Товары из категории транзисторы, стр.585

Производитель

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

0.0
RV2C002UNT2L
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDFN1006-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±10В
48.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RV2C002UNT2L, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 180мА; Idm: 0,6А; 100мВт" 1.

0.0
RV2C010UNT2L
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDFN1006-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
62.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RV2C010UNT2L, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1А; Idm: 2А; 400мВт; DFN1006-3" 1.

0.0
RV2C014BCT2CL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDFN1006-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
68.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RV2C014BCT2CL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,4А; Idm: -2,8А; 600мВт" 1.

0.0
RV3C002UNT2CL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусX2-DFN0604-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±10В
67.44 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RV3C002UNT2CL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 150мА; Idm: 600А; 100мВт" 1.

0.0
RV8L002SNHZGG2CR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусDFN1010-3W МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
79.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RV8L002SNHZGG2CR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 1Вт; DFN1010-3W" 1.

0.0
RVQ040N05TR
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,3нC КорпусTSMT6 МонтажSMD
119.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RVQ040N05TR, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 45В; 4А; Idm: 16А; 1,25Вт; TSMT6" 1.

0.0
RXH090N03TB1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,8нC КорпусSOP8 МонтажSMD
224.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RXH090N03TB1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 9А; Idm: 36А; 2Вт; SOP8" 1.

0.0
RXH125N03TB1
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12,7нC КорпусSOP8 МонтажSMD
192.25 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RXH125N03TB1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 12,5А; Idm: 36А; 2Вт; SOP8" 1.

0.0
RYC002N05T316
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSST3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
58.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RYC002N05T316, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 350мВт; SST3" 1.

0.0
RYM002N05T2CL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусVMT3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±8В
60.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RYM002N05T2CL, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт; VMT3" 1.

0.0
RZF013P01TL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора2,4нC КорпусTUMT3 МонтажSMD
79.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RZF013P01TL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -1,3А; Idm: -5,2А; 800мВт" 1.

0.0
RZF020P01TL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,5нC КорпусTUMT3 МонтажSMD
116.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RZF020P01TL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -2А; Idm: -6А; 800мВт; TUMT3" 1.

0.0
RZF030P01TL
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусTUMT3 МонтажSMD
87.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "RZF030P01TL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -3А; Idm: -12А; 800мВт; TUMT3" 1.

0.0
RZM001P02T2L
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT723 МонтажSMD
28.68 
Доступность: 1218 шт.
 

Минимальное количество для товара "RZM001P02T2L, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,1А; Idm: -0,4А; 150мВт; ESD" 1.

0.0
RZM002P02T2L
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT723 МонтажSMD
31.01 
Доступность: 4130 шт.
 

Минимальное количество для товара "RZM002P02T2L, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,2А; Idm: -0,8А; 150мВт; ESD" 1.

0.0
S1M1000170D-SMC
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора10нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
403.10 
Доступность: 6 шт.
 

Минимальное количество для товара "S1M1000170D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 3,7А; Idm: 15А; 81Вт" 1.

0.0
S1M1000170J-SMC
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора10нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD
497.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "S1M1000170J, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 4,1А; Idm: 15А; 100Вт" 1.

0.0
S1M1000170JTR-SMC
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусD2PAK-7 МонтажSMD
497.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "S1M1000170JTR-SMC, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 4,1А; Idm: 15А; 100Вт" 1.

0.0
S1M1000170K-SMC
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора10нC КорпусTO247-4 МонтажTHT
649.61 
Доступность: 310 шт.
 

Минимальное количество для товара "S1M1000170K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,7кВ; 3,7А; Idm: 15А; 81Вт" 1.

0.0
S2M0016120D-SMC
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора224нC КорпусTO247-3 МонтажTHT
3 286.82 
Доступность: 7 шт.
 

Минимальное количество для товара "S2M0016120D, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 140А; Idm: 314А; 714Вт" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж