Товары из категории транзисторы, стр.632

Производитель

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

0.0
SIR104LDP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора110нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
162.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR104LDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 81А; Idm: 200А" 3000.

0.0
SIR106ADP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора52нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
162.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR106ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 65,8А; Idm: 150А" 3000.

0.0
SIR106DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора64нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
187.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR106DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 65,8А; Idm: 150А" 3000.

0.0
SIR108DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора41,5нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
159.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR108DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 45А; Idm: 80А" 3000.

0.0
SIR112DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора89нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
125.58 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR112DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 133А; Idm: 200А" 3000.

0.0
SIR120DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора94нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
173.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR120DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 106А; Idm: 200А" 3000.

0.0
SIR122DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
107.75 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR122DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 59,6А; Idm: 150А" 3000.

0.0
SIR122LDP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора52нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
107.75 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR122LDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 62,3А; Idm: 150А" 3000.

0.0
SIR124DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
125.58 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR124DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 56,8А; Idm: 120А" 3000.

0.0
SIR1309DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора87нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
69.77 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR1309DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -65,7А; Idm: -150А" 3000.

0.0
SIR140DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора170нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
229.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR140DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 100А; Idm: 500А" 3000.

0.0
SIR150DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора70нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
81.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR150DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 45В; 110А; Idm: 300А" 3000.

0.0
SIR158DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора130нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
204.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR158DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А; Idm: 400А; 83Вт" 3000.

0.0
SIR158DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора130нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
248.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR158DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А; Idm: 400А; 83Вт" 3000.

0.0
SIR164DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора123нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
147.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR164DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 50А; Idm: 70А; 69Вт" 3000.

0.0
SIR165DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора138нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
147.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR165DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -60А; Idm: -120А" 3000.

0.0
SIR166DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора77нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
142.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR166DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А; Idm: 70А; 48Вт" 3000.

0.0
SIR167DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора111нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
93.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR167DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -60А; Idm: -120А" 3000.

0.0
SIR170DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,14мкC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
198.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR170DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 95А; Idm: 200А" 3000.

0.0
SIR172ADP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора44нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
42.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR172ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 24А; Idm: 60А" 3000.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж