Товары из категории транзисторы, стр.637

Производитель

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

0.0
SIR800DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора133нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
189.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR800DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 50А; Idm: 80А; 69Вт" 3000.

0.0
SIR800DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора133нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
198.45 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR800DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 50А; Idm: 80А; 69Вт" 3000.

0.0
SIR804DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора76нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
243.41 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR804DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 60А; Idm: 100А" 3000.

0.0
SIR818DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора95нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
134.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR818DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 50А; Idm: 80А; 69Вт" 3000.

0.0
SIR820DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора75нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
155.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR820DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А; Idm: 70А" 3000.

0.0
SIR826BDP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора69нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
156.59 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR826BDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 80,8А; Idm: 200А" 3000.

0.0
SIR826LDP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора91нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
147.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR826LDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 86А; Idm: 200А; 83Вт" 3000.

0.0
SIR846ADP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора66нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
201.55 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR846ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 60А; Idm: 200А" 3000.

0.0
SIR846BDP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора52нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
156.59 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR846BDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 65,8А; Idm: 150А" 3000.

0.0
SIR846DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора72нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
234.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR846DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 60А; Idm: 100А" 3000.

0.0
SIR862DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора90нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
137.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR862DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 50А; Idm: 70А; 69Вт" 3000.

0.0
SIR870ADP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора80нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
316.28 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR870ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 60А; Idm: 300А" 3000.

0.0
SIR870BDP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора110нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
232.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR870BDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 81А; Idm: 200А" 3000.

0.0
SIR870DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора84нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
262.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR870DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 60А; Idm: 100А" 3000.

0.0
SIR871DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора90нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
215.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR871DP-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -100В; -48А; Idm: -300А" 3000.

0.0
SIR872ADP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора47нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
212.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR872ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 53,7А; Idm: 100А" 3000.

0.0
SIR872DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора64нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
229.46 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR872DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 53,7А; Idm: 100А" 3000.

0.0
SIR876ADP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора49нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
148.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR876ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 40А; Idm: 80А" 3000.

0.0
SIR876BDP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора65нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
113.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR876BDP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 51,4А; Idm: 120А" 3000.

0.0
SIR880ADP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора72нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
165.89 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIR880ADP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 60А; Idm: 100А; 83Вт" 3000.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж