт
0.0
SIHFR9220TRR-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
‍142‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIHFR9220TRR-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -2,3А; Idm: -14А; 42Вт" 1.

SIHFR9310-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -1,1А; Idm: -7,2А; 50Вт
0.0
SIHFR9310-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
‍163‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIHFR9310-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -1,1А; Idm: -7,2А; 50Вт" 1.

SIHFR9310TR-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -1,1А; Idm: -7,2А; 50Вт
0.0
SIHFR9310TR-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
‍256‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIHFR9310TR-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -1,1А; Idm: -7,2А; 50Вт" 1.

SIHFR9310TRL-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -1,1А; Idm: -7,2А; 50Вт
0.0
SIHFR9310TRL-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
‍175‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIHFR9310TRL-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -1,1А; Idm: -7,2А; 50Вт" 1.

SIJ4819DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -80В; -62А; Idm: -145А
0.0
SIJ4819DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора69нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
‍265‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIJ4819DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -80В; -62А; Idm: -145А" 3000.

SIR1309DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -65,7А; Idm: -150А
0.0
SIR1309DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора87нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍76‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR1309DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -65,7А; Idm: -150А" 3000.

SIR165DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -60А; Idm: -120А
0.0
SIR165DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора138нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍161‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR165DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -60А; Idm: -120А" 3000.

SIR167DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -60А; Idm: -120А
0.0
SIR167DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора111нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍102‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR167DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -60А; Idm: -120А" 3000.

SIR401DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -50А; Idm: -80А
0.0
SIR401DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора310нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
‍110‍ ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SIR401DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -50А; Idm: -80А" 3000.

Показать еще 40 товаров
Категории
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (22)