Товары из категории транзисторы, стр.39

Производитель

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

0.0
BFU590GX
Вид транзистораRF Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 Коэффициент усиления по току60...130 МонтажSMD
156.80 
Доступность: 322 шт.
 

Минимальное количество для товара "BFU590GX, Транзистор: NPN; биполярный; RF; 12В; 0,2А; 2Вт; SOT223" 1.

0.0
BFU630F.115
Вид транзистораRF Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT343F Коэффициент усиления по току90...180 МонтажSMD
172.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BFU630F,115, Транзистор: NPN; биполярный; RF; 5,5В; 30мА; 200мВт; SOT343F" 1.

0.0
BFU725F/N1.115
Вид транзистораRF Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT343F Коэффициент усиления по току160...400 МонтажSMD
108.00 
Доступность: 605 шт.
 

Минимальное количество для товара "BFU725F/N1,115, Транзистор: NPN; биполярный; RF; 2,8В; 40мА; 136мВт; SOT343F" 1.

0.0
BFX85-CDI
Вид упаковкироссыпью КорпусTO39 Коэффициент усиления по току15...70 МонтажTHT Напряжение коллектор-эмиттер60В
134.40 
Доступность: 1849 шт.
 

Минимальное количество для товара "BFX85, Транзистор: NPN; биполярный; 60В; 1А; 0,8Вт; TO39" 1.

0.0
BFY50-CDI
Вид упаковкироссыпью КорпусTO39 МонтажTHT Напряжение коллектор-эмиттер35В Обозначение производителяBFY50
184.00 
Доступность: 1586 шт.
 

Минимальное количество для товара "BFY50, Транзистор: NPN; биполярный; 35В; 1А; 0,8/5Вт; TO39" 1.

0.0
BFY51-CDI
Вид упаковкироссыпью КорпусTO39 МонтажTHT Напряжение коллектор-эмиттер30В Обозначение производителяBFY51
141.60 
Доступность: 5348 шт.
 

Минимальное количество для товара "BFY51, Транзистор: NPN; биполярный; 30В; 1А; 0,8/5Вт; TO39" 1.

0.0
BS107P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
156.80 
Доступность: 1233 шт.
 

Минимальное количество для товара "BS107P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 0,12А; 0,5Вт; TO92" 1.

0.0
BS107PSTZ
Вид каналаобогащенный Вид упаковкиAmmo Pack КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
140.80 
Доступность: 809 шт.
 

Минимальное количество для товара "BS107PSTZ, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 0,12А; 0,5Вт; TO92" 1.

0.0
BS170D26Z
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
64.80 
Доступность: 1781 шт.
 

Минимальное количество для товара "BS170-D26Z, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,5А; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92" 1.

0.0
BS170D27Z
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
68.80 
Доступность: 4377 шт.
 

Минимальное количество для товара "BS170-D27Z, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,5А; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92" 1.

0.0
BS170-D75Z
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
50.40 
Доступность: 5967 шт.
 

Минимальное количество для товара "BS170-D75Z, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 500мА; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92" 1.

0.0
BS170
Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
44.80 
Доступность: 15233 шт.
 

Минимальное количество для товара "BS170, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 500мА; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92" 1.

0.0
BS170FTA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
143.20 
Доступность: 2728 шт.
 

Минимальное количество для товара "BS170FTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,15мА; 0,33Вт; SOT23" 1.

0.0
BS170P
Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
173.60 
Доступность: 3656 шт.
 

Минимальное количество для товара "BS170P, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,27А; Idm: 3А; 0,625Вт; TO92" 1.

0.0
BS250FTA
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
108.80 
Доступность: 759 шт.
 

Минимальное количество для товара "BS250FTA, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -45В; -0,09А; Idm: -1,6А; 0,33Вт" 1.

0.0
BS250P-DIC
Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
176.00 
Доступность: 2107 шт.
 

Минимальное количество для товара "BS250P, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -45В; -0,23А; 0,7Вт; TO92" 1.

0.0
BS270-D74Z
Вид каналаобогащенный Вид упаковкиAmmo Pack КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
64.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BS270-D74Z, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 400мА; Idm: 2А; 0,625Вт; TO92" 1.

0.0
BS270
Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
59.20 
Доступность: 4479 шт.
 

Минимальное количество для товара "BS270, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,4А; Idm: 2А; 0,625Вт; TO92" 1.

0.0
BSC014N06NS
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
467.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC014N06NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 156Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC016N03LSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
248.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC016N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 125Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC018N04LSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
192.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC018N04LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 125Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC025N03LSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
208.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC025N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 83Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC028N06NSATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
332.80 
Доступность: 2055 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSC028N06NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 83Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC030N04NSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
142.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC030N04NSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 83Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC030P03NS3GAUMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В Напряжение сток-исток-30В
328.00 
Доступность: 3134 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSC030P03NS3GAUMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -100А; 125Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC032N04LSATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
214.40 
Доступность: 1164 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSC032N04LSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 83А; 52Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC034N03LSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
226.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC034N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 57Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC035N04LSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
179.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC035N04LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 92А; 69Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC035N10NS5ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
491.20 
Доступность: 4163 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSC035N10NS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 100А; 156Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC039N06NS
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
292.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC039N06NS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 69Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC042N03LSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
179.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC042N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 75А; 57Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC042N03MSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
195.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC042N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 82А; 57Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC0503NSIATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
231.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC0503NSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 50Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC050N03LSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
47.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC050N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 66А; 50Вт; PG-TDSON-8" 2500.

0.0
BSC050N03MSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
128.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC050N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 72А; 50Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC050N04LSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
107.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC050N04LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 71А; 57Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC052N08NS5ATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
252.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC052N08NS5ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 95А; 83Вт; PG-TDSON-8" 5000.

0.0
BSC054N04NSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
72.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC054N04NSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 81А; 57Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC057N03LSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
51.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC057N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 58А; 45Вт; PG-TDSON-8" 5000.

0.0
BSC057N03MSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±16В Напряжение сток-исток30В
49.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC057N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 71А; 45Вт; PG-TDSON-8" 5000.

0.0
BSC080N03MSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
96.00 
Доступность: 1226 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSC080N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 53А; 35Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC084P03NS3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В Напряжение сток-исток-30В
66.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC084P03NS3GATMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -78,6А; 69Вт; PG-TDSON-8" 5000.

0.0
BSC0901NSIATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
64.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC0901NSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 69Вт; PG-TDSON-8" 5000.

0.0
BSC0902NSATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
54.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC0902NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 91А; 48Вт; PG-TDSON-8" 5000.

0.0
BSC0902NSIATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
153.60 
Доступность: 4515 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSC0902NSIATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 89А; 48Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC0906NSATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
113.60 
Доступность: 2399 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSC0906NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 53А; 30Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC0909NSATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток34В
134.40 
Доступность: 303 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSC0909NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 34В; 44А; 27Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC0925NDATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TISON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
61.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC0925NDATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 40А; 30Вт; PG-TISON-8" 5000.

0.0
BSC093N04LSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток40В
115.20 
Доступность: 3199 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSC093N04LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 40А; 35Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC097N06NSATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
52.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC097N06NSATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 46А; 36Вт; PG-TDSON-8" 5000.

0.0
BSC100N03MSGATMA1
Вид каналаобогащенный Заряд затвора5,8нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
43.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC100N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 28А; Idm: 176А; 30Вт; PG-TDSON-8" 5000.

0.0
BSC100N06LS3GATMA1
Вид каналаобогащенный Заряд затвора45нC КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
185.60 
Доступность: 2131 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSC100N06LS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 36А; Idm: 200А; 50Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC110N06NS3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток60В
48.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC110N06NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; 50Вт; PG-TDSON-8" 5000.

0.0
BSC120N03LSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
95.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC120N03LSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 33А; 28Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC120N03MSGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
57.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC120N03MSGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 36А; 28Вт; PG-TDSON-8" 3.

0.0
BSC123N08NS3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
226.40 
Доступность: 3207 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSC123N08NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 55А; 66Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC150N03LDGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
116.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC150N03LDGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 20А; 26Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC190N15NS3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток150В
256.00 
Доступность: 1656 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSC190N15NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 50А; 125Вт; PG-TSDSON-8" 1.

0.0
BSC265N10LSFGATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток100В
184.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSC265N10LSFGATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 40А; 78Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSC340N08NS3GATMA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TDSON-8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток80В
125.60 
Доступность: 4177 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSC340N08NS3GATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 23А; 32Вт; PG-TDSON-8" 1.

