Товары из категории транзисторы с каналом p smd, стр.8

Производитель

Транзисторы с каналом P, SMD (Surface Mount Device) — это полупроводниковые приборы для поверхностного монтажа, предназначенные для коммутации сигналов по положительному проводу (high-side switching) в современных электронных устройствах. Используются в миниатюрных платах, системах управления, импульсных источниках питания и IoT-устройствах, где важны компактность и высокая плотность сборки.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом P SMD от проверенных производителей: KEFA, Nexperia, ON Semiconductor, Infineon, Diodes Inc., Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
BXT1100P02M
Вид каналаобогащенный МонтажSMD Обозначение производителяBXT1100P02M Полярностьполевой ПроизводительBRIDGELUX
62.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BXT1100P02M, Транзистор: P-MOSFET; полевой" 1.

0.0
BXT110P03E
Вид каналаобогащенный МонтажSMD Обозначение производителяBXT110P03E Полярностьполевой ПроизводительBRIDGELUX
79.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BXT110P03E, Транзистор: P-MOSFET; полевой" 1.

0.0
BXT1700P06M
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22нC КорпусSOT23-3 МонтажSMD
33.33 
Доступность: 2058 шт.
 

Минимальное количество для товара "BXT1700P06M, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,8А; Idm: -16А; 1,5Вт" 1.

0.0
BXT230P03B
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28нC КорпусSOP8 МонтажSMD
46.51 
Доступность: 1974 шт.
 

Минимальное количество для товара "BXT230P03B, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -7А; Idm: -40А; 3,9Вт; SOP8" 1.

0.0
BXT350P02M
Вид каналаобогащенный МонтажSMD Обозначение производителяBXT350P02M Полярностьполевой ПроизводительBRIDGELUX
59.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BXT350P02M, Транзистор: P-MOSFET; полевой" 1.

0.0
BXT3800P06M
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11нC КорпусSOT23-3 МонтажSMD
39.53 
Доступность: 6653 шт.
 

Минимальное количество для товара "BXT3800P06M, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,1А; Idm: -12А; 1,2Вт" 1.

0.0
BXT520P02M
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
28.68 
Доступность: 54 шт.
 

Минимальное количество для товара "BXT520P02M, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,2А; Idm: -15А; 1,25Вт" 1.

0.0
BXT600P03M
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,8нC КорпусSOT23-3 МонтажSMD
36.43 
Доступность: 2350 шт.
 

Минимальное количество для товара "BXT600P03M, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,7А; Idm: -16,4А; 1,51Вт" 1.

0.0
BXT900P06D
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Обозначение производителяBXT900P06D
93.02 
Доступность: 2490 шт.
 

Минимальное количество для товара "BXT900P06D, Транзистор: P-MOSFET; полевой; TO252" 1.

0.0
CPH6337TLW-ONS
Обозначение производителяCPH6337-TL-W ПроизводительONSEMI Тип транзистораP-MOSFET
32.56 
Доступность: 2639 шт.
 

Минимальное количество для товара "CPH6337-TL-W, Транзистор: P-MOSFET" 376.

0.0
CPH6341-TL-W
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSOT26
94.57 
Доступность: 264 шт.
 

Минимальное количество для товара "CPH6341-TL-W, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -5А; Idm: -20А; 1,6Вт; SOT26" 1.

0.0
CPH6350-TL-W
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусSOT23 МонтажSMD
82.17 
Доступность: 2573 шт.
 

Минимальное количество для товара "CPH6350-TL-W, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6А; Idm: -24А; 1,6Вт; SOT23" 1.

0.0
CSD22204WT
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDSBGA9 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В
241.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD22204WT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -5А; Idm: -80А; 1,7Вт; DSBGA9" 1.

0.0
CSD22205LT
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В
103.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD22205LT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -7,4А; Idm: -71А; 0,6Вт" 1.

0.0
CSD22206WT
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDSBGA9 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В
260.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD22206WT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -5А; Idm: -108А; 1,7Вт; DSBGA9" 1.

0.0
CSD23202W10T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDSBGA4 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В
196.12 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD23202W10T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -2,2А; Idm: -25А; 1Вт; DSBGA4" 1.

0.0
CSD23203WT
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDSBGA6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В
139.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD23203WT, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -8В; -3А; Idm: -54А; 0,75Вт; DSBGA6" 1.

0.0
CSD23280F3T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В
135.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD23280F3T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; 2,9А; Idm: 11,4А; 1,4Вт" 1.

0.0
CSD23285F5T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В
221.71 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD23285F5T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -5,4А; Idm: -31А; 1,4Вт" 1.

0.0
CSD23381F4T
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусPICOSTAR3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
168.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "CSD23381F4T, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -2,3А; Idm: -9А; 500мВт" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (22)
Хиты продаж