Товары из категории транзисторы с каналом p smd, стр.3

Производитель

Транзисторы с каналом P, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации сигналов по положительному проводу (high-side switching) в современных электронных устройствах. Используются в миниатюрных платах, системах управления, импульсных источниках питания и IoT-устройствах, где важны компактность и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом P SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
AOD423
Вид каналаобогащенный Заряд затвора45нC КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В
71.94 
Доступность: 2404 шт.
+

Минимальное количество для товара "AOD423, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -67А; 45Вт; TO252" 1.

0.0
AON2405
Вид каналаобогащенный Заряд затвора13нC КорпусDFN6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
19.76 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AON2405, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6А; 1,8Вт; DFN6" 3000.

0.0
AON2411
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Заряд затвора20нC КорпусDFN2x2C МонтажSMD
39.53 
Доступность: 1951 шт.
+

Минимальное количество для товара "AON2411, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -15,5А; 3,2Вт; DFN2x2C; ESD" 3.

0.0
AON4421
Вид каналаобогащенный Заряд затвора17,6нC КорпусDFN8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
41.11 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AON4421, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6А; 1,6Вт; DFN8" 3000.

0.0
AON4703
Вид каналаобогащенный Заряд затвора6,1нC КорпусDFN8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
54.55 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AON4703, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,7А; 1,1Вт; DFN8" 3.

0.0
AON6403
Вид каналаобогащенный Заряд затвора163нC КорпусDFN5x6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
150.20 
Доступность: 420 шт.
+

Минимальное количество для товара "AON6403, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6" 1.

0.0
AON6407
Вид каналаобогащенный Заряд затвора75нC КорпусDFN5x6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В
154.15 
Доступность: 1657 шт.
+

Минимальное количество для товара "AON6407, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6" 1.

0.0
AON6411
Вид каналаобогащенный Заряд затвора0,1мкC КорпусDFN5x6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
166.01 
Доступность: 2900 шт.
+

Минимальное количество для товара "AON6411, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -67А; 62,5Вт; DFN5x6" 1.

0.0
AON6435
Вид каналаобогащенный Заряд затвора10нC КорпусDFN5x6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В
27.67 
Доступность: 1477 шт.
+

Минимальное количество для товара "AON6435, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -21,5А; 12,5Вт; DFN5x6" 3.

0.0
AON7407
Вид каналаобогащенный Заряд затвора44нC КорпусDFN3x3 EP МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
129.64 
Доступность: 3997 шт.
+

Минимальное количество для товара "AON7407, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -29А; 12Вт; DFN3x3 EP" 1.

0.0
AON7423
Вид каналаобогащенный Заряд затвора70нC КорпусDFN3.3x3.3 EP МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
117.79 
Доступность: 3384 шт.
+

Минимальное количество для товара "AON7423, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -39А; 33Вт; DFN3.3x3.3 EP" 1.

0.0
AONR21117
Вид каналаобогащенный Заряд затвора88нC КорпусDFN8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
56.13 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AONR21117, Транзистор: P-MOSFET; полевой; 20В; 26,5А; 5Вт; DFN8" 5000.

0.0
AONR21305C
Вид каналаобогащенный МонтажSMD Обозначение производителяAONR21305C Полярностьполевой ПроизводительALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
38.74 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AONR21305C, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 5000.

0.0
AONR21311C
Вид каналаобогащенный МонтажSMD Обозначение производителяAONR21311C Полярностьполевой ПроизводительALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
49.01 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AONR21311C, Транзистор: P-MOSFET; полевой" 5000.

0.0
AONS21113
Вид каналаобогащенный МонтажSMD Обозначение производителяAONS21113 Полярностьполевой ПроизводительALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
80.63 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AONS21113, Транзистор: P-MOSFET; полевой" 3000.

0.0
AONS21307
Вид каналаобогащенный Заряд затвора17нC КорпусDFN5x6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В
26.09 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AONS21307, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -24А; 15Вт; DFN5x6" 3000.

0.0
AONS21309C
Вид каналаобогащенный МонтажSMD Обозначение производителяAONS21309C Полярностьполевой ПроизводительALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
60.08 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AONS21309C, Транзистор: P-MOSFET; полевой" 3000.

0.0
AONS21321
Вид каналаобогащенный Заряд затвора11нC КорпусDFN5x6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В
22.92 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AONS21321, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -20А; 9,8Вт; DFN5x6" 3000.

0.0
AONS21357
Вид каналаобогащенный Заряд затвора25нC КорпусDFN5x6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В
109.09 
Доступность: 2990 шт.
+

Минимальное количество для товара "AONS21357, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -36А; 19Вт; DFN5x6" 1.

0.0
AOSN21319C
Вид каналаобогащенный МонтажSMD Обозначение производителяAOSN21319C Полярностьполевой ПроизводительALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
24.51 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "AOSN21319C, Транзистор: P-MOSFET; полевой" 3000.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (22)
Хиты продаж