Товары из категории транзисторы, стр.744

Производитель

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

0.0
VP0109N3-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
213.95 
Доступность: 60 шт.
 

Минимальное количество для товара "VP0109N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -90В; -0,5А; 1Вт; TO92" 1.

0.0
VP0550N3-G-P013
Вид каналаобогащенный Вид упаковкиAmmo Pack КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
293.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VP0550N3-G-P013, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -500В; -54мА; Idm: -0,25А; 1Вт; TO92" 1.

0.0
VP0550N3-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
83.72 
Доступность: 579 шт.
 

Минимальное количество для товара "VP0550N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -500В; -54мА; Idm: -0,25А; 1Вт; TO92" 1.

0.0
VP0808L-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
266.67 
Доступность: 293 шт.
 

Минимальное количество для товара "VP0808L-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -1,1А; 1Вт; TO92" 1.

0.0
VP2106N3-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
151.94 
Доступность: 651 шт.
 

Минимальное количество для товара "VP2106N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -0,5А; 1Вт; TO92" 1.

0.0
VP2110K1-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT23-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
131.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VP2110K1-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -0,5А; 360мВт; SOT23-3" 1.

0.0
VP2206N2
Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO39 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
4 085.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VP2206N2, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -750мА; Idm: -8А; 360мВт; TO39" 1.

0.0
VP2206N3-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
441.86 
Доступность: 42 шт.
 

Минимальное количество для товара "VP2206N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -640мА; Idm: -4А; 740мВт; TO92" 1.

0.0
VP2450N3-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
279.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VP2450N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -500В; -100мА; Idm: -0,3А; 740мВт" 1.

0.0
VP2450N8-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
390.70 
Доступность: 163 шт.
 

Минимальное количество для товара "VP2450N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -500В; -160мА; Idm: -0,8А; 1,6Вт" 1.

0.0
VP3203N3-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкироссыпью КорпусTO92 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±20В
330.23 
Доступность: 109 шт.
 

Минимальное количество для товара "VP3203N3-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -650мА; Idm: -4А; 740мВт; TO92" 1.

0.0
VP3203N8-G
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT89-3 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±20В
345.74 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VP3203N8-G, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -1,1А; Idm: -4А; 1,6Вт; SOT89-3" 1.

0.0
VS-FA40SA50LC
Вид каналаобогащенный Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток±20В
6 275.97 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VS-FA40SA50LC, Модуль; одиночный транзистор; 500В; 29А; SOT227B; винтами; 261Вт" 1.

0.0
VS-FC420SA10
Вид каналаобогащенный Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток±20В
5 648.06 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VS-FC420SA10, Модуль; одиночный транзистор; 100В; 330А; SOT227B; винтами; 652Вт" 1.

0.0
VS-FC420SA15
Вид каналаобогащенный Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусSOT227B Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток±20В
9 037.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VS-FC420SA15, Модуль; одиночный транзистор; 150В; 300А; SOT227B; винтами; 909Вт" 1.

0.0
VT6M1T2CR
ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусVMT6 МонтажSMD
59.69 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VT6M1T2CR, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 20/-20В; 0,1/-0,1А; Idm: 0,4А" 1.

0.0
VUM25-05E
Заряд затвора0,35мкC Конструкция диодадиод/транзистор КорпусV1-A-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток±20В
8 141.09 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VUM25-05E, Модуль; диод/транзистор; 500В; 35А; V1-A-Pack; коннекторы FASTON" 1.

0.0
VUM33-06PH
Заряд затвора165нC Конструкция диодадиод/транзистор КорпусV1-B-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток±20В
9 460.47 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VUM33-06PH, Модуль; диод/транзистор; 600В; 50А; V1-B-Pack; коннекторы FASTON" 1.

0.0
VUM85-05A
Заряд затвора945нC Конструкция диодадиод/транзистор КорпусV2-Pack Механический монтажвинтами Напряжение затвор-исток±20В
26 178.29 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "VUM85-05A, Модуль; диод/транзистор; 500В; 130А; V2-Pack; Press-in PCB; 945нC" 1.

0.0
WM01P41M-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусSOT23 МонтажSMD Обозначение производителяWM01P41M
60.47 
Доступность: 2995 шт.
 

Минимальное количество для товара "WM01P41M, Транзистор: P-MOSFET; полевой; SOT23" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж