Товары из категории транзисторы, стр.756

Производитель

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

0.0
WMF09N65C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
82.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMF09N65C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 650В; 6А; 6Вт; SOT223" 1.

0.0
WMF09N70C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
82.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMF09N70C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 700В; 5,3А; 6Вт; SOT223" 1.

0.0
WMF10N60C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
83.72 
Доступность: 414 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMF10N60C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 600В; 8А; 57Вт; SOT223" 1.

0.0
WMF10N60C4-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,6нC КорпусSOT223 МонтажSMD
118.60 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMF10N60C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 600В; 4,8А; Idm: 19А; 57Вт" 1.

0.0
WMF10N65C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
108.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMF10N65C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 650В; 8А; 57Вт; SOT223" 1.

0.0
WMF10N65C4-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение сток-исток650В
117.05 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMF10N65C4, Транзистор: N-MOSFET; SJMOS™ C4; полевой; 650В; SOT223" 1.

0.0
WMF10N70C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусSOT223 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
113.18 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMF10N70C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 700В; 7,5А; 57Вт; SOT223" 1.

0.0
WMG04N70C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO251S3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
86.82 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMG04N70C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 700В; 2,6А; 29Вт; TO251S3" 1.

0.0
WMG07N60C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO251S3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
93.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMG07N60C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 600В; 5А; 42Вт; TO251S3" 1.

0.0
WMG07N65C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO251S3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
97.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMG07N65C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 650В; 5А; 42Вт; TO251S3" 1.

0.0
WMG07N70C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO251S3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
97.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMG07N70C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 700В; 4А; 42Вт; TO251S3" 1.

0.0
WMG09N60C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO251S3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
103.88 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMG09N60C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 600В; 6А; 45Вт; TO251S3" 1.

0.0
WMG09N65C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO251S3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
108.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMG09N65C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 650В; 6А; 45Вт; TO251S3" 1.

0.0
WMG09N70C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO251S3 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
108.53 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMG09N70C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 700В; 5,3А; 45Вт; TO251S3" 1.

0.0
WMH04N60C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO251S2 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
82.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMH04N60C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 600В; 3А; 29Вт; TO251S2" 1.

0.0
WMH04N65C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO251S2 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
82.17 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMH04N65C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 650В; 3А; 29Вт; TO251S2" 1.

0.0
WMH04N70C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO251S2 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
86.82 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMH04N70C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 700В; 2,6А; 29Вт; TO251S2" 1.

0.0
WMH07N60C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO251S2 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
93.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMH07N60C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 600В; 5А; 42Вт; TO251S2" 1.

0.0
WMH07N65C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO251S2 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
97.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMH07N65C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 650В; 5А; 42Вт; TO251S2" 1.

0.0
WMH07N70C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкитуба КорпусTO251S2 МонтажTHT Напряжение затвор-исток±30В
97.67 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMH07N70C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 700В; 4А; 42Вт; TO251S2" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж