Товары из категории транзисторы, стр.636

Производитель

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

0.0
SIR638DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора204нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
212.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR638DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 100А; Idm: 400А" 3000.

0.0
SIR638DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора204нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
179.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR638DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 100А; Idm: 400А" 3000.

0.0
SIR640ADP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора90нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
172.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR640ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 100А; Idm: 350А" 3000.

0.0
SIR664DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
105.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR664DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 60А; Idm: 150А; 50Вт" 3000.

0.0
SIR668ADP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора81нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
241.86 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR668ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 93,6А; Idm: 200А" 3000.

0.0
SIR668DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора108нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
251.16 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR668DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 95А; Idm: 200А" 3000.

0.0
SIR670DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора63нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
130.23 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR670DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 60А; Idm: 200А" 3000.

0.0
SIR680ADP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора83нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
240.31 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR680ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 125А; Idm: 300А" 3000.

0.0
SIR680DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора105нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
241.86 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR680DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 100А; Idm: 200А" 3000.

0.0
SIR680LDP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора135нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
234.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR680LDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 130А; Idm: 300А" 3000.

0.0
SIR681DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора105нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
248.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR681DP-T1-RE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -80В; -71,9А; Idm: -125А" 3000.

0.0
SIR688DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора66нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
207.75 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR688DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 60А; Idm: 100А; 83Вт" 3000.

0.0
SIR690DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора48нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
175.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR690DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 34,4А; Idm: 80А" 3000.

0.0
SIR690DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора48нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
232.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR690DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 34,4А; Idm: 80А" 3000.

0.0
SIR692DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
189.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR692DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 250В; 24,2А; Idm: 50А" 3000.

0.0
SIR696DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
125.58 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR696DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 250В; 24,2А; Idm: 50А" 3000.

0.0
SIR698DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
122.48 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR698DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 7,5А; Idm: 10А" 3000.

0.0
SIR770DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора21нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
117.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR770DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET x2 + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 8А" 3000.

0.0
SIR800ADP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора53нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
179.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR800ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 177А; Idm: 150А" 3000.

0.0
SIR800ADP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора53нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
74.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR800ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 177А; Idm: 150А" 3000.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж