Товары из категории транзисторы, стр.773

Производитель

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

0.0
WMM030N06HG4-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO263 МонтажSMD Обозначение производителяWMM030N06HG4
144.96 
Доступность: 31 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM030N06HG4, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO263" 1.

0.0
WMM036N12HGS-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO263 МонтажSMD Обозначение производителяWMM036N12HGS
179.84 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM036N12HGS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO263" 1.

0.0
WMM037N10HGS-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO263 МонтажSMD Обозначение производителяWMM037N10HGS
164.34 
Доступность: 91 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM037N10HGS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO263" 1.

0.0
WMM03N80M3-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
55.81 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM03N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 2,5А; 29Вт; TO263" 1.

0.0
WMM040N08HGS-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO263 МонтажSMD Обозначение производителяWMM040N08HGS
153.49 
Доступность: 98 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM040N08HGS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO263" 1.

0.0
WMM040N15HG2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO263 МонтажSMD Обозначение производителяWMM040N15HG2
657.36 
Доступность: 42 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM040N15HG2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO263" 1.

0.0
WMM043N10HGS-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO263 МонтажSMD Обозначение производителяWMM043N10HGS
153.49 
Доступность: 42 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM043N10HGS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO263" 1.

0.0
WMM048NV6HG4-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO263 МонтажSMD Обозначение производителяWMM048NV6HG4
141.86 
Доступность: 70 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM048NV6HG4, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO263" 1.

0.0
WMM053N10HGS-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO263 МонтажSMD Обозначение производителяWMM053N10HGS
144.19 
Доступность: 69 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM053N10HGS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO263" 1.

0.0
WMM053NV8HGS-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO263 МонтажSMD Обозначение производителяWMM053NV8HGS
143.41 
Доступность: 12 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM053NV8HGS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO263" 1.

0.0
WMM05N80M3-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
62.02 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM05N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 4А; 45Вт; TO263" 1.

0.0
WMM06N80M3-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
65.12 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM06N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 5А; 50Вт; TO263" 1.

0.0
WMM071N15HG2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO263 МонтажSMD Обозначение производителяWMM071N15HG2
437.21 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM071N15HG2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO263" 1.

0.0
WMM07N60C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
71.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM07N60C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 600В; 5А; 42Вт; TO263" 1.

0.0
WMM07N65C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
74.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM07N65C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 650В; 5А; 42Вт; TO263" 1.

0.0
WMM07N80M3-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
74.42 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM07N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 6,8А; 55Вт; TO263" 1.

0.0
WMM08N80M3-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
88.37 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM08N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 7А; 70Вт; TO263" 1.

0.0
WMM09N60C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
99.22 
Доступность: 612 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM09N60C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 600В; 6А; 45Вт; TO263" 1.

0.0
WMM09N65C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
99.22 
Доступность: 618 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM09N65C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 650В; 6А; 45Вт; TO263" 1.

0.0
WMM09N70C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
85.27 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM09N70C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 700В; 5,3А; 45Вт; TO263" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж