Товары из категории транзисторы, стр.503

Производитель

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

0.0
NSS40201LT1G
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23, TO236AB Коэффициент усиления по току200 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер40В
67.44 
Доступность: 2550 шт.
 

Минимальное количество для товара "NSS40201LT1G, Транзистор: NPN; биполярный; 40В; 2А; 0,54Вт; SOT23,TO236AB" 1.

0.0
NSS60201LT1G
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23, TO236AB Коэффициент усиления по току150...350 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер60В
93.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NSS60201LT1G, Транзистор: NPN; биполярный; 60В; 2А; 0,54Вт; SOT23,TO236AB" 1.

0.0
NST30010MXV6T1G
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563 Коэффициент усиления по току420...800 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер30В
66.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NST30010MXV6T1G, Транзистор: PNP x2; биполярный; 30В; 0,1А; 0,5Вт; SOT563" 1.

0.0
NST45010MW6T1G
Вид упаковкибобина, лента КорпусSC70-6, SC88, SOT363 Коэффициент усиления по току220...475 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер45В
62.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NST45010MW6T1G, Транзистор: PNP x2; биполярный; 45В; 0,1А; 0,38Вт" 1.

0.0
NSVBC817-16LT1G
Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23, TO236AB Коэффициент усиления по току100...250 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер45В
26.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NSVBC817-16LT1G, Транзистор: NPN; биполярный; 45В; 0,5А; 0,225Вт; SOT23,TO236AB" 1.

0.0
NSVMMUN2212LT1G
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 Коэффициент усиления по току60...100 МонтажSMD
25.58 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NSVMMUN2212LT1G, Транзистор: NPN; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,246Вт; SOT23" 1.

0.0
NTA4001NT1G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC75 МонтажSMD
41.86 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTA4001NT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,238А; 0,3Вт; SC75; ESD" 1.

0.0
NTA4151PT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC75 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В
35.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTA4151PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,76А; 0,301Вт; SC75" 1.

0.0
NTA4153NT1G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,82нC КорпусSC75
48.84 
Доступность: 2413 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTA4153NT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,915А; 0,3Вт; SC75; ESD" 1.

0.0
NTA7002NT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC75 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±10В
30.23 
Доступность: 4167 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTA7002NT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,154А; 0,3Вт; SC75" 1.

0.0
NTB004N10G
Вид каналаобогащенный МонтажSMD Обозначение производителяNTB004N10G Полярностьполевой ПроизводительONSEMI
1 134.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTB004N10G, Транзистор: N-MOSFET; полевой" 1.

0.0
NTD14N03RT4G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,8нC КорпусDPAK МонтажSMD
62.79 
Доступность: 2497 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTD14N03RT4G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 2,5А; Idm: 28А; 20,8Вт; DPAK" 1.

0.0
NTD20N06T4G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21,2нC КорпусDPAK МонтажSMD
225.58 
Доступность: 2487 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTD20N06T4G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 10А; Idm: 60А; 60Вт; DPAK" 1.

0.0
NTD20P06LT4G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора26нC КорпусDPAK МонтажSMD
159.69 
Доступность: 2829 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTD20P06LT4G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -15,5А; 65Вт; DPAK" 1.

0.0
NTD24N06LT4G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусDPAK МонтажSMD
240.31 
Доступность: 2488 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTD24N06LT4G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 24А; 62,5Вт; DPAK" 1.

0.0
NTD25P03LT4G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусDPAK МонтажSMD
186.05 
Доступность: 711 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTD25P03LT4G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -25А; 75Вт; DPAK" 1.

0.0
NTD3055L104T4G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусDPAK МонтажSMD
174.42 
Доступность: 523 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTD3055L104T4G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 12А; Idm: 45А; 48Вт; DPAK" 1.

0.0
NTD360N65S3H
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора17,5нC КорпусDPAK МонтажSMD
392.25 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTD360N65S3H, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 6А; Idm: 28А; 83Вт; DPAK" 1.

0.0
NTD360N80S3Z
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25,3нC КорпусDPAK МонтажSMD
474.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTD360N80S3Z, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 8,2А; Idm: 32,5А; 96Вт; DPAK" 1.

0.0
NTD4805NT4G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20,5нC КорпусDPAK МонтажSMD
138.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTD4805NT4G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 73А; Idm: 175А; 79Вт; DPAK" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж