Товары из категории транзисторы, стр.707

Производитель

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

0.0
SUG80050E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора165нC КорпусTO247 МонтажTHT
812.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUG80050E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 150В; 100А; Idm: 300А" 1.

0.0
SUG90090E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба Заряд затвора129нC КорпусTO247 МонтажTHT
733.33 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUG90090E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 200В; 100А; Idm: 300А" 1.

0.0
SUM10250E-GE3
Вид каналаобогащенный Заряд затвора57,6нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
489.92 
Доступность: 650 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUM10250E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 36,6А; 125Вт; D2PAK,TO263" 1.

0.0
SUM110N10-09-E3
Вид каналаобогащенный Заряд затвора110нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
641.86 
Доступность: 660 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUM110N10-09-E3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 87А; 375Вт; D2PAK,TO263" 1.

0.0
SUM110P04-04L-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,35мкC КорпусTO263 МонтажSMD
486.82 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM110P04-04L-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -110А; Idm: -240А" 800.

0.0
SUM110P04-05-E3
Вид каналаобогащенный Заряд затвора280нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
649.61 
Доступность: 568 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUM110P04-05-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -33А; 375Вт; D2PAK,TO263" 1.

0.0
SUM110P06-07L-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора345нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
582.95 
Доступность: 82 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUM110P06-07L-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -110А; Idm: -240А; 375Вт" 1.

0.0
SUM110P06-08L-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора240нC КорпусTO263 МонтажSMD
541.09 
Доступность: 1385 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUM110P06-08L-E3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -110А; Idm: -200А" 1.

0.0
SUM110P08-11L-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,27мкC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD
753.49 
Доступность: 401 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUM110P08-11L-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -110А; Idm: -120А; 125Вт" 1.

0.0
SUM40010EL-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора230нC КорпусTO263 МонтажSMD
387.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM40010EL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 120А; Idm: 300А" 800.

0.0
SUM40012EL-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора195нC КорпусTO263 МонтажSMD
275.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM40012EL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 150А; Idm: 300А" 800.

0.0
SUM40014M-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора275нC КорпусTO263-7 МонтажSMD
390.70 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM40014M-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 200А; Idm: 400А" 800.

0.0
SUM45N25-58-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,14мкC КорпусTO263 МонтажSMD
364.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM45N25-58-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 250В; 45А; Idm: 90А" 800.

0.0
SUM50010E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора212нC КорпусTO263 МонтажSMD
384.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM50010E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 150А; Idm: 500А" 800.

0.0
SUM50020E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора128нC КорпусTO263 МонтажSMD
370.54 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM50020E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 120А; Idm: 300А" 800.

0.0
SUM50020EL-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора126нC КорпусTO263 МонтажSMD
342.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM50020EL-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 120А; Idm: 300А" 800.

0.0
SUM55P06-19L-E3
Вид каналаобогащенный Заряд затвора115нC КорпусD2PAK, TO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
390.70 
Доступность: 45 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUM55P06-19L-E3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -31А; 125Вт; D2PAK,TO263" 1.

0.0
SUM60020E-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора227нC КорпусTO263 МонтажSMD
350.39 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM60020E-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 150А; Idm: 500А" 800.

0.0
SUM60061EL-GE3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора218нC КорпусTO263 МонтажSMD
635.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "SUM60061EL-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -80В; -150А; Idm: -250А" 800.

0.0
SUM60N10-17-E3
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора0,1мкC КорпусTO263 МонтажSMD
440.31 
Доступность: 612 шт.
 

Минимальное количество для товара "SUM60N10-17-E3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 60А; Idm: 100А" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж