Полупроводники :: Транзисторы :: Транзисторы униполярные :: Транзисторы с каналом типа P :: Транзисторы с каналом P SMD

SUM60061EL-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -80В; -150А; Idm: -250А

0.0

КОД:

SUM60061EL-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора218нC КорпусTO263 МонтажSMD

755⁶⁸ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SUM60061EL-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -80В; -150А; Idm: -250А" 1.

SUM70101EL-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -100В; -120А; Idm: -240А

0.0

КОД:

SUM70101EL-GE3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,19мкC КорпусTO263 МонтажSMD

592⁸⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "SUM70101EL-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -100В; -120А; Idm: -240А" 1.

SUM90P10-19L-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -90А; Idm: -90А; 125Вт

0.0

КОД:

SUM90P10-19L-E3

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора326нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD

819¹³ ^₽

Доступность: 622 шт.

Минимальное количество для товара "SUM90P10-19L-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -90А; Idm: -90А; 125Вт" 1.

TJ15S06M3L(T6L1,NQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -15А; 41Вт; DPAK; ESD

0.0

КОД:

TJ15S06M3L

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора36нC КорпусDPAK

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "TJ15S06M3L(T6L1,NQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -15А; 41Вт; DPAK; ESD" 1.

TJ30S06M3L,LXHQ(O, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -30А; 68Вт; DPAK; ESD

0.0

КОД:

TJ30S06M3L

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора80нC КорпусDPAK

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "TJ30S06M3L,LXHQ(O, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -30А; 68Вт; DPAK; ESD" 1.

TJ60S06M3L(T6L1,NQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -60А; Idm: -120А; 100Вт; DPAK

0.0

КОД:

TJ60S06M3L

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора156нC КорпусDPAK

246²¹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "TJ60S06M3L(T6L1,NQ, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -60А; Idm: -120А; 100Вт; DPAK" 1.

TP0610K-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -0,115А; 0,14Вт

0.0

КОД:

TP0610K-T1-GE3

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,7нC КорпусSOT23

75⁷⁶ ^₽

Доступность: 590 шт.

Минимальное количество для товара "TP0610K-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -0,115А; 0,14Вт" 1.

TP0610T-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,05А; SOT23-3

0.0

КОД:

TP0610T-G

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

250⁹⁵ ^₽

Доступность: 262 шт.

Минимальное количество для товара "TP0610T-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,05А; SOT23-3" 1.

TP2104K1-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -160мА; Idm: -0,8А; 360мВт

0.0

КОД:

TP2104K1-G

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

204⁵⁵ ^₽

Доступность: 274 шт.

Минимальное количество для товара "TP2104K1-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -160мА; Idm: -0,8А; 360мВт" 1.

TP2435N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -350В; -0,8А; 1,6Вт; SOT89-3

0.0

КОД:

TP2435N8-G

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "TP2435N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -350В; -0,8А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

TP2502N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2А; 1,6Вт; SOT89-3

0.0

КОД:

TP2502N8-G

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

298³⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "TP2502N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

TP2510N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -1,5А; 1,6Вт; SOT89-3

0.0

КОД:

TP2510N8-G

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

272⁷³ ^₽

Доступность: 496 шт.

Минимальное количество для товара "TP2510N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -1,5А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

TP2520N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -0,75А; 1,6Вт; SOT89-3

0.0

КОД:

TP2520N8-G

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

302⁰⁸ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "TP2520N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -0,75А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

TP2522N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -220В; -0,75А; 1,6Вт; SOT89-3

0.0

КОД:

TP2522N8-G

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

336¹⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "TP2522N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -220В; -0,75А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

TP2540N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -125мА; Idm: -1,2А; 1,6Вт

0.0

КОД:

TP2540N8-G

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

302⁰⁸ ^₽

Доступность: 288 шт.

Минимальное количество для товара "TP2540N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -125мА; Idm: -1,2А; 1,6Вт" 1.

TP2640LG-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -0,7А; 740мВт; SO8

0.0

КОД:

TP2640LG-G

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

445⁰⁸ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "TP2640LG-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -0,7А; 740мВт; SO8" 1.

TP5322K1-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -220В; -0,7А; 360мВт; SOT23-3

0.0

КОД:

TP5322K1-G

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

146⁷⁸ ^₽

Доступность: 86 шт.

Минимальное количество для товара "TP5322K1-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -220В; -0,7А; 360мВт; SOT23-3" 1.

TP5322N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -220В; -0,7А; 1,6Вт; SOT89-3

0.0

КОД:

TP5322N8-G

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

159⁰⁹ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "TP5322N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -220В; -0,7А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

TP5335K1-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -350В; -0,4А; 360мВт; SOT23-3

0.0

КОД:

TP5335K1-G

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В

164⁷⁷ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "TP5335K1-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -350В; -0,4А; 360мВт; SOT23-3" 1.

TPC8124(TE12L,V,M), Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -12А; 1,9Вт; SOP8

0.0

КОД:

TPC8124

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора104нC КорпусSOP8 МонтажSMD

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "TPC8124(TE12L,V,M), Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -12А; 1,9Вт; SOP8" 1.

TPC8125,LQ(S, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -10А; 1Вт; SOP8

0.0

КОД:

TPC8125

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора64нC КорпусSOP8 МонтажSMD

159⁰⁹ ^₽

Доступность: 1662 шт.

Минимальное количество для товара "TPC8125,LQ(S, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -10А; 1Вт; SOP8" 1.

TPS1100D, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -15В; -0,72А; Idm: 7А; SO8; ESD

0.0

КОД:

TPS1100D

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора5,45нC КорпусSO8

368³⁷ ^₽

Доступность: 66 шт.

Минимальное количество для товара "TPS1100D, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -15В; -0,72А; Idm: 7А; SO8; ESD" 1.

TQM84KCU RFG, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -160мА; 300мВт; SOT323

0.0

КОД:

TQM84KCU-RFG

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора1,9нC КорпусSOT323 МонтажSMD

99⁴³ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "TQM84KCU RFG, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -160мА; 300мВт; SOT323" 1.

TQM84KCX RFG, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -190мА; 403мВт; SOT23

0.0

КОД:

TQM84KCX-RFG

Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента Заряд затвора1,9нC КорпусSOT23 МонтажSMD

92⁸⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "TQM84KCX RFG, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -190мА; 403мВт; SOT23" 1.