Товары из категории транзисторы, стр.626

Производитель

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

0.0
SIHH28N60E-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора129нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
1 175.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHH28N60E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 19А; Idm: 76А; 202Вт" 1.

0.0
SIHJ10N60E-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
427.91 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHJ10N60E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 6А; 89Вт; PowerPAK® SO8" 1.

0.0
SIHJ240N60E-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора23нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
451.16 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHJ240N60E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 7А; Idm: 30А; 89Вт" 1.

0.0
SIHJ690N60E-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
368.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHJ690N60E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 3,5А; Idm: 11А; 48Вт" 1.

0.0
SIHJ6N65E-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
345.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHJ6N65E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 3,6А; Idm: 12А; 74Вт" 1.

0.0
SIHJ7N65E-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
407.75 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHJ7N65E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 5А; Idm: 17А; 96Вт" 1.

0.0
SIHJ8N60E-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
434.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHJ8N60E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 5А; Idm: 18А; 89Вт" 1.

0.0
SIHK045N60E-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора98нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
1 162.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHK045N60E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 48А; Idm: 138А; 278Вт" 2000.

0.0
SIHK045N60EF-T1GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора105нC КорпусPowerPAK® 1012 МонтажSMD
2 116.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHK045N60EF-T1GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 30А; Idm: 133А; 278Вт" 1.

0.0
SIHK055N60EF-T1GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора90нC КорпусPowerPAK® 1012 МонтажSMD
1 285.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHK055N60EF-T1GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 26А; Idm: 110А; 236Вт" 1.

0.0
SIHK075N60EF-T1GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора72нC КорпусPowerPAK® 1012 МонтажSMD
1 137.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHK075N60EF-T1GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; Idm: 97А; 192Вт" 1.

0.0
SIHK125N60EF-T1GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора45нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
635.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHK125N60EF-T1GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 21А; Idm: 54А; 132Вт" 2000.

0.0
SIHL510STRL-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,1нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
128.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHL510STRL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 4А; Idm: 18А; 43Вт; D2PAK,TO263" 1.

0.0
SIHL530STRR-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
162.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHL530STRR-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 11А; Idm: 60А; 88Вт" 1.

0.0
SIHL620S-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
162.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHL620S-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 3,3А; Idm: 21А; 50Вт" 1.

0.0
SIHL630STRL-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
142.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHL630STRL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 5,7А; Idm: 36А; 74Вт" 1.

0.0
SIHL640STRL-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора66нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
282.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHL640STRL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 11А; Idm: 68А; 125Вт" 1.

0.0
SIHLL014TR-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8,4нC КорпусSOT223 МонтажSMD
127.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHLL014TR-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,7А; Idm: 22А; 3,1Вт; SOT223" 1.

0.0
SIHLL110TR-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6,1нC КорпусSOT223 МонтажSMD
103.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHLL110TR-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 0,93А; 3,1Вт; SOT223" 1.

0.0
SIHLR024TRL-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
128.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIHLR024TRL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 9,2А; Idm: 56А; 42Вт; DPAK,TO252" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж