Товары из категории транзисторы, стр.631

Производитель

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

0.0
SIJ470DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора56нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
107.75 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ470DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 58,8А; Idm: 150А" 3000.

0.0
SIJ478DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора54нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
125.58 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ478DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 60А; Idm: 150А" 3000.

0.0
SIJ4819DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора69нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
241.86 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ4819DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -80В; -62А; Idm: -145А" 3000.

0.0
SIJ482DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора71нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
198.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ482DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 60А; Idm: 100А" 3000.

0.0
SIJ494DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора31нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
176.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJ494DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 36,8А; Idm: 100А" 3000.

0.0
SIJA52ADP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,1мкC МонтажSMD Напряжение сток-исток40В
116.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJA52ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 131А; Idm: 200А" 3000.

0.0
SIJA52DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора150нC МонтажSMD Напряжение сток-исток40В
168.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJA52DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 60А; Idm: 150А; 48Вт" 3000.

0.0
SIJA54DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора104нC МонтажSMD Напряжение сток-исток40В
130.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJA54DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 60А; Idm: 150А" 3000.

0.0
SIJA58ADP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора61нC МонтажSMD Напряжение сток-исток40В
82.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJA58ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 109А; Idm: 150А" 3000.

0.0
SIJA58DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора75нC МонтажSMD Напряжение сток-исток40В
159.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJA58DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 109А; Idm: 150А" 3000.

0.0
SIJA72ADP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора50нC МонтажSMD Напряжение сток-исток40В
89.92 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJA72ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 96А; Idm: 150А" 3000.

0.0
SIJH112E-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора160нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
491.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJH112E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 225А; Idm: 300А" 2000.

0.0
SIJH5100E-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора128нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
652.71 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJH5100E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 277А; Idm: 500А" 2000.

0.0
SIJH5800E-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора155нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
756.59 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJH5800E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 302А; Idm: 500А" 2000.

0.0
SIJH600E-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора212нC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
764.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJH600E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 373А; Idm: 500А" 2000.

0.0
SIJH800E-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,21мкC КорпусPowerPAK® 8x8L МонтажSMD
520.93 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIJH800E-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 299А; Idm: 350А" 2000.

0.0
SIL2301-TP
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора10нC КорпусSOT23-6
63.57 
Доступность: 1785 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIL2301-TP, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -2,3А; Idm: -10А; 1,25Вт" 1.

0.0
SIL2308-TP
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11/12нC КорпусSOT23-6
45.74 
Доступность: 3210 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIL2308-TP, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 5/-4А; 1Вт; SOT23-6; ESD" 1.

0.0
SIR104ADP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора70нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
213.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR104ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 81А; Idm: 200А" 3000.

0.0
SIR104DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора84нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
257.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR104DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 79А; Idm: 200А" 3000.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж