Товары из категории транзисторы, стр.725

Производитель

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

0.0
TN5325N3-G-P002
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
114.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TN5325N3-G-P002, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 215мА; Idm: 0,8А; 0,74Вт; TO92" 1.

0.0
TN5325N3-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
126.36 
Доступность: 519 шт.
 

Минимальное количество для товара "TN5325N3-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 215мА; Idm: 0,8А; 740мВт; TO92" 1.

0.0
TN5335K1-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
139.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TN5335K1-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 350В; 0,75А; 360мВт; SOT23-3" 1.

0.0
TN5335N8-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
161.24 
Доступность: 897 шт.
 

Минимальное количество для товара "TN5335N8-G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 350В; 0,75А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

0.0
TP0604N3-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
257.36 
Доступность: 3 шт.
 

Минимальное количество для товара "TP0604N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -2А; 740мВт; TO92" 1.

0.0
TP0606N3-G-P002
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
153.49 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TP0606N3-G-P002, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -320мА; Idm: -3,5А; 1Вт; TO92" 1.

0.0
TP0606N3-G-P003
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
153.49 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TP0606N3-G-P003, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -320мА; Idm: -3,5А; 1Вт; TO92" 1.

0.0
TP0606N3-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
153.49 
Доступность: 187 шт.
 

Минимальное количество для товара "TP0606N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -320мА; Idm: -3,5А; 1Вт; TO92" 1.

0.0
TP0610K-T1-GE3
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,7нC КорпусSOT23
73.64 
Доступность: 43 шт.
 

Минимальное количество для товара "TP0610K-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -0,115А; 0,14Вт" 1.

0.0
TP0610T-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
195.35 
Доступность: 132 шт.
 

Минимальное количество для товара "TP0610T-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,05А; SOT23-3" 1.

0.0
TP2104K1-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
159.69 
Доступность: 124 шт.
 

Минимальное количество для товара "TP2104K1-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -160мА; Idm: -0,8А; 360мВт" 1.

0.0
TP2104N3-G-P003
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
113.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TP2104N3-G-P003, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -175мА; Idm: -1А; 740мВт; TO92" 1.

0.0
TP2104N3-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
108.53 
Доступность: 674 шт.
 

Минимальное количество для товара "TP2104N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -175мА; Idm: -1А; 740мВт; TO92" 1.

0.0
TP2502N8-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
232.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TP2502N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

0.0
TP2510N8-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
212.40 
Доступность: 1385 шт.
 

Минимальное количество для товара "TP2510N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -1,5А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

0.0
TP2520N8-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
235.66 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TP2520N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -200В; -0,75А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

0.0
TP2535N3-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
80.62 
Доступность: 317 шт.
 

Минимальное количество для товара "TP2535N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -350В; -0,4А; 740мВт; TO92" 1.

0.0
TP2540N3-G-P002
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
238.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TP2540N3-G-P002, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -86мА; Idm: -0,6А; 740мВт" 1.

0.0
TP2540N8-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
235.66 
Доступность: 270 шт.
 

Минимальное количество для товара "TP2540N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -125мА; Idm: -1,2А; 1,6Вт" 1.

0.0
TP2640LG-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSO8 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
347.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "TP2640LG-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -400В; -0,7А; 740мВт; SO8" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж