Товары из категории транзисторы, стр.774

Производитель

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

0.0
WMM10N60C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
99.22 
Доступность: 573 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM10N60C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 600В; 8А; 57Вт; TO263" 1.

0.0
WMM10N65C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
99.22 
Доступность: 576 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM10N65C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 650В; 8А; 57Вт; TO263" 1.

0.0
WMM10N70C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
106.98 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM10N70C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 700В; 7,5А; 57Вт; TO263" 1.

0.0
WMM115N15HG4-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO263 МонтажSMD Обозначение производителяWMM115N15HG4
178.29 
Доступность: 95 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM115N15HG4, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO263" 1.

0.0
WMM11N60C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
114.73 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM11N60C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 600В; 9А; 63Вт; TO263" 1.

0.0
WMM11N65C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
99.22 
Доступность: 571 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM11N65C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 650В; 9А; 63Вт; TO263" 1.

0.0
WMM11N70C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
120.93 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM11N70C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 700В; 8А; 63Вт; TO263" 1.

0.0
WMM11N80M3-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
127.13 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM11N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 10,5А; 85Вт; TO263" 1.

0.0
WMM120N04TS-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO263 МонтажSMD Обозначение производителяWMM120N04TS
111.63 
Доступность: 81 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM120N04TS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO263" 1.

0.0
WMM120P06TS-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO263 МонтажSMD Обозначение производителяWMM120P06TS
173.64 
Доступность: 367 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM120P06TS, Транзистор: P-MOSFET; полевой; TO263" 1.

0.0
WMM12N80M3-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
165.89 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM12N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 12А; 86Вт; TO263" 1.

0.0
WMM13N80M3-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
86.82 
Доступность: 577 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM13N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 13А; 130Вт; TO263" 1.

0.0
WMM14N60C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
89.92 
Доступность: 11 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM14N60C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 600В; 11А; 85Вт; TO263" 1.

0.0
WMM14N65C4-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13нC КорпусTO263 МонтажSMD
156.59 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM14N65C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 650В; 6А; Idm: 26А; 85Вт" 1.

0.0
WMM14N70C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
122.48 
Доступность: 239 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM14N70C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 700В; 11А; 85Вт; TO263" 1.

0.0
WMM15N60C4-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14,6нC КорпусTO263 МонтажSMD
200.00 
Доступность: 490 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM15N60C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт" 1.

0.0
WMM15N65C4-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора14,6нC КорпусTO263 МонтажSMD
164.34 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM15N65C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 650В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт" 1.

0.0
WMM161N15T2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO263 МонтажSMD Обозначение производителяWMM161N15T2
466.67 
Доступность: 25 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM161N15T2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO263" 1.

0.0
WMM16N60FD-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
201.55 
Доступность: 298 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMM16N60FD, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ FD; полевой; 600В; 13А; 86Вт; TO263" 1.

0.0
WMM16N70C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO263 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
175.19 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMM16N70C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 700В; 12А; 86Вт; TO263" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж