Товары из категории транзисторы, стр.658

Производитель

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

0.0
SQ4850EY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора20нC КорпусSO8 МонтажSMD
235.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ4850EY-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 6,9А; 6,8Вт; SO8" 5.

0.0
SQ4940AEY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора43нC КорпусSO8 МонтажSMD
122.48 
Доступность: 382 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ4940AEY-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; 40В; 5,3А; Idm: 32А" 1.

0.0
SQ4961EY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора40нC КорпусSO8 МонтажSMD
125.58 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ4961EY-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -60В; -4,4А; 3,3Вт" 2500.

0.0
SQ7414CENW-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора25нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
202.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQ7414CENW-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 18А; Idm: 72А; 62Вт" 1.

0.0
SQ9945BEY-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора8нC КорпусSO8 МонтажSMD
240.31 
Доступность: 826 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQ9945BEY-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 3,1А; 4Вт; SO8" 1.

0.0
SQA401EEJ-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора5,3нC КорпусPowerPAK® SC70 МонтажSMD
105.43 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQA401EEJ-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,55А; 4,5Вт; PowerPAK® SC70" 1.

0.0
SQA405CEJW-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора34нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
28.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQA405CEJW-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -9А; Idm: -36А" 3000.

0.0
SQA411CEJW-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15,5нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
32.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQA411CEJW-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -6,46А; Idm: -20А" 3000.

0.0
SQA413CEJW-T1-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора16нC МонтажSMD Напряжение затвор-исток±12В
26.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQA413CEJW-T1_GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -7,5А; Idm: -30А" 3000.

0.0
SQA470EEJ-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора4,1нC КорпусPowerPAK® SC70
66.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQA470EEJ-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,25А; 13,6Вт; PowerPAK® SC70" 1.

0.0
SQD100N04-3M6L-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора130нC КорпусTO252 МонтажSMD
192.25 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQD100N04-3M6L-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 100А; Idm: 400А" 2000.

0.0
SQD19P06-60L-GE3
Вид каналаобогащенный Заряд затвора27нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
303.10 
Доступность: 1985 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQD19P06-60L_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -11А; 15Вт; DPAK,TO252" 1.

0.0
SQD25N15-52-GE3
Вид каналаобогащенный Заряд затвора34нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
496.12 
Доступность: 1969 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQD25N15-52_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 150В; 16А; 107Вт; DPAK,TO252" 1.

0.0
SQD30N05-20L-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора18нC КорпусTO252 МонтажSMD
127.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQD30N05-20L_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 55В; 30А; Idm: 120А; 50Вт" 2000.

0.0
SQD40031EL-GE3
Вид каналаобогащенный Заряд затвора186нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
286.82 
Доступность: 1199 шт.
 

Минимальное количество для товара "SQD40031EL_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -94А; 45Вт; DPAK,TO252" 1.

0.0
SQD40052EL-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора52нC КорпусTO252 МонтажSMD
82.95 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQD40052EL_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 30А; Idm: 120А; 62Вт" 2000.

0.0
SQD45P03-12-GE3
Вид каналаобогащенный Заряд затвора55,3нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
328.68 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQD45P03-12_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -37А; 23Вт; DPAK,TO252" 1.

0.0
SQD50N04-4M5L-GE3
Вид каналаобогащенный Заряд затвора85нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
392.25 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQD50N04-4M5L_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 50А; 136Вт; DPAK,TO252" 1.

0.0
SQD50N05-11L-GE3
Вид каналаобогащенный Заряд затвора34,6нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
320.93 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQD50N05-11L-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 32А; 75Вт; DPAK,TO252" 1.

0.0
SQD50P08-28-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора145нC КорпусDPAK, TO252 МонтажSMD
506.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SQD50P08-28_GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -28А; Idm: -190А; 45Вт" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж