Товары из категории транзисторы, стр.189

Производитель

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

0.0
C2M1000170J
Вид каналаобогащенный Время готовности20нс Заряд затвора13нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD
1 243.41 
Доступность: 4 шт.
 

Минимальное количество для товара "C2M1000170J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 5,3А; 78Вт; D2PAK-7; 20нс" 1.

0.0
C3M0015065K
Вид каналаобогащенный Заряд затвора188нC КорпусTO247-4 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-8...19В
8 139.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "C3M0015065K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 96А; Idm: 418А; 416Вт" 1.

0.0
C3M0016120K
Вид каналаобогащенный Заряд затвора211нC КорпусTO247-4 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-8...19В
14 815.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "C3M0016120K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 556Вт" 1.

0.0
C3M0030090K
Вид каналаобогащенный Время готовности62нс Заряд затвора87нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
7 906.98 
Доступность: 30 шт.
 

Минимальное количество для товара "C3M0030090K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 40А; 149Вт; TO247-4; 62нс" 1.

0.0
C3M0040120D
Вид каналаобогащенный Время готовности75нс Заряд затвора101нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
2 728.68 
Доступность: 12 шт.
 

Минимальное количество для товара "C3M0040120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 48А; Idm: 223А; 326Вт" 1.

0.0
C3M0040120K
Вид каналаобогащенный Время готовности30нс Заряд затвора99нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
3 324.03 
Доступность: 30 шт.
 

Минимальное количество для товара "C3M0040120K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 48А; Idm: 223А; 326Вт" 1.

0.0
C3M0060065D
Вид каналаобогащенный Заряд затвора46нC КорпусTO247-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-8...19В
2 279.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "C3M0060065D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 27А; Idm: 99А; 150Вт" 1.

0.0
C3M0060065J
Вид каналаобогащенный Заряд затвора46нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD Напряжение затвор-исток-8...19В
2 635.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "C3M0060065J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 26А; Idm: 99А; 136Вт" 1.

0.0
C3M0060065K
Вид каналаобогащенный Заряд затвора46нC КорпусTO247-4 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-8...19В
2 434.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "C3M0060065K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 27А; Idm: 99А; 150Вт" 1.

0.0
C3M0065090D
Вид каналаобогащенный Время готовности30нс Заряд затвора30,4нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
3 015.50 
Доступность: 54 шт.
 

Минимальное количество для товара "C3M0065090D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 36А; 125Вт; TO247-3; 30нс" 1.

0.0
C3M0065090J
Вид каналаобогащенный Время готовности16нс Заряд затвора30,4нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD
2 279.07 
Доступность: 52 шт.
 

Минимальное количество для товара "C3M0065090J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 35А; 113Вт; D2PAK-7; 16нс" 1.

0.0
C3M0065100J
Вид каналаобогащенный Время готовности14нс Заряд затвора9нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD
2 294.57 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "C3M0065100J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1кВ; 35А; 113,5Вт; D2PAK-7; 14нс" 1.

0.0
C3M0075120D
Вид каналаобогащенный Заряд затвора54нC КорпусTO247-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-8...19В
3 217.05 
Доступность: 38 шт.
 

Минимальное количество для товара "C3M0075120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 19,7А; Idm: 80А; 113,6Вт" 1.

0.0
C3M0075120J
Вид каналаобогащенный Время готовности18нс Заряд затвора14нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD
2 711.63 
Доступность: 48 шт.
 

Минимальное количество для товара "C3M0075120J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 30А; 113,6Вт; D2PAK-7" 1.

0.0
C3M0075120K
Вид каналаобогащенный Время готовности18нс Заряд затвора14нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
3 427.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "C3M0075120K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 30А; 113,6Вт; TO247-4" 1.

0.0
C3M0120090D
Вид каналаобогащенный Время готовности24нс Заряд затвора17,3нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
1 519.38 
Доступность: 64 шт.
 

Минимальное количество для товара "C3M0120090D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 23А; 97Вт; TO247-3; 24нс" 1.

0.0
C3M0120090J
Вид каналаобогащенный Время готовности24нс Заряд затвора17,3нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD
1 906.98 
Доступность: 136 шт.
 

Минимальное количество для товара "C3M0120090J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 22А; 83Вт; D2PAK-7; 24нс" 1.

0.0
C3M0120100J
Вид каналаобогащенный Время готовности16нс Заряд затвора21,5нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD
1 689.92 
Доступность: 24 шт.
 

Минимальное количество для товара "C3M0120100J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1кВ; 22А; 83Вт; D2PAK-7; 16нс" 1.

0.0
C3M0120100K
Вид каналаобогащенный Время готовности16нс Заряд затвора21,5нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
1 829.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "C3M0120100K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1кВ; 13,5А; 83Вт; TO247-4; 16нс" 1.

0.0
C3M0160120D
Вид каналаобогащенный Заряд затвора38нC КорпусTO247-3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток-8...19В
1 324.03 
Доступность: 431 шт.
 

Минимальное количество для товара "C3M0160120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 12А; Idm: 34А; 97Вт" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (44)
Хиты продаж