Товары из категории транзисторы, стр.517

Производитель

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

0.0
NTZD3154NT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,5нC КорпусSOT563 МонтажSMD
68.22 
Доступность: 1368 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTZD3154NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,54А; 0,25Вт; SOT563" 1.

0.0
NTZD3155CT1G
Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,5/1,7нC КорпусSOT563F
49.61 
Доступность: 3198 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTZD3155CT1G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В" 5.

0.0
NTZD3155CT2G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563F
54.26 
Доступность: 3459 шт.
 

Минимальное количество для товара "NTZD3155CT2G, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В" 1.

0.0
NTZD5110NT1G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563F МонтажSMD
55.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTZD5110NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,225А; 0,28Вт; SOT563F; ESD" 1.

0.0
NTZS3151PT1G
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT563F МонтажSMD
56.59 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NTZS3151PT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,76А; 0,21Вт; SOT563F; ESD" 1.

0.0
NVD5C688NLT4G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC КорпусDPAK МонтажSMD
189.15 
Доступность: 1712 шт.
 

Минимальное количество для товара "NVD5C688NLT4G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 12А; Idm: 77А; 9Вт; DPAK" 1.

0.0
NVF2955T1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14,3нC КорпусSOT223 МонтажSMD
181.40 
Доступность: 710 шт.
 

Минимальное количество для товара "NVF2955T1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -2,6А; 2,3Вт; SOT223" 1.

0.0
NVF3055L108T1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±15В
179.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NVF3055L108T1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,4А; 1,3Вт; SOT223" 1.

0.0
NVH4L040N65S3F
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора160нC КорпусTO247 МонтажTHT
1 803.10 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NVH4L040N65S3F, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 45А; Idm: 162,5А; 446Вт; TO247" 1.

0.0
NVHL020N090SC1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора78нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
7 018.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NVHL020N090SC1, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 83А; Idm: 472А; 251Вт" 1.

0.0
NVJD5121NT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC70-6, SC88, SOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
34.11 
Доступность: 3050 шт.
 

Минимальное количество для товара "NVJD5121NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,212А; 0,25Вт" 1.

0.0
NVMFS5113PLT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDFN5x6 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
444.96 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NVMFS5113PLT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -45А; 75Вт; DFN5x6" 1.

0.0
NVMFS5C430NLAFT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC КорпусDFN5x6 МонтажSMD
468.22 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NVMFS5C430NLAFT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 140А; Idm: 900А; 53Вт; DFN5x6" 1.

0.0
NVR4003NT3G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
37.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NVR4003NT3G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,37А; 0,69Вт; SOT23" 1.

0.0
NVR4501NT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6нC КорпусSOT23 МонтажSMD
112.40 
Доступность: 2341 шт.
 

Минимальное количество для товара "NVR4501NT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 2,4А; Idm: 10А; 1,25Вт; SOT23" 1.

0.0
NVR5124PLT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
74.42 
Доступность: 1830 шт.
 

Минимальное количество для товара "NVR5124PLT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,67А; 0,19Вт; SOT23" 1.

0.0
NVR5198NLT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,1нC КорпусSOT23 МонтажSMD
72.09 
Доступность: 1493 шт.
 

Минимальное количество для товара "NVR5198NLT1G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,2А; Idm: 27А; 0,4Вт; SOT23" 1.

0.0
NVTFS5116PLTAG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусWDFN8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
154.26 
Доступность: 1044 шт.
 

Минимальное количество для товара "NVTFS5116PLTAG, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -10А; 1,6Вт; WDFN8" 1.

0.0
NVTJD4001NT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC70-6, SC88, SOT363 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
58.91 
Доступность: 2785 шт.
 

Минимальное количество для товара "NVTJD4001NT1G, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 0,18А; 0,272Вт" 1.

0.0
NVTR0202PLT1G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,18нC КорпусSOT23 МонтажSMD
58.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "NVTR0202PLT1G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -400мА; Idm: -1А; 225мВт; SOT23" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж