Товары из категории транзисторы, стр.502

Производитель

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

0.0
NDS7002A
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
24.03 
Доступность: 1556 шт.
 

Минимальное количество для товара "NDS7002A, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,28А; Idm: 1,5А; 0,3Вт; SOT23" 1.

0.0
NDS9948
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусSO8 МонтажSMD
159.69 
Доступность: 1492 шт.
 

Минимальное количество для товара "NDS9948, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -60В; -2А; 2Вт; SO8" 1.

0.0
NDT2955
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
127.91 
Доступность: 3687 шт.
 

Минимальное количество для товара "NDT2955, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,5А; 3Вт; SOT223" 1.

0.0
NDT3055L
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусSOT223 МонтажSMD
176.74 
Доступность: 3899 шт.
 

Минимальное количество для товара "NDT3055L, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 4А; 3Вт; SOT223" 1.

0.0
NDT451AN
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусSOT223 МонтажSMD
103.88 
Доступность: 3082 шт.
 

Минимальное количество для товара "NDT451AN, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 7,2А; 3Вт; SOT223" 1.

0.0
NDT452AP
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
179.07 
Доступность: 3922 шт.
 

Минимальное количество для товара "NDT452AP, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -5А; 3Вт; SOT223" 1.

0.0
NDUL03N150CG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO3PF МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
576.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NDUL03N150CG, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1500В; 2,5А; 50Вт; TO3PF" 1.

0.0
NJVMJD31CT4G
Вид упаковкибобина, лента КорпусDPAK Коэффициент усиления по току10...50 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер100В
148.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NJVMJD31CT4G, Транзистор: NPN; биполярный; 100В; 3А; 15Вт; DPAK" 1.

0.0
NJVMJD44H11RLG
Вид упаковкибобина, лента КорпусDPAK Коэффициент усиления по току60 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер80В
149.61 
Доступность: 1549 шт.
 

Минимальное количество для товара "NJVMJD44H11RLG, Транзистор: NPN; биполярный; 80В; 8А; 20Вт; DPAK" 1.

0.0
NJVNJD2873T4G
Вид упаковкибобина, лента КорпусDPAK Коэффициент усиления по току120...360 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер50В
77.52 
Доступность: 2327 шт.
 

Минимальное количество для товара "NJVNJD2873T4G, Транзистор: NPN; биполярный; 50В; 2А; 12,5Вт; DPAK" 1.

0.0
NJW0281G
Вид упаковкитуба КорпусTO3P Коэффициент усиления по току75...150 МонтажTHT Напряжение коллектор-эмиттер250В
568.99 
Доступность: 214 шт.
 

Минимальное количество для товара "NJW0281G, Транзистор: NPN; биполярный; 250В; 15А; 150Вт; TO3P" 1.

0.0
NJW0302G
Вид упаковкитуба КорпусTO3P Коэффициент усиления по току75...150 МонтажTHT Напряжение коллектор-эмиттер250В
561.24 
Доступность: 150 шт.
 

Минимальное количество для товара "NJW0302G, Транзистор: PNP; биполярный; 250В; 15А; 150Вт; TO3P" 1.

0.0
NJW1302G
Вид упаковкитуба КорпусTO3P Коэффициент усиления по току45...150 МонтажTHT Напряжение коллектор-эмиттер250В
744.19 
Доступность: 77 шт.
 

Минимальное количество для товара "NJW1302G, Транзистор: PNP; биполярный; 250В; 15А; 200Вт; TO3P" 1.

0.0
NJW21193G
Вид упаковкитуба КорпусTO3P Коэффициент усиления по току20...70 МонтажTHT Напряжение коллектор-эмиттер250В
745.74 
Доступность: 99 шт.
 

Минимальное количество для товара "NJW21193G, Транзистор: PNP; биполярный; 250В; 16А; 200Вт; TO3P" 1.

0.0
NJW21194G
Вид упаковкитуба КорпусTO3P Коэффициент усиления по току20...70 МонтажTHT Напряжение коллектор-эмиттер250В
744.19 
Доступность: 357 шт.
 

Минимальное количество для товара "NJW21194G, Транзистор: NPN; биполярный; 250В; 16А; 200Вт; TO3P" 1.

0.0
NJW3281G
Вид упаковкитуба КорпусTO3P Коэффициент усиления по току45...150 МонтажTHT Напряжение коллектор-эмиттер250В
685.27 
Доступность: 56 шт.
 

Минимальное количество для товара "NJW3281G, Транзистор: NPN; биполярный; 250В; 15А; 200Вт; TO3P" 1.

0.0
NSF040120L3A0Q
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора95нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
3 448.06 
Доступность: 25 шт.
 

Минимальное количество для товара "NSF040120L3A0Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 46А; Idm: 160А; 313Вт" 1.

0.0
NSF080120L3A0Q
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора52нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
1 855.81 
Доступность: 29 шт.
 

Минимальное количество для товара "NSF080120L3A0Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 25А; Idm: 80А; 183Вт" 1.

0.0
NSS12100XV6T1G
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 Коэффициент усиления по току100 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер12В
81.40 
Доступность: 8 шт.
 

Минимальное количество для товара "NSS12100XV6T1G, Транзистор: PNP; биполярный; 12В; 1А; 0,65Вт; SOT563" 1.

0.0
NSS30101LT1G
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23, TO236AB Коэффициент усиления по току300...900 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер30В
69.77 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NSS30101LT1G, Транзистор: NPN; биполярный; 30В; 1А; 0,71Вт; SOT23,TO236AB" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж