Товары из категории транзисторы, стр.781

Производитель

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, коммутации и управления электрическими сигналами и мощными нагрузками. Они являются основой современной электроники и применяются в источниках питания, усилителях, драйверах двигателей, преобразователях и цифровых схемах.

Транзисторы отличаются высокой надёжностью, стабильностью параметров и совместимостью с широким спектром схем.

Мы предлагаем качественные транзисторы от проверенных производителей с гарантией и быстрой доставкой по всей России.

Обеспечьте точное и эффективное управление — выбирайте профессиональные решения на 7-el.ru!

0.0
WMO10N50C4-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора7,3нC КорпусTO252 МонтажSMD
110.08 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO10N50C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 500В; 4,8А; Idm: 16А; 45Вт" 1.

0.0
WMO10N60C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
65.12 
Доступность: 1705 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMO10N60C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 600В; 8А; 57Вт; TO252" 1.

0.0
WMO10N60C4-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,6нC КорпусTO252 МонтажSMD
106.20 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO10N60C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 600В; 4,8А; Idm: 19А; 57Вт" 1.

0.0
WMO10N65C4-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,6нC КорпусTO252 МонтажSMD
110.85 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO10N65C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 650В; 4,8А; Idm: 19А; 57Вт" 1.

0.0
WMO10N65EM-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13,5нC КорпусTO252 МонтажSMD
134.11 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO10N65EM, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ EM; полевой; 650В; 4,8А; Idm: 24А; 63Вт" 1.

0.0
WMO10N70C4-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора9,6нC КорпусTO252 МонтажSMD
126.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO10N70C4, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; полевой; 700В; 4,8А; Idm: 19А; 57Вт" 1.

0.0
WMO10N70EM-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13,5нC КорпусTO252 МонтажSMD
142.64 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO10N70EM, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ EM; полевой; 700В; 4,8А; Idm: 24А; 63Вт" 1.

0.0
WMO10N80M3-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
96.12 
Доступность: 2143 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMO10N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 10А; 85Вт; TO252" 1.

0.0
WMO115N15HG4-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO252 МонтажSMD Обозначение производителяWMO115N15HG4
153.49 
Доступность: 45 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMO115N15HG4, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO252" 1.

0.0
WMO119N12LG4-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO252 МонтажSMD Обозначение производителяWMO119N12LG4
113.95 
Доступность: 96 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMO119N12LG4, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO252" 1.

0.0
WMO11N60C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
66.67 
Доступность: 2049 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMO11N60C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 600В; 9А; 63Вт; TO252" 1.

0.0
WMO11N65C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
124.03 
Доступность: 28 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMO11N65C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 650В; 9А; 63Вт; TO252" 1.

0.0
WMO11N65SR-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13,7нC КорпусTO252 МонтажSMD
126.36 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO11N65SR, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ SR; полевой; 650В; 5,4А; Idm: 19А; 63Вт" 1.

0.0
WMO11N70C2-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
100.78 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO11N70C2, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; полевой; 700В; 8А; 63Вт; TO252" 1.

0.0
WMO11N70SR-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора13,7нC КорпусTO252 МонтажSMD
138.76 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO11N70SR, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ SR; полевой; 700В; 5,4А; Idm: 19А; 63Вт" 1.

0.0
WMO11N80M3-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
117.83 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "WMO11N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 10,5А; 85Вт; TO252" 1.

0.0
WMO120N04TS-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO252 МонтажSMD Обозначение производителяWMO120N04TS
108.53 
Доступность: 514 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMO120N04TS, Транзистор: N-MOSFET; полевой; TO252" 1.

0.0
WMO12N80M3-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента КорпусTO252 МонтажSMD Напряжение затвор-исток±30В
314.73 
Доступность: 1094 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMO12N80M3, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; полевой; 800В; 12А; 86Вт; TO252" 1.

0.0
WMO12P05T1-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO252 МонтажSMD Обозначение производителяWMO12P05T1
64.34 
Доступность: 445 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMO12P05T1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; TO252" 1.

0.0
WMO12P06TS-CYG
Вид каналаобогащенный Вид упаковкилента КорпусTO252 МонтажSMD Обозначение производителяWMO12P06TS
83.72 
Доступность: 2027 шт.
 

Минимальное количество для товара "WMO12P06TS, Транзистор: P-MOSFET; полевой; TO252" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Производитель
Хиты продаж