Товары из категории транзисторы, стр.576

Производитель

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

0.0
RHP020N06FRAT100
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC КорпусMPT3 МонтажSMD
57.36 
Доступность: 670 шт.
 

Минимальное количество для товара "RHP020N06FRAT100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3" 3.

0.0
RHP020N06T100
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7нC КорпусMPT3 МонтажSMD
137.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RHP020N06T100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3" 1.

0.0
RHP030N03T100
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,5нC КорпусMPT3 МонтажSMD
155.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RHP030N03T100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2А; Idm: 10А; 2Вт; MPT3" 1.

0.0
RHU002N06FRAT106
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,2нC КорпусUMT3 МонтажSMD
65.12 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RHU002N06FRAT106, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 200мА; Idm: 0,8А; 200мВт; UMT3" 1.

0.0
RHU003N03FRAT106
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусUMT3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
35.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RHU003N03FRAT106, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 300мА; Idm: 1,2А; 200мВт; UMT3" 1.

0.0
RJK005N03FRAT146
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2нC КорпусSMT3 МонтажSMD
62.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RJK005N03FRAT146, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 500мА; Idm: 2А; 200мВт; SMT3" 1.

0.0
RJP020N06FRAT100
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5нC КорпусMPT3 МонтажSMD
143.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RJP020N06FRAT100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3" 1.

0.0
RJP020N06T100
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5нC КорпусMPT3 МонтажSMD
124.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RJP020N06T100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3" 1.

0.0
RJU002N06FRAT106
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусUMT3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
45.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RJU002N06FRAT106, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 200мА; Idm: 0,8А; 200мВт; UMT3" 1.

0.0
RJU003N03FRAT106
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSC70, SOT323 МонтажSMD
46.51 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RJU003N03FRAT106, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,3А; Idm: 1,2А; 0,2Вт; ESD" 1.

0.0
RK7002AT116
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора3нC КорпусSST3 МонтажSMD
14.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RK7002AT116, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 300мА; Idm: 1,2А; 200мВт; SST3" 10.

0.0
RK7002BMHZGT116
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSST3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
31.01 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RK7002BMHZGT116, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 350мВт; SST3" 1.

0.0
RK7002BMT116
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23 МонтажSMD
23.26 
Доступность: 2905 шт.
 

Минимальное количество для товара "RK7002BMT116, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 200/350мВт; ESD" 1.

0.0
RN1401
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSC59 Коэффициент усиления по току30 МонтажSMD
6.98 
Доступность: 2860 шт.
 

Минимальное количество для товара "RN1401,LF(T, Транзистор: NPN; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,2Вт; SC59; R1: 4,7кОм" 20.

0.0
RN1402
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSC59 Коэффициент усиления по току50 МонтажSMD
13.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RN1402(TE85L,F), Транзистор: NPN; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,2Вт; SC59; R1: 10кОм" 10.

0.0
RN1406
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSC59 Коэффициент усиления по току80 МонтажSMD
15.50 
Доступность: 145 шт.
 

Минимальное количество для товара "RN1406(TE85L,F), Транзистор: NPN; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,2Вт; SC59; R1: 4,7кОм" 5.

0.0
RN1411
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSC59 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер50В
15.50 
Доступность: 1584 шт.
 

Минимальное количество для товара "RN1411(TE85L,F), Транзистор: NPN; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,2Вт; SC59; 10кОм" 5.

0.0
RN1604
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSM6 Коэффициент усиления по току80 МонтажSMD
26.36 
Доступность: 2984 шт.
 

Минимальное количество для товара "RN1604(TE85L,F), Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,3Вт; SM6; R2: 47кОм" 5.

0.0
RN1910FE
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусES6 Коэффициент усиления по току120...700 МонтажSMD
37.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RN1910FE,LF(CT, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,1Вт; ES6; 4,7кОм" 1.

0.0
RN2410
Вид транзистораBRT Вид упаковкибобина, лента КорпусSC59 МонтажSMD Напряжение коллектор-эмиттер50В
15.50 
Доступность: 2570 шт.
 

Минимальное количество для товара "RN2410(TE85L,F), Транзистор: PNP; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 0,2Вт; SC59; 4,7кОм" 5.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж