Товары из категории транзисторы, стр.634

Производитель

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

0.0
SIR438DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора105нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
223.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR438DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 60А; Idm: 80А; 83Вт" 3000.

0.0
SIR4602LDP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора29нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
80.62 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR4602LDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 52,1А; Idm: 150А" 3000.

0.0
SIR4604LDP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора28нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
119.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR4604LDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 51А; Idm: 100А" 3000.

0.0
SIR4606DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13,5нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
217.05 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR4606DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 16А; Idm: 40А" 1.

0.0
SIR4608DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
96.90 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR4608DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 42,8А; Idm: 100А" 3000.

0.0
SIR460DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора54нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
119.38 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR460DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А; Idm: 70А; 48Вт" 3000.

0.0
SIR462DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора30нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
83.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR462DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 30А; Idm: 70А" 3000.

0.0
SIR464DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора95нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
144.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR464DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 50А; Idm: 70А; 69Вт" 3000.

0.0
SIR466DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора65нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
104.65 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR466DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А; Idm: 70А; 54Вт" 3000.

0.0
SIR470DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора155нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
381.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR470DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 60А; Idm: 100А; 66,6Вт" 1.

0.0
SIR474DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
81.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR474DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 20А; Idm: 50А" 3000.

0.0
SIR500DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора180нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
156.59 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR500DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 350,8А; Idm: 500А" 3000.

0.0
SIR5102DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора51нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
293.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR5102DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 110А; Idm: 300А" 3000.

0.0
SIR510DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора81нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
215.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR510DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 126А; Idm: 300А" 3000.

0.0
SIR516DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора27нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
175.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR516DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 63,7А; Idm: 200А" 3000.

0.0
SIR5708DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
141.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR5708DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 33,8А; Idm: 80А" 3000.

0.0
SIR570DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора71нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
237.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR570DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 77,4А; Idm: 200А" 3000.

0.0
SIR572DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора54нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
193.80 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR572DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 59,7А; Idm: 180А" 3000.

0.0
SIR574DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора48нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
142.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR574DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 48,1А; Idm: 150А" 3000.

0.0
SIR576DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
122.48 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR576DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 42,2А; Idm: 120А" 3000.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж