Товары из категории транзисторы с каналом p smd, стр.52

Производитель

Транзисторы с каналом P, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации сигналов по положительному проводу (high-side switching) в современных электронных устройствах. Используются в миниатюрных платах, системах управления, импульсных источниках питания и IoT-устройствах, где важны компактность и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом P SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
SIHFR9024TR-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
175.49 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SIHFR9024TR-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -5,6А; Idm: -35А; 42Вт" 1.

0.0
SIHFR9110TR-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,7нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
131.23 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SIHFR9110TR-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -2А; Idm: -12А; 25Вт" 1.

0.0
SIHFR9110TRL-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,7нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
131.23 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SIHFR9110TRL-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -2А; Idm: -12А; 25Вт" 1.

0.0
SIHFR9120-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
142.29 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SIHFR9120-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -5,6А; Idm: -22А; 42Вт" 1.

0.0
SIHFR9120TR-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
129.64 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SIHFR9120TR-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -5,6А; Idm: -22А; 42Вт" 1.

0.0
SIHFR9210TR-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,9нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
132.02 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SIHFR9210TR-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -1,2А; Idm: -7,6А; 25Вт" 1.

0.0
SIHFR9214-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
131.23 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SIHFR9214-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -250В; -1,7А; Idm: -11А; 50Вт" 1.

0.0
SIHFR9214TR-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
131.23 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SIHFR9214TR-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -250В; -1,7А; Idm: -11А; 50Вт" 1.

0.0
SIHFR9220-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
154.15 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SIHFR9220-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -2,3А; Idm: -14А; 42Вт" 1.

0.0
SIHFR9220TR-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
132.02 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SIHFR9220TR-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -2,3А; Idm: -14А; 42Вт" 1.

0.0
SIHFR9220TRL-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
132.02 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SIHFR9220TRL-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -2,3А; Idm: -14А; 42Вт" 1.

0.0
SIHFR9220TRR-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
132.02 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SIHFR9220TRR-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -2,3А; Idm: -14А; 42Вт" 1.

0.0
SIHFR9310-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
151.78 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SIHFR9310-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -1,1А; Idm: -7,2А; 50Вт" 1.

0.0
SIHFR9310TR-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
238.74 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SIHFR9310TR-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -1,1А; Idm: -7,2А; 50Вт" 1.

0.0
SIHFR9310TRL-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
162.85 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SIHFR9310TRL-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -1,1А; Idm: -7,2А; 50Вт" 1.

0.0
SIJ4819DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора69нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
246.64 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SIJ4819DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -80В; -62А; Idm: -145А" 3000.

0.0
SIR1309DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора87нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
71.15 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SIR1309DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -65,7А; Idm: -150А" 3000.

0.0
SIR165DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора138нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
150.20 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SIR165DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -60А; Idm: -120А" 3000.

0.0
SIR167DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора111нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
94.86 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SIR167DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -60А; Idm: -120А" 3000.

0.0
SIR401DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора310нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
102.77 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "SIR401DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -50А; Idm: -80А" 3000.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (22)
Хиты продаж