Товары из категории транзисторы, стр.515

Производитель

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

0.0
NTHL190N65S3HF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора34нC КорпусTO247 МонтажTHT
910.08 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTHL190N65S3HF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 12,7А; Idm: 50А; 162Вт; TO247" 1.

0.0
NTHLD040N65S3HF
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора159нC КорпусTO247 МонтажTHT
2 280.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTHLD040N65S3HF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 45А; Idm: 162,5А; 446Вт; TO247" 1.

0.0
NTJD4001NT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC70-6, SC88, SOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
66.67 
Доступность: 1789 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTJD4001NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 0,18А; 0,272Вт" 1.

0.0
NTJD4105CT1G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3/4нC
58.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTJD4105CT1G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-8В" 1.

0.0
NTJD4105CT2G
Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента КорпусSC70-6, SC88, SOT363 МонтажSMD
89.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTJD4105CT2G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-8В" 1.

0.0
NTJD4401NT1G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,3нC КорпусSC70-6, SC88, SOT363
67.44 
Доступность: 4569 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTJD4401NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,46А; 0,27Вт; ESD" 1.

0.0
NTJD5121NT1G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,9нC КорпусSC70-6, SC88, SOT363
37.21 
Доступность: 465 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTJD5121NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,295А; 0,25Вт; ESD" 1.

0.0
NTJS3151PT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC70-6, SC88, SOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
68.22 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTJS3151PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -2А; 0,625Вт" 1.

0.0
NTJS3157NT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC70-6, SC88, SOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
64.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTJS3157NT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,3А; 1Вт; SC70-6,SC88,SOT363" 1.

0.0
NTJS4151PT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC70-6, SC88, SOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
47.29 
Доступность: 160 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTJS4151PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,4А; 1Вт" 1.

0.0
NTK3043NT1G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT723 МонтажSMD
30.23 
Доступность: 1636 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTK3043NT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,185А; 0,44Вт; SOT723; ESD" 1.

0.0
NTK3134NT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT723 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В
59.69 
Доступность: 160 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTK3134NT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 0,64А; 0,45Вт; SOT723" 1.

0.0
NTK3139PT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT723 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±6В
33.33 
Доступность: 1845 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTK3139PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,57А; 0,45Вт; SOT723" 1.

0.0
NTLJD3119CTBG
Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента КорпусWDFN6 МонтажSMD
54.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTLJD3119CTBG, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В" 3000.

0.0
NTMFS5C670NLT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусDFN5x6 МонтажSMD
413.95 
Доступность: 1652 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTMFS5C670NLT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; Idm: 440А; 1,8Вт; DFN5x6" 1.

0.0
NTMFS5C673NLT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDFN5x6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
62.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTMFS5C673NLT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 35А; 23Вт; DFN5x6" 1500.

0.0
NTMS10P02R2G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
116.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTMS10P02R2G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -8А; 2,5Вт; SO8" 2500.

0.0
NTPF190N65S3HF-ONS
Обозначение производителяNTPF190N65S3HF ПроизводительONSEMI Тип транзистораN-MOSFET
432.56 
Доступность: 409 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTPF190N65S3HF, Транзистор: N-MOSFET" 31.

0.0
NTR0202PLT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,18нC КорпусSOT23 МонтажSMD
16.28 
Доступность: 988 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTR0202PLT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,4А; 0,225Вт; SOT23" 1.

0.0
NTR1P02LT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3,1нC КорпусSOT23 МонтажSMD
51.16 
Доступность: 2216 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTR1P02LT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,3А; 0,4Вт; SOT23" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж