Товары из категории транзисторы с каналом типа n, стр.45

Производитель

Транзисторы с каналом типа N — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и коммутации электрических сигналов в цепях постоянного тока. Используются как электронные ключи в системах управления, источниках питания, драйверах двигателей, интерфейсах ПЛК и HMI.

В каталоге 7-el.ru — транзисторы с каналом типа N от проверенных производителей: KEFA, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Infineon, Nexperia, Rexant. Гарантия качества, полная совместимость и быстрая доставка по всей России.

0.0
BSC097N06NSATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
51.38 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSC097N06NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 46А; 36Вт; PG-TDSON-8" 5000.

0.0
BSC100N03MSGATMA1
Вид каналаобогащенный Заряд затвора5,8нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
42.69 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSC100N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 28А; Idm: 176А; 30Вт; PG-TDSON-8" 5000.

0.0
BSC100N06LS3GATMA1
Вид каналаобогащенный Заряд затвора45нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
183.40 
Доступность: 2591 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSC100N06LS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 36А; Idm: 200А; 50Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC110N06NS3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
48.22 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSC110N06NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; 50Вт; PG-TDSON-8" 5000.

0.0
BSC120N03LSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
94.07 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSC120N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 33А; 28Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC120N03MSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
56.92 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSC120N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 36А; 28Вт; PG-TDSON-8" 3.

0.0
BSC123N08NS3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
223.72 
Доступность: 3337 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSC123N08NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 55А; 66Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC150N03LDGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
114.62 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSC150N03LDGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 20А; 26Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC190N15NS3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В
252.96 
Доступность: 1688 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSC190N15NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 50А; 125Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSC265N10LSFGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
182.61 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSC265N10LSFGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 40А; 78Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC340N08NS3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
124.11 
Доступность: 4431 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSC340N08NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 23А; 32Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSD214SNH6327XTSA1
Вид каналаобогащенный КорпусSOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В Напряжение сток-исток20В
12.65 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSD214SNH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1,5А; 0,5Вт; SOT363" 10.

0.0
BSD316SNH6327XTSA1
Вид каналаобогащенный КорпусSOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
62.45 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSD316SNH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 1,4А; 0,5Вт; SOT363" 1.

0.0
BSF030NE2LQXUMA1
Вид каналаобогащенный КорпусCanPAK™ SQ, MG-WDSON-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В Напряжение сток-исток25В
126.48 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSF030NE2LQXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 75А; 28Вт" 1.

0.0
BSH103.215
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,1нC КорпусSOT23, TO236AB МонтажSMD
44.27 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSH103,215, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,85А; 500мВт; SOT23,TO236AB" 1.

0.0
BSH103BKR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяBSH103BKR Полярностьполевой
53.75 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSH103BKR, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

0.0
BSH105.215
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,9нC КорпусSOT23, TO236AB МонтажSMD
46.64 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSH105,215, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,67А; 417мВт; SOT23,TO236AB" 1.

0.0
BSH108.215
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSOT23, TO236AB МонтажSMD
74.31 
Доступность: 38 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSH108,215, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 1,2А; 830мВт; SOT23,TO236AB" 1.

0.0
BSH111BKR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,5нC КорпусSOT23, TO236AB МонтажSMD
23.72 
Доступность: 335 шт.
+

Минимальное количество для товара "BSH111BKR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 0,13А; 364мВт; SOT23,TO236AB" 1.

0.0
BSL296SNH6327XTSA1
ВерсияESD Вид каналаобогащенный КорпусTSOP6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
60.87 
Нет в наличии
+

Минимальное количество для товара "BSL296SNH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 1,4А; 2Вт; TSOP6; ESD" 3.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (36)
Хиты продаж