0.0
BSD214SNH6327XTSA1
Вид каналаобогащенный КорпусSOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В Напряжение сток-исток20В
12.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSD214SNH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1,5А; 0,5Вт; SOT363" 10.

0.0
BSD223PH6327XTSA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-SOT-363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В Напряжение сток-исток-20В
56.00 
Доступность: 1819 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSD223PH6327XTSA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,39А; 0,25Вт; PG-SOT-363" 1.

0.0
BSD235CH6327XTSA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-SOT-363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В Напряжение сток-исток20/-20В
65.60 
Доступность: 2583 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSD235CH6327XTSA1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 0,95/-0,53А; 0,5Вт" 1.

0.0
BSD235NH6327XTSA1
Вид каналаобогащенный КорпусSOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В Напряжение сток-исток20В
52.00 
Доступность: 454 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSD235NH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,95А; 0,5Вт; SOT363" 1.

0.0
BSD316SNH6327XTSA1
Вид каналаобогащенный КорпусSOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В Напряжение сток-исток30В
63.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSD316SNH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 1,4А; 0,5Вт; SOT363" 1.

0.0
BSD840NH6327XTSA1
Вид каналаобогащенный КорпусSOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В Напряжение сток-исток20В
57.60 
Доступность: 3911 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSD840NH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,88А; 0,5Вт; SOT363" 1.

0.0
BSF030NE2LQXUMA1
Вид каналаобогащенный КорпусCanPAK™ SQ, MG-WDSON-2 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±25В Напряжение сток-исток25В
128.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSF030NE2LQXUMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 75А; 28Вт" 1.

0.0
BSH103.215
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,1нC КорпусSOT23, TO236AB МонтажSMD
44.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSH103,215, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,85А; 500мВт; SOT23,TO236AB" 1.

0.0
BSH103BKR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента МонтажSMD Обозначение производителяBSH103BKR Полярностьполевой
54.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSH103BKR, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

0.0
BSH105.215
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,9нC КорпусSOT23, TO236AB МонтажSMD
47.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSH105,215, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,67А; 417мВт; SOT23,TO236AB" 1.

0.0
BSH108.215
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSOT23, TO236AB МонтажSMD
75.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSH108,215, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 1,2А; 830мВт; SOT23,TO236AB" 1.

0.0
BSH111BKR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,5нC КорпусSOT23, TO236AB МонтажSMD
24.00 
Доступность: 33 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSH111BKR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 0,13А; 364мВт; SOT23,TO236AB" 1.

0.0
BSH201.215
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3нC КорпусSOT23, TO236AB МонтажSMD
47.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSH201,215, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,19А; 170мВт; SOT23,TO236AB" 1.

0.0
BSH202.215
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,9нC КорпусSOT23, TO236AB МонтажSMD
52.00 
Доступность: 2890 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSH202,215, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0,33А; 0,17Вт; SOT23,TO236AB" 1.

0.0
BSH203.215
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,2нC КорпусSOT23, TO236AB МонтажSMD
60.00 
Доступность: 650 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSH203,215, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0,3А; 170мВт; SOT23,TO236AB" 1.

0.0
BSH205G2R
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,5нC КорпусSOT23, TO236AB МонтажSMD
68.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSH205G2R, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,2А; 890мВт; SOT23,TO236AB" 1.

0.0
BSL207SPH6327XTSA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSOP-6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В Напряжение сток-исток-20В
106.40 
Доступность: 2985 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSL207SPH6327XTSA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6А; 2Вт; PG-TSOP-6" 1.

0.0
BSL211SPH6327XTSA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSOP-6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В Напряжение сток-исток-20В
109.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSL211SPH6327XTSA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,7А; 2Вт; PG-TSOP-6" 1.

0.0
BSL214NH6327XTSA1
Вид каналаобогащенный КорпусTSOP6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В Напряжение сток-исток20В
44.00 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSL214NH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 1,5А; 0,5Вт; TSOP6" 3.

0.0
BSL215CH6327XTSA1
Вид каналаобогащенный КорпусPG-TSOP-6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В Напряжение сток-исток20/-20В
102.40 
Доступность: 2117 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSL215CH6327XTSA1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 1,5/-1,5А; 0,5Вт" 1.

Показать еще 80 товаров
Фильтры товаров
Производитель
    Показать все (44)
Хиты продаж