Товары из категории транзисторы, стр.639

Производитель

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

0.0
SIRA24DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора55нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
162.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA24DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 60А; Idm: 150А; 40Вт" 1.

0.0
SIRA28BDP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
67.44 
Доступность: 2989 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIRA28BDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 30А; Idm: 90А; 11Вт" 1.

0.0
SIRA32DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора83нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
184.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA32DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 148А; Idm: 500А" 1.

0.0
SIRA36DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора56нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
150.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA36DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А; Idm: 250А" 1.

0.0
SIRA50ADP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора150нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
265.12 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA50ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 175А; Idm: 400А" 1.

0.0
SIRA50DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора194нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
289.92 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA50DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 100А; Idm: 400А" 1.

0.0
SIRA52ADP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,1мкC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
227.91 
Доступность: 2985 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIRA52ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 105А; Idm: 200А" 1.

0.0
SIRA52DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора150нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
288.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA52DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 60А; Idm: 150А" 1.

0.0
SIRA54DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора104нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
153.49 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA54DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 60А; Idm: 150А" 1.

0.0
SIRA58ADP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора61нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
206.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA58ADP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 87,3А; Idm: 150А" 1.

0.0
SIRA58DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора75нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
172.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA58DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 87,3А; Idm: 150А" 1.

0.0
SIRA60DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора125нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
235.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA60DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 100А; Idm: 400А" 1.

0.0
SIRA62DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора93нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
238.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA62DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 80А; Idm: 300А; 42Вт" 1.

0.0
SIRA64DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора65нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
189.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA64DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 60А; Idm: 100А" 1.

0.0
SIRA72DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора63нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
206.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA72DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 60А; Idm: 150А" 1.

0.0
SIRA74DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора41нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
189.15 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA74DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 64,2А; Idm: 150А" 1.

0.0
SIRA80DP-T1-RE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора188нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
249.61 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA80DP-T1-RE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 268А; Idm: 500А" 1.

0.0
SIRA84BDP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора32нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
86.05 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA84BDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 56А; Idm: 150А; 23Вт" 1.

0.0
SIRA84DP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора38нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
95.35 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA84DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 57,8А; Idm: 130А" 1.

0.0
SIRA88BDP-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора19нC КорпусPowerPAK® SO8 МонтажSMD
86.82 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SIRA88BDP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 32А; Idm: 90А; 11Вт" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